• 正文
    • 一、主要應(yīng)用領(lǐng)域及典型案例
    • 二、市場滲透率與競爭格局
    • 三、技術(shù)替代趨勢與挑戰(zhàn)
    • 四、未來市場增長點(diǎn)
    • 五、總結(jié)
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130°C燒結(jié)銀 功率市場新寵兒

04/07 11:29
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130°C燒結(jié)銀,功率市場新寵兒!

130°C燒結(jié)銀AS9338技術(shù)近年來在高端電子封裝領(lǐng)域快速滲透,尤其在新能源汽車5G通信、AI芯片等高功率密度場景中表現(xiàn)突出。以下是其市場應(yīng)用現(xiàn)狀及典型案例分析:

一、主要應(yīng)用領(lǐng)域及典型案例

1. 新能源汽車

核心應(yīng)用場景

電驅(qū)系統(tǒng)(IGBT/SiC模塊)
如***等車企采用130°C燒結(jié)銀技術(shù)封裝功率模塊,實(shí)現(xiàn)更高的導(dǎo)熱效率(導(dǎo)熱系數(shù)達(dá)120 W/m·K),使SiC模塊工作結(jié)溫提升至200℃以上,系統(tǒng)效率提高8%-12%。

動力電池BMS管理
**在電池模組互聯(lián)中采用該技術(shù),降低接觸電阻30%,溫升減少15℃,提升電池包壽命至15年以上。

市場數(shù)據(jù)
2023年全球新能源汽車燒結(jié)銀材料市場規(guī)模超5億美元,中國市場占比超60%,年增速達(dá)80%。

2. 5G通信與AI芯片

基站功率放大器(PA)
**等廠商在5G基站射頻前端采用130°C燒結(jié)銀,實(shí)現(xiàn)芯片與基板的高密度互連,信號損耗降低20%,單機(jī)功耗減少10W。

AI加速卡封裝
**H100、國產(chǎn)**MLU等高端AI芯片采用該技術(shù)進(jìn)行3D堆疊封裝,熱阻降低至0.12℃·cm/W,算力密度突破60 TOPS/mm3。

3. 工業(yè)與航空航天

光伏逆變器
**在組串式逆變器中采用燒結(jié)銀連接,模塊壽命從10萬小時提升至15萬小時,故障率下降40%。

衛(wèi)星電源系統(tǒng)
NASA最新衛(wèi)星電源模塊采用無鉛燒結(jié)銀方案,通過極端溫度循環(huán)(-180℃~+150℃)驗(yàn)證,滿足深空任務(wù)可靠性要求。

二、市場滲透率與競爭格局

1. 市場規(guī)模與增速

全球市場:2023年130°C燒結(jié)銀材料市場規(guī)模約8.2億美元,預(yù)計2025年將突破15億美元,年復(fù)合增長率(CAGR)達(dá)42%。

中國市場:2023年國產(chǎn)化率約35%,頭部企業(yè)如善仁新材、ALWAYSTONE占據(jù)國內(nèi)60%份額,逐步替代德國賀利氏(Heraeus)、日本住友(Sumitomo)等進(jìn)口產(chǎn)品。

2. 主要廠商布局

國際廠商
德國賀利氏推出低銀含量(Ag含量<70%)燒結(jié)銀漿,試圖降低成本競爭;日本住友開發(fā)低溫共燒陶瓷(LTCC)集成方案。

中國廠商

善仁新材:主打AS9338系列,已通過AEC-Q200車規(guī)認(rèn)證,供貨**電氣。

ALWSYSTONE:開發(fā)無壓燒結(jié)銀銅復(fù)合材料,在華為5G基站實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)導(dǎo)入。

三、技術(shù)替代趨勢與挑戰(zhàn)

1. 替代傳統(tǒng)工藝的驅(qū)動力

成本優(yōu)勢:無需昂貴加壓設(shè)備,產(chǎn)線改造成本降低70%,中小廠商更容易采用。

環(huán)保政策:歐盟《REACH法規(guī)》限制含鉛焊料使用,加速無鉛燒結(jié)銀替代。

性能剛需:SiC/GaN第三代半導(dǎo)體器件需更高導(dǎo)熱材料,傳統(tǒng)焊料(導(dǎo)熱<60 W/m·K)已無法滿足需求。

2. 當(dāng)前應(yīng)用瓶頸

材料成本:銀含量高達(dá)85%-95%,銀價波動(2023年銀價上漲25%)影響終端成本。

工藝適配:部分廠商SMT產(chǎn)線需微調(diào)溫度曲線(傳統(tǒng)焊料峰值溫度260℃,燒結(jié)銀僅需130℃)。

標(biāo)準(zhǔn)化缺失:行業(yè)尚未統(tǒng)一燒結(jié)銀性能測試標(biāo)準(zhǔn)(如IPC標(biāo)準(zhǔn)仍沿用傳統(tǒng)焊料指標(biāo))。

四、未來市場增長點(diǎn)

第三代半導(dǎo)體配套
SiC功率器件市場預(yù)計2025年達(dá)60億美元,130°C燒結(jié)銀作為關(guān)鍵封裝材料將同步受益。

消費(fèi)電子輕薄化
折疊屏手機(jī)、AR/VR設(shè)備需高導(dǎo)熱低應(yīng)力互連方案,燒結(jié)銀開始滲透高端機(jī)型。

光伏儲能一體化
光儲逆變器功率密度提升至30kW以上,推動燒結(jié)銀在超大電流模塊中的應(yīng)用。

五、總結(jié)

130°C燒結(jié)銀AS9338技術(shù)憑借低溫低壓、高導(dǎo)熱、低成本特性,已成為新能源汽車、5G通信等領(lǐng)域的“剛需”材料,市場滲透率快速提升。盡管面臨銀價波動和工藝適配問題,但在第三代半導(dǎo)體爆發(fā)、環(huán)保政策加碼的背景下,其市場規(guī)模有望在2030年突破50億美元,成為高端電子封裝的核心技術(shù)路徑。中國廠商憑借本土化供應(yīng)鏈優(yōu)勢,正加速從“進(jìn)口替代”轉(zhuǎn)向“技術(shù)出?!?。

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