在晶體的振蕩電路中一般會(huì)設(shè)計(jì)兩個(gè)電阻,一個(gè)是跨接在晶振兩端,叫做反饋電阻Rf;一個(gè)接在IC的輸出端,叫做限流電阻RD;同晶體相連旁接的電容稱之為負(fù)載匹配電容,通過(guò)調(diào)整容值的大小可以改變振蕩電路的頻率,而這些波形頻率測(cè)試就可以觀察的到。
1、反饋電阻Rf:
晶體串聯(lián)的主芯片內(nèi)部是一個(gè)線性運(yùn)算放大器,將輸入進(jìn)行反向180度輸出,晶振處的負(fù)載電容提供另外180度的相移,整個(gè)環(huán)路的相移呈360度,滿足振蕩的相位條件,同時(shí)還要求閉環(huán)增益大于等于1,此時(shí)晶振才能正常工作。
在實(shí)際的產(chǎn)品設(shè)計(jì)時(shí),晶振部分的電路會(huì)有下面2種電路,圖1電路中,沒(méi)有1M的反饋電阻,圖2電路中,晶振會(huì)并聯(lián)一個(gè)1M的電阻,
反饋電阻的作用,總結(jié)3點(diǎn):
1)配合IC內(nèi)部電路組成負(fù)反饋,移相,使放大器工作在線性區(qū)。
2)穩(wěn)定輸出幅度和相位。
3)增加振蕩電路穩(wěn)定性。比如在溫度變化時(shí),可以通過(guò)調(diào)整電阻值來(lái)維持振蕩頻率的穩(wěn)定。
2、限流電阻RD:
這個(gè)電阻的作用是限制IC的驅(qū)動(dòng)能力,并且與Cd組成一個(gè)低通濾波器,以確保振蕩器的起振點(diǎn)在基頻上,而不是在其他高次諧波頻率點(diǎn)上(避免3次,5次,7次諧波頻率)。如果晶振的功耗超過(guò)晶振制造商的給定值,外部電阻Rd是必需的,用以避免晶振被過(guò)分驅(qū)動(dòng)。如果晶振的功耗小于晶振制造商的給定值,就不推薦使用Rd,可以預(yù)設(shè)0?。如圖3所示
對(duì)Rd值的預(yù)估可以通過(guò)考慮由Rd和Cd的電壓分壓Rd/Cd實(shí)現(xiàn)(注意到Rd和Cd構(gòu)成了一個(gè)分壓/濾波器,考慮通帶寬度應(yīng)不小于振蕩器頻率),則有Rd的值等于Cd的電抗:
限流電阻的作用,總結(jié)3點(diǎn):
1)抑制EMI。我們可通過(guò)調(diào)整阻值改善EMI。
2)避免晶振被過(guò)分驅(qū)動(dòng),保護(hù)晶振電氣性能的穩(wěn)定性。
3)作為T(mén)P點(diǎn)方便波形量測(cè)。
最后提醒大家,如果IC部分已含有反饋電阻,那么外部晶振電路無(wú)需再加反饋電阻。所以記得認(rèn)真看IC手冊(cè)。如果晶振電路不存在過(guò)驅(qū)問(wèn)題,那這顆限流電阻也可以省去。