• 正文
    • 2、積塔 6 英寸碳化硅生產(chǎn)線
    • 2、綠能芯創(chuàng)碳化硅芯片項目
    • 3、博方嘉芯氮化鎵射頻及功率器件項目
    • 1、高啟電子氮化鎵外延片項目
    • 2、泰科天潤運營總部及碳化硅器件生產(chǎn)基地項目
    • 3、徐州碳化硅功率半導(dǎo)體模塊封測及封裝材料研發(fā)項目
    • 4、海寧碳化硅材料研發(fā)及制造項目
    • 5、吳越半導(dǎo)體氮化鎵襯底及芯片制造項目
    • 6、合肥世紀(jì)金光產(chǎn)業(yè)化項目
    • 7、同光晶體碳化硅單晶襯底項目
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2020年第一季度寬禁帶半導(dǎo)體相關(guān)項目匯總

2020/04/13
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投產(chǎn)項目

1、中國電科(山西)碳化硅材料產(chǎn)業(yè)基地

2020 年 3 月 3 日,中國電科(山西)碳化硅材料產(chǎn)業(yè)基地一期項目投產(chǎn)。

項目于 2019 年 4 月 1 日開工建設(shè), 9 月 26 日封頂。建筑面積 2.7 萬平方米,能容納 600 臺碳化硅單晶生產(chǎn)爐和 18 萬片 N 型晶片的加工檢測能力,可形成 7.5 萬片的碳化硅晶片產(chǎn)能。

自 2007 年,中國電科 2 所便著手布局碳化硅單晶襯底材料的研制規(guī)劃,依靠自身在電子專用設(shè)備研發(fā)領(lǐng)域的技術(shù)優(yōu)勢,潛心鉆研著碳化硅單晶生長爐的研制。目前全面掌握了高純碳化硅粉料制備工藝、4 英寸高純半絕緣碳化硅單晶襯底的制備工藝,形成了從碳化硅粉料制備、晶體生長、晶片加工、外延驗證等整套碳化硅材料研制線,在國內(nèi)最早實現(xiàn)了高純碳化硅材料、高純半絕緣晶片量產(chǎn)。

2、積塔 6 英寸碳化硅生產(chǎn)線

3 月,積塔半導(dǎo)體的 6 英寸碳化硅生產(chǎn)線正式測通線運行。

開工項目

1、天和通訊(徐州)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地項目

1 月,總投資達到 60 億元天和通訊(徐州)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地舉行了開工儀式。

該項目主要從事第三代半導(dǎo)體硅基氮化鎵高性能芯片和器件的全產(chǎn)業(yè)鏈生產(chǎn)。項目全面達產(chǎn)后,可年產(chǎn) 33 密耳、55 密耳、70 密耳芯片 200 億顆及各類 5G 芯片共約 10 億顆。

2、綠能芯創(chuàng)碳化硅芯片項目

2020 年 2 月 21 日,投資 20 億元的綠能芯創(chuàng)碳化硅芯片項目在山東淄博高新區(qū)開工。

項目建設(shè)的 6 英寸碳化硅芯片生產(chǎn)線,,主要從事大功率分立器件、芯片系列產(chǎn)品的設(shè)計、制造,以及功率模塊應(yīng)用、制造流程的研發(fā)

3、博方嘉芯氮化鎵射頻及功率器件項目

2020 年 3 月 3 日,投資 25 億元的嘉興博方嘉芯氮化鎵射頻功率器件項目開工啟動。

項目一期建設(shè) 6 英寸兼容 4 英寸氮化鎵生產(chǎn)線,設(shè)計月產(chǎn)能為 1000 片氮化鎵射頻晶圓;二期建設(shè) 6 英寸兼容 4 英寸氮化鎵生產(chǎn)線和外延片生產(chǎn)線,設(shè)計月產(chǎn)能為 3000 片氮化鎵射頻晶圓、月產(chǎn)能 20000 片氮化鎵功率晶圓。

簽約項目

1、高啟電子氮化鎵外延片項目

1 月 18 日,第三代半導(dǎo)體外延片生產(chǎn)線項目簽約。項目由許昌高啟電子科技有限責(zé)任公司投資,以研發(fā)、生產(chǎn)全球半導(dǎo)體領(lǐng)域最前沿的氮化鎵外延片、芯片為主。

許昌高啟電子科技有限責(zé)任公司成立于 2019 年 12 月 30 日,注冊資本 3 億元,董事長徐志成。

2、泰科天潤運營總部及碳化硅器件生產(chǎn)基地項目

2 月,泰科天潤半導(dǎo)體科技(北京)有限公司和中關(guān)村科技園區(qū)順義園管理委員會簽訂項目入?yún)^(qū)協(xié)議。公司將整體遷入順義區(qū),在臨空國際板塊占地 20 畝,總投資 4 億元,建設(shè)運營總部及應(yīng)用于新能源汽車、國家電網(wǎng)等領(lǐng)域的碳化硅器件生產(chǎn)基地,項目建設(shè)期 2 年。

3、徐州碳化硅功率半導(dǎo)體模塊封測及封裝材料研發(fā)項目

2020 年 2 月 17 日,投資 3 億元的碳化硅功率半導(dǎo)體模塊封測及封裝材料研發(fā)項目簽約江蘇徐州高新區(qū)。項目主要從事碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體模塊的封測,研發(fā)生產(chǎn)耐高溫、耐腐蝕的先進封裝材料,一期項目建成投產(chǎn)后,年產(chǎn)碳化硅模塊約 20 萬只;二期項目建成投產(chǎn)后,可年產(chǎn)碳化硅模塊約 50 萬只。

4、海寧碳化硅材料研發(fā)及制造項目

2020 年 2 月 21 日,投資 2 億美元碳化硅材料研發(fā)及制造項目簽約浙江海寧。項目主要從事炭化硅材料研發(fā)及制造。

5、吳越半導(dǎo)體氮化鎵襯底及芯片制造項目

2020 年 2 月 21 日,投資 37 億元的吳越半導(dǎo)體氮化鎵襯底及芯片制造項目簽約江蘇無錫。項目主要進行 2-6 英寸氮化鎵自支撐單晶襯底及 GaN-On-GaN 功率芯片、射頻芯片的研發(fā)和生產(chǎn)。

吳越半導(dǎo)體成立于 2019 年 3 月 13 日,注冊資金 588 萬元。

6、合肥世紀(jì)金光產(chǎn)業(yè)化項目

3 月,合肥產(chǎn)投資本管理的語音基金與北京世紀(jì)金光半導(dǎo)體有限公司簽署投資協(xié)議并完成首期出資,在合肥高新區(qū)投資建設(shè) 6 英寸碳化硅單晶生長及加工項目。這是合肥首個第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)項目。

北京世紀(jì)金光半導(dǎo)體有限公司成立于 2010 年,總部位于北京經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū),是國家大基金在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域投資的重點企業(yè)之一,2018 年 6 月,大基金投資 2957 萬元,持股 10.55%。

7、同光晶體碳化硅單晶襯底項目

3 月 22 日,河北同光晶體有限公司年產(chǎn) 10 萬片碳化硅單晶襯底項目簽約淶源。項目主要生產(chǎn)直徑 4-6 英寸碳化硅單晶襯底。

河北同光晶體有限公司成立于 2012 年,位于保定市高新技術(shù)開發(fā)區(qū),主要從事第三代半導(dǎo)體材料碳化硅襯底的研發(fā)和生產(chǎn)。公司主要產(chǎn)品包括 4 英寸和 6 英寸導(dǎo)電型、半絕緣碳化硅襯底。

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    “芯思想semi-news”微信公眾號主筆。非211非985非半導(dǎo)體專業(yè)非電子專業(yè)畢業(yè),混跡半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)圈20余載,熟悉產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)情況,創(chuàng)辦過半導(dǎo)體專業(yè)網(wǎng)站,參與中國第一家IC設(shè)計專業(yè)孵化器的運營,擔(dān)任《全球半導(dǎo)體晶圓制造業(yè)版圖》一書主編,現(xiàn)供職于北京時代民芯科技有限公司發(fā)展計劃部。郵箱:zhao_vincent@126.com;微信號:門中馬/zhaoyuanchuang