芯耀
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耐威科技披露年報，為配合業(yè)務(wù)結(jié)構(gòu)的調(diào)整，公司名稱準(zhǔn)備變更為“賽微電子”。同時，業(yè)務(wù)分類也做了進一步調(diào)整，MEMS 業(yè)務(wù)收入比重連續(xù)幾年上升，目前已經(jīng)占據(jù)總營收的 74.54%。在第三代半導(dǎo)體 GaN 領(lǐng)域，公司 GaN 外延片實現(xiàn)銷售收入的零突破，已經(jīng)開發(fā)數(shù)款 GaN 功率器件產(chǎn)品并進入小批量試產(chǎn)。耐威科技已經(jīng)正式升級為集 MEMS、第三代半導(dǎo)體為一體的半導(dǎo)體公司。
剛剛，耐威科技（300456）發(fā)布 2019 年年度報告。
報告顯示，2019 年實現(xiàn)營業(yè)收入 7.18 億元，同比增長 0.77%；凈利潤 1.21 億元，同比增長 27.62%；扣非后凈利潤 6,692.61 萬元，較上年下降 18.60%。（非經(jīng)常損益主要來源于出售股子公司重慶航天新世紀(jì)公司 40.12%股權(quán)。）
同時，耐威科技也公布了年度分配預(yù)案，每 10 股派發(fā) 0.3 元現(xiàn)金紅利。
堅持年年分紅的高科技企業(yè)，在 A 股不常見，科技發(fā)展與股東利益，兩手都要抓，兩手都要硬。
——業(yè)務(wù)調(diào)整，戰(zhàn)略升級——
除此之外，耐威科技也公布，為配合公司業(yè)務(wù)結(jié)構(gòu)的調(diào)整，更加貼合公司經(jīng)營實際，公司擬對公司名稱、證券簡稱及經(jīng)營范圍進行變更，證券簡稱由“耐威科技”變更為“賽微電子”。
相應(yīng)的，在今年的年度報告中，因不同的業(yè)務(wù)收入及利潤貢獻結(jié)構(gòu)發(fā)生了較大變化，耐威科技也對公司行業(yè)分類做了重新劃分和調(diào)整。
由原來的 MEMS 行業(yè)、導(dǎo)航行業(yè)、航空電子行業(yè)、無人系統(tǒng)行業(yè)、智能制造行業(yè)、第三代半導(dǎo)體行業(yè)調(diào)整劃分為半導(dǎo)體行業(yè)（MEMS、GaN）、特種電子行業(yè)（導(dǎo)航、航空電子）。
公司名稱改變、業(yè)務(wù)分類調(diào)整，意味著耐威科技公司發(fā)展戰(zhàn)略的重大調(diào)整。
自 2016 年收購瑞典 Siles(賽萊克斯），正式大規(guī)模切入 MEMS 領(lǐng)域，此次耐威改名為“賽微電子”，估計跟賽萊克斯的“賽”也有很大關(guān)系。
——MEMS 已經(jīng)上升為核心業(yè)務(wù)——
耐威科技的 MEMS 業(yè)務(wù)包括工藝開發(fā)和晶圓制造兩大類。今年耐威科技的業(yè)績表明，MEMS 業(yè)務(wù)營收 5.35 億元，已經(jīng)占據(jù)總營收的 74.54%，其中 MEMS 晶圓制造占比 42.77%、MEMS 工藝開發(fā)占比 31.77%。
MEMS 業(yè)務(wù)經(jīng)營采用“工藝開發(fā)+代工生產(chǎn)”的模式?！肮に囬_發(fā)（NRE）”即根據(jù)客戶提供的芯片設(shè)計方案，利用工藝技術(shù)儲備及項目開發(fā)經(jīng)驗，進行產(chǎn)品制造工藝流程的開發(fā)，為客戶提供定制的產(chǎn)品制造流程；“代工生產(chǎn)（Production）”模式則是 MEMS 代工廠商在完成 MEMS 產(chǎn)品的工藝開發(fā)，實現(xiàn)產(chǎn)品設(shè)計固化、生產(chǎn)流程固化后，為客戶提供批量代工生產(chǎn)服務(wù)。
其中控股子公司 Silex 已經(jīng)成為全球第五大 MEMS 代工企業(yè)，純 MEMS 代工業(yè)務(wù)占全球第二位。
除了瑞典 MEMS 代工工廠，耐威科技在北京的 8 英寸 MEMS 晶圓廠建設(shè)也緊鑼密鼓進行中，目前廠房建設(shè)接近尾聲，主廠房及支持層區(qū)已接近完工，廠務(wù)系統(tǒng)已開始運轉(zhuǎn)調(diào)試并開始進行生產(chǎn)設(shè)備的搬入及安裝調(diào)試。8 英寸 MEMS 產(chǎn)線的一期規(guī)劃 1 萬片 / 月產(chǎn)能，預(yù)計將在 2020 年第三季度建成并投入使用。
耐威科技已經(jīng)成功轉(zhuǎn)型為半導(dǎo)體集成電路 MEMS 龍頭企業(yè)。
——第三代半導(dǎo)體（GaN）蓄勢待發(fā)——
耐威科技在 MEMS 領(lǐng)域的實力已經(jīng)證實。我們再來看一下耐威科技在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的進展情況：
根據(jù)年報披露，公司第三代半導(dǎo)體主要針對氮化鎵（GaN）材料，涵蓋 GaN 外延片和 GaN 器件設(shè)計（功率及微波器件）兩大領(lǐng)域。
GaN 外延片方面，以 6-8 英寸硅基氮化鎵（GaN-on-Si）、碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）兩種為主，主要由控股子公司聚能晶源負(fù)責(zé)，發(fā)布了 8 英寸硅基 GaN 外延晶圓與 6 英寸碳化硅基 GaN 外延晶圓，同時創(chuàng)造性地將自有先進 8 英寸 GaN 外延技術(shù)創(chuàng)新性地應(yīng)用在微波領(lǐng)域，開發(fā)出了兼具高性能與大尺寸、低成本、可兼容標(biāo)準(zhǔn) 8 英寸器件加工工藝的 8 英寸 AlGaN/GaN-on-HR Si 外延晶圓。
關(guān)于 GaN 外延片，不同的異質(zhì)外延介紹，請參見“科創(chuàng)之道”之前的文章，《第三代半導(dǎo)體投資分析》。
GaN 器件方面，由控股子公司聚能創(chuàng)芯負(fù)責(zé)，向通訊設(shè)備、數(shù)據(jù)中心、新型電源、智能家電等領(lǐng)域，已經(jīng)陸續(xù)研發(fā)、推出不同規(guī)格的功率器件產(chǎn)品及應(yīng)用方案，并同時推動微波器件產(chǎn)品的研發(fā)。
當(dāng)然，目前 GaN 業(yè)務(wù)還處于早期階段，并沒有給 2019 年業(yè)績帶來實質(zhì)性貢獻。
但根據(jù)年報披露，GaN 外延材料已經(jīng)實現(xiàn)銷售的零突破。
已建成第三代半導(dǎo)體外延材料制造項目（一期），掌握了業(yè)界領(lǐng)先的 8 英寸硅基 GaN 外延與 6 英寸碳化硅基 GaN 外延生長技術(shù)，積極展開與下游全球知名晶圓制造廠商、半導(dǎo)體設(shè)備廠商、器件設(shè)計公司以及高校、科研機構(gòu)等的合作并進行交互驗證。銷售了 60 余片，銷售金額為 45.06 萬元。
在 GaN 器件方面，公司已陸續(xù)研發(fā)、推出不同規(guī)格的功率器件產(chǎn)品及應(yīng)用方案，已推出數(shù)款 GaN 功率器件產(chǎn)品并進入小批量試產(chǎn)，與知名電源、家電及通訊企業(yè)展開合作，進行器件系統(tǒng)級驗證和測試，同時持續(xù)推動微波器件產(chǎn)品的研發(fā)。
注：GaN 是第三代半導(dǎo)體材料及器件的一個類別，因其禁帶寬度(Eg)大于或等于 2.3 電子伏特(eV)，又被成為寬禁帶半導(dǎo)體材料，與第一、二代半導(dǎo)體材料硅（Si）和砷化鎵（GaAs）相比，第三代半導(dǎo)體材料及器件具有高熱導(dǎo)率、高擊穿場強、高飽和電子速率等優(yōu)點，可以滿足現(xiàn)代電子技術(shù)對高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等惡劣條件的新要求。
