芯耀
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三星電子?已開始開發(fā)?1?（代工工藝，被稱為夢想半導(dǎo)體工藝。由于在2nm工藝等接近量產(chǎn)的技術(shù)領(lǐng)域與臺積電存在現(xiàn)實(shí)差距，三星計劃通過加速開發(fā)未來技術(shù)的1nm工藝，創(chuàng)造扭轉(zhuǎn)乾坤的機(jī)會。
據(jù)業(yè)內(nèi)人士4月9日透露，三星電子半導(dǎo)體研究院近日開始研發(fā)1納米工藝。招募部分參與過2nm等前沿工藝研發(fā)的科研人員，組建項(xiàng)目組。?1納米被稱為夢想的半導(dǎo)體工藝，而在三星電子迄今披露的晶圓代工工藝路線圖中，計劃于2027年量產(chǎn)的1.4納米工藝是最先進(jìn)的。
1納米工藝需要打破現(xiàn)有設(shè)計模式的新技術(shù)理念，以及引入高NA EUV曝光設(shè)備等下一代設(shè)備。該公司的目標(biāo)是2029年后實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
三星電子在目前已量產(chǎn)的3nm制程和預(yù)定今年量產(chǎn)的2nm制程的技術(shù)實(shí)力均落后于臺積電，因此對1nm制程的期待值較高。就2nm而言，臺積電的良率早已超過60%，與三星電子的差距不小。特別是據(jù)報道，三星李在镕會長上個月呼吁高管們“繼承技術(shù)優(yōu)先的傳統(tǒng)”，并強(qiáng)調(diào)，“要用世界上不存在的技術(shù)創(chuàng)造未來”，從而提前啟動了1nm工藝的開發(fā)。
競爭對手也正在加速開發(fā)1納米級工藝。臺積電去年4月意外宣布，將在現(xiàn)有的1.4納米與2納米之間增加16A技術(shù)，即1.6納米，并于2026年下半年開始量產(chǎn)。分析稱，此舉是為了應(yīng)對快速變化的人工智能（AI）半導(dǎo)體市場的技術(shù)需求，同時為下一代工藝奠定基礎(chǔ)。
近期更換領(lǐng)導(dǎo)層的三星晶圓代工部門正致力于加強(qiáng)技術(shù)能力并擴(kuò)大業(yè)務(wù)生態(tài)系統(tǒng)。三星電子代工業(yè)務(wù)部負(fù)責(zé)人兼總裁韓進(jìn)萬?(Han Jin-man)?最近一直致力于加強(qiáng)合作伙伴關(guān)系，與包括?DeepX?在內(nèi)的韓國人工智能?(AI)?半導(dǎo)體初創(chuàng)公司會面，了解客戶需求。
