GlobalFoundries：敲定要支持FD-SOI 22nm技術！

意法半導體和三星將采用FD-SOI工藝已經不是什么爆炸性的新聞，加工廠提供巨大的晶圓容量非常重要，如：三星就是這場游戲的一部分。然而，GF將要支持20nm FD-SOI工藝卻讓我們感到吃驚。為什么是20n而不是28nm呢？我相信這是市場的決策：一年前，GF已經決定支持FD-SOI技術，簽署支持20nm FD-SOI工藝替代28nm工藝，這樣可以填補市場的空白。

LETI，是法國的一個研究中心，專注于引導領先技術應用于實際產品中。意法半導體表示，一項技術從實驗驗證到實際工業(yè)產品需要很長的一段時間，如：FD-SOI：從1988年到2012年。FD-SOI技術已經被三星和GF簽署，這是LETI的成功。LETI CEO Marie Semaria發(fā)出三個關鍵信息：

1.FD-SOI技術已經被三星（28nm）和ST（28nm，14nm）授權，GF將支持新興的物聯網應用，尤其是存儲器，RF IC和MEMS；
2.廣泛支持FD-SOI應用，包含新興的和中型歐洲芯片制造商，LETI推出了“硅脈沖”加強FD-SOI生態(tài)系統(tǒng)：EDA，IP和MPW；
3.“Cool Cube”已經被LETII落實，用于支持單片3D或CMOS集成電路；

LETI CEO Marie Semaria認為，FD-SOI技術在物聯網應用中大有優(yōu)勢，與GF合作，高功率效率（物聯網偏愛低功率）和充分的集成能力在28nm甚至22nm的表現良好。Marie表示，摩爾定律在28nm工藝會爆發(fā)，我非常同意她的觀點，作為一項新技術，它將抬高每個晶體管的成本（如：14nm相對于22nm產品），工業(yè)領域需要探索所更有創(chuàng)新力的方法來保持半導體像過去50年一樣具有吸引力。3D技術是可能的創(chuàng)新之一。實際上，只有一種方法是不完全正確的，不同的3D技術正在研發(fā)，如TSV或者LTET基于“Cool Cube”進程的連續(xù)集成技術。

無可爭議，1號加工廠通過Modem領導著智能手機部分，并且應用程序IC已經拒絕了FD-
SOI，但是高通決定與LETI建立合作關系，目的是為了CoolCube投產。

什么是CoolCube？簡單來說就是，當大多數內存去處理第二個芯片的時候（如：Modem和存貯器），使用第一個芯片（如，應用處理器）去完成初始化。一旦第二個芯片被處理好了，兩個芯片將通過寬帶線互相連接（不是TSV），并且封裝在一起。這樣做的好處就是，相對于兩個IC單獨封裝，這樣占用空間更小，功耗更低。實際上，內部芯片之間的連接電容電感更小，使得總體電容更小，因此功耗會低。CoolCube看起來很有吸引力，這一新興技術走向產品級，高通是客戶也是驅動力。

作為CoolCube，硅脈沖給人的印象不深刻，但卻很重要。目的是建立完善的FD-SOI生態(tài)
系統(tǒng)，包括EDA工具，IP提供和多項晶圓功能。硅脈沖用于支持啟動和整合芯片制造商去完成他們的第一個FD-SOI項目，但是建立實際的生態(tài)系統(tǒng)后，所有采用FD-SOI的芯片制造商都會從中獲益。

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