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    • ?01、臺積電2nm,達3萬美元
    • ?02、2nm戰(zhàn)場,好戲來了
    • ?03、2nm混戰(zhàn),誰更勝一籌?
    • ?04、芯片巨頭的野心,不止2nm
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2nm戰(zhàn)場,好戲來了

04/07 12:15
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作者:豐寧

本周,2nm在各大網(wǎng)站強勢刷屏。

臺積電此前表示,2nm芯片將于4月1日起接受訂單預訂。隨著時間逐漸來到4月,它終于猶抱琵琶半遮面,緩緩露出真容。

臺積電、Intel、Rapidus等芯片巨頭均在本周再度更新了2nm芯片的量產(chǎn)進展。

?01、臺積電2nm,達3萬美元

價格方面,DigiTimes報道稱,客戶正在排隊等待成為第一批收到即將發(fā)貨的晶圓的一方,即使這意味著必須支付每片?30000?美元的高昂價格。

良率方面,根據(jù)此前信息,臺積電已在竹科寶山廠完成約5000片的風險試產(chǎn),良率超過60%,并計劃于2025年下半年正式進入量產(chǎn)階段。

產(chǎn)地方面,根據(jù)臺積電的規(guī)劃,其2nm晶圓將于2025年下半年在新竹寶山廠和高雄廠同步量產(chǎn)。臺積電董事長魏哲家透露,客戶對于2nm技術(shù)的需求甚至超過了3nm同期,市場對于2nm芯片的熱情,可見一斑。

2022年12月,臺積電宣布量產(chǎn)3nm,屆時臺積電就曾做過預測,3nm制程技術(shù)量產(chǎn)第一年帶來的收入將優(yōu)于5nm在2020年量產(chǎn)時的收益。想必2nm大規(guī)模量產(chǎn)之際,需求也會十分火爆。

產(chǎn)量方面,在新竹寶山晶圓廠(Fab 20)和高雄晶圓廠(Fab 22)共同貢獻下,預計到2025年底,臺積電2nm工藝的總月產(chǎn)能將突破5萬片晶圓。

為了滿足2nm的量產(chǎn)需求,臺積電也加大了對ASML的EUV光刻機的采購力度,在2024年就訂購了30臺,并且計劃在2025年再訂購35臺,其中還包括ASML最新推出的High-NA EUV光刻機,以在新竹和高雄等地建設(shè)更多2nm生產(chǎn)線。

預計到2026年,臺積電2nm芯片月產(chǎn)能將提升至每月12至13萬片。

潛在客戶方面,臺積電2nm制程芯片的潛在客戶包括蘋果、AMD、Intel、博通等。不過也有市場消息稱臺積電2nm制程的首批產(chǎn)能已被蘋果預訂,用于生產(chǎn)A20處理器。蘋果供應鏈知名分析師郭明錤也曾多次提及,iPhone 18系列將搭載的A20芯片,將采用臺積電尖端的2納米工藝制造。

不過,臺積電并未對單一客戶的產(chǎn)品信息發(fā)表評論,蘋果也未公布采用2nm制程的具體時間表。

?02、2nm戰(zhàn)場,好戲來了

先進制程的賽道上,3nm?制程的熱度還未完全消退,2nm?制程的角逐已正式開啟。臺積電搶先一步,率先實現(xiàn)量產(chǎn),消息一出,迅速引發(fā)行業(yè)關(guān)注。

現(xiàn)下,其他芯片龍頭也坐不住了,正摩拳擦掌。2nm的市場,好戲正在開演。

Intel,18A進入風險試產(chǎn)

近日舉辦的Intel Vision 2025大會上,Intel正式宣布其Intel 18A工藝制程技術(shù)已進入風險生產(chǎn)階段。18A等效于1.8nm級

Intel代工服務(wù)副總裁?Kevin O'Buckley在Intel即將全面完成其“四年五個節(jié)點(5N4Y)”?計劃之際宣布了這一消息。

Kevin O'Buckley表示,風險試產(chǎn)雖然聽起來很可怕,但實際上是一個產(chǎn)業(yè)的標準術(shù)語。 風險試產(chǎn)的重要性在于我們已經(jīng)將技術(shù)發(fā)展到了可以量產(chǎn)的程度。

他還強調(diào),Intel已經(jīng)生產(chǎn)了大量Intel 18A測試芯片。?相較之下,風險試產(chǎn)包括將完整的芯片設(shè)計晶圓投少量生產(chǎn),再通過調(diào)整其制造流程,并在實際生產(chǎn)運作中驗證節(jié)點和制程設(shè)計套件(PDK)。據(jù)悉,Intel將在2025年下半年擴大Intel 18A的產(chǎn)量。

據(jù)悉,Intel的下一代面向移動端筆記本的Panther Lake將于2025年下半年發(fā)布(預計命名為酷睿Ultra 300系列)。屆時,該款產(chǎn)品極有可能是Intel?18A的首款搭載產(chǎn)品。

2024年9月,Intel宣布,18A工藝進展順利且超過預期,Arrow Lake高性能處理器原定采用的20A工藝已經(jīng)取消,改為外部代工制造。18A工藝在20A的基礎(chǔ)上打造,將成為首款同時采用PowerVia背面供電和RibbonFET環(huán)繞式柵極(GAA)晶體管技術(shù)的芯片。同時,Intel宣布將其資源從20A轉(zhuǎn)移到18A上。

關(guān)于Intel取消20A節(jié)點的原因,業(yè)內(nèi)猜測主要有兩點:

其一,彼時,Intel正面臨財務(wù)業(yè)績壓力去年8月初,Intel公布了糟糕的財報及財測數(shù)據(jù),并宣布全球裁員15%、削減資本支出(到2025年削減100億美元資本支出)。在此背景下,取消20A工藝有助于節(jié)省生產(chǎn)資本支出,減輕財務(wù)壓力。Intel高層認為,節(jié)省下來的資金將用于推動更具潛力的18A工藝節(jié)點的發(fā)展。

其二,Intel對20A的興趣有限。此前Intel表示,已將其資源從20A轉(zhuǎn)移到18A上,這是受到18A良率指標強勁的推動。彼時18A的缺陷密度?(def/cm2)?已達到?0.40?以下,此后未有更新的良率數(shù)據(jù)更新。

按照Intel的愿景,18A將是其反超臺積電的關(guān)鍵節(jié)點。

Rapidus本月內(nèi)啟動中試線

此前很長時間,Rapidus的2nm制造規(guī)劃,也宣傳的沸沸揚揚。

Rapidus于2022年8月10日由軟銀、索尼、豐田等8家日本大公司共同籌辦。自成立以來,它便肩負著日本半導體復興的重任。在日本政府大力支持下,獲得了總計9200億日元補貼。有了資金的強力后盾,Rapidus在2nm芯片制造的道路上一路狂奔。

4月1日,Rapidus表示,該企業(yè)計劃在本月內(nèi)基于已安裝的前端設(shè)備啟動中試線,實現(xiàn)?EUV?機臺的啟用并繼續(xù)引入其它設(shè)備,推進?2nm GAA?先進制程技術(shù)的開發(fā)。

Rapidus?將在本財年(結(jié)束于明年三月底)內(nèi)向先行客戶發(fā)布?2nm?節(jié)點的?PDK(制程設(shè)計套件),為?2027?財年的中試線完成建設(shè)、測試芯片驗證乃至最終量產(chǎn)做好準備。

而在先進封裝方面,該企業(yè)計劃啟動中試線項目,進一步開發(fā)所需的?RDL?重布線層、3D?封裝技術(shù)、KGD篩選技術(shù),并為客戶構(gòu)建封裝組裝設(shè)計套件?ADK。

三星Exynos全新命名2nm芯片或?qū)⒌絹?/b>

近日有消息稱,三星即將推出的新一代Exynos芯片將不再沿用預期的Exynos 2600之名,而是采用一個全新的命名。還有消息稱三星Galaxy S26系列或有可能全面告別驍龍平臺,轉(zhuǎn)而全系搭載三星自家研發(fā)的這款全新Exynos芯片。

據(jù)悉,這款備受期待的Exynos芯片將率先采用三星最新的2nm工藝制程,命名為SF2。根據(jù)三星的規(guī)劃,Exynos 2600的原型芯片預計將于今年5月開始量產(chǎn),并將在Galaxy S26系列手機上首發(fā)搭載。

倘若真如上述所言,三星的2nm或許是最早到來的。

不過,業(yè)內(nèi)對于三星的期待值似乎不算太高,這可能受到半個月前,其原計劃在2027年投產(chǎn)的1.4納米芯片項目擱置的影響。

?03、2nm混戰(zhàn),誰更勝一籌?

目前,臺積電與Intel兩家的呼聲要高于其他幾家芯片巨頭。

那么就這兩家公司而言,誰的工藝技術(shù)更勝一籌呢?

今年2月,TechInsights?和?SemiWiki?披露了Intel18A和臺積電?N2(2nm?級別)工藝上的關(guān)鍵信息。

先說該研究機構(gòu)的結(jié)論:Intel 18A?工藝在性能方面更勝一籌,而臺積電的?N2?工藝則可能在晶體管密度方面更具優(yōu)勢。

TechInsights分析指出,臺積電?N2?工藝的高密度?(HD)?標準單元晶體管密度達到了?313 MTr / mm2,遠超?Intel 18A (238 MTr / mm2)?和三星?SF2 / SF3P (231 MTr / mm2)。

不過這樣的比較并不算完全準確,還有一些點需要注意。

第一,個比較僅涉及HD標準單元。幾乎所有依賴前沿節(jié)點的現(xiàn)代高性能處理器都使用高密度(HD)、高性能(HP)和低功耗(LP)標準單元的組合,更不用說臺積電FinFlex和NanoFlex等技術(shù)的能力了。

第二,目前尚不清楚Intel和臺積電的HP和LP標準單元如何比較。雖然可以合理地假設(shè)N2在晶體管密度上具有領(lǐng)先優(yōu)勢,但這種優(yōu)勢可能并不像HD標準單元那樣巨大。

第三,在IEDM會議上提交的論文中,Intel和臺積電都披露了其下一代18A和N2制造工藝在性能、功耗和晶體管密度方面相對于前代的優(yōu)勢。然而,目前還無法將這兩種制造技術(shù)直接進行比較。

再看TechInsights的結(jié)論。

在性能方面,TechInsights認為Intel的18A將領(lǐng)先于臺積電的N2和三星的SF2(前身為SF3P)。然而,TechInsights使用了一種有爭議的方法來比較即將推出的節(jié)點的性能,它使用臺積電的N16FF和三星的14納米工藝技術(shù)作為基準,然后加上兩家公司宣布的節(jié)點間性能改進來做出預測。雖然這可以作為一個估計,但可能并不完全準確。

此外,還有諸多需要注意的點,比如:Intel專注于制造高性能處理器,因此18A可能是為性能和能效而設(shè)計的,而不是為了HD晶體管密度。再或者Intel的背面供電技術(shù)也會對其產(chǎn)品起到加持作用。

在功耗方面,TechInsights的分析師認為,基于N2的芯片將比類似的基于SF2的集成電路消耗更少的功耗,因為臺積電近年來在功耗效率方面一直領(lǐng)先。至于Intel,這還有待觀察,但至少18A將在這方面提供優(yōu)勢。

在產(chǎn)品規(guī)?;鲜蟹矫妫?/b>或許Intel 18A早于臺積電2nm,上文曾提到Intel 18A的首批產(chǎn)品很可能是將于2025年下半年發(fā)布的Panther Lake,而搭載臺積電2nm的首批產(chǎn)品很可能是將于2026年發(fā)布的iPhone 18系列。

?04、芯片巨頭的野心,不止2nm

從當前臺積電的規(guī)劃來看,其似乎并沒有打算在2nm上耗費太多的時間。

臺積電寶山P2(Fab20)工廠已經(jīng)在為1.4nm工藝做內(nèi)部準備,并取得了重大突破,但具體情況暫時不詳。

最近,臺積電甚至已經(jīng)明確通知供應鏈,可以開始準備1.4nm工藝相關(guān)的設(shè)備了。

寶山P2被視為臺積電先進工藝的試驗田,一旦進展順利,P3、P4工廠也會加入其中,F(xiàn)ab 25工廠也可能會在1.4nm工藝上扮演重要角色。

業(yè)界預計,臺積電有望在2027年開始1.4nm工藝的風險性試產(chǎn),2028年火力全開。

那么寫到這里,或許有人有這樣的疑問:芯片制程不斷縮小,真的有必要嗎?

眾所周知,隨著制程節(jié)點向更小尺寸演進,這讓制造芯片變得更難且更貴了。正如上文所言,Intel?Arrow Lake放棄采用20A工藝,三星擱置1.4nm,這均是介于投入與回報差距的衡量。

彼時,制造更先進芯片宛如一場殘酷游戲,每一步都需謹小慎微。至于后續(xù)還會有哪些巨頭加入這場角逐?又將采取何種策略?一切都充滿未知......

可以確定的是,這場競賽,并不會輕易終止。

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