拓荊科技科創(chuàng)板IPO獲受理，募資10億元加碼高端半導體設備

近日，上交所正式受理了拓荊科技股份有限公司（以下簡稱：拓荊科技）科創(chuàng)板上市申請。

拓荊科技主要從事高端半導體專用設備的研發(fā)、生產、銷售和技術服務。公司聚焦的半導體薄膜沉積設備與光刻機、刻蝕機共同構成芯片制造三大主設備。

拓荊科技是國內唯一一家產業(yè)化應用的集成電路PECVD、SACVD設備廠商，以前后兩任董事長為核心的五名國家級海外高層次專家組建起一支國際化的技術團隊，形成了包括等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）設備、原子層沉積（ALD）設備和次常壓化學氣相沉積（SACVD）設備三個產品系列，已廣泛應用于國內晶圓廠14nm及以上制程集成電路制造產線，并已展開10nm及以下制程產品驗證測試。

拓荊科技產品已廣泛用于中芯國際、華虹集團、長江存儲、長鑫存儲、廈門聯(lián)芯、燕東微電子等國內主流晶圓廠產線，累計發(fā)貨超150套機臺。公司憑借長期技術研發(fā)和工藝積累，打破國際廠商對國內市場的壟斷，與國際寡頭直接競爭。報告期內，公司在研產品已發(fā)往某國際領先晶圓廠參與其先進制程工藝研發(fā)。

營收大幅增長，凈利潤持續(xù)虧損

2018年至2021年第一季度，拓荊科技實現(xiàn)營業(yè)收入分別為7,064.40 萬元、 25,125.15 萬元、43,562.77 萬元和 5,774.10 萬元；同期凈利潤分別為-10,322.29萬元、-1,936.64萬元、-1,169.99萬元及-1,058.92萬元，扣除非經常性損益后歸屬于母公司所有者的凈利潤分別為-14,993.05萬元、-6,246.63萬元、-5,711.62萬元和-2,400.90萬元。

拓荊科技表示，報告期內尚未實現(xiàn)盈利，主要由于半導體設備行業(yè)技術含量高，研發(fā)投入大，產品驗證周期長，公司持續(xù)進行了大量的研發(fā)投入。

報告期內，拓荊科技研發(fā)費用分別為10,797.31萬元、7,431.87萬元、12,278.18萬元和2,714.86萬元，占各期營業(yè)收入的比例為152.84%、29.58%、28.19%和47.02%。

拓荊科技指出，2018年度研發(fā)投入占營業(yè)收入比例超過100%系營業(yè)收入較小所致。

截至本招股說明書簽署日，拓荊科技已獲授權專利 167 項，其中 國內 150 項，包含發(fā)明專利 69 項、實用新型專利 80 項、外觀設計 1 項；其他國 家或地區(qū) 17 項，包含中國臺灣地區(qū)的發(fā)明專利 14 項和美國的發(fā)明專利 3 項；國內外和其他地區(qū)發(fā)明專利合計 86 項。

募資10億元，加碼高端半導體設備

拓荊科技本次募投項目主要是高端半導體設備擴產項目、先進半導體設備的技術研發(fā)與改進項目、ALD設備研發(fā)與產業(yè)化項目和補充流動資金。

高端半導體設備擴產項目將在公司現(xiàn)有的半導體薄膜設備研發(fā)和生產基地基礎上進行二期潔凈廠房建設、配套設施及生產自動化管理系統(tǒng)建設。二期潔凈廠房建設主要為千級潔凈廠房，設計規(guī)模為2,600平方米左右。

先進半導體設備的技術研發(fā)與改進項目研發(fā)內容主要包括面向28nm-10nm制程PECVD設備的多種工藝型號開發(fā)、面向10nm以下制程PECVD設備的平臺架構研發(fā)及UVCure系統(tǒng)設備研發(fā)。基于公司已研發(fā)的面向28nm-10nm制程的PECVD設備平臺架構，開展主要包括LokⅡ、ADCⅠ、HTACHM、高應力SiN及α-Si等不同薄膜材料的新工藝型號開發(fā)，形成先進工藝技術能力和量產能力；基于公司PECVD設備技術積累，開展應用于10nm以下技術節(jié)點的PECVD設備平臺架構研發(fā)，先行完成SiO2、SiN等薄膜材料的工藝型號開發(fā)；基于公司對薄膜沉積設備及多種薄膜材料工藝研發(fā)積累，開展沉積后輔助以紫外線處理的UVCure系統(tǒng)設備研發(fā)。通過在集成電路生產廠商進行生產線驗證，實現(xiàn)產品的產業(yè)化，進一步提升產品技術水平和拓展產品應用領域，推動公司業(yè)務規(guī)模的持續(xù)增長。

ALD設備研發(fā)與產業(yè)化項目擬在上海臨港新片區(qū)購置整體廠房，進行裝修改造，購置研發(fā)設備及生產設備，建設新的研發(fā)及生產環(huán)境，項目實施主體為公司全資子公司拓荊上海。項目建成后，將作為發(fā)行人ALD產品研發(fā)及產業(yè)化基地。項目擬通過開展系列技術研發(fā)，基于公司現(xiàn)有ALD設備技術基礎，開發(fā)面向28nm-10nm制程的ALD設備平臺架構，發(fā)展多種工藝機型，同步開發(fā)不同腔室數(shù)量的機臺型號，滿足邏輯芯片、存儲芯片制造不同的工藝需求，并進行規(guī)?；慨a。

關于未來的發(fā)展戰(zhàn)略，拓荊科技表示，公司自設立以來，以“建立世界領先的薄膜設備公司”為使命，專注于半導體薄膜沉積設備的研發(fā)、生產和銷售領域，通過多年科研攻關和市場驗證，在PECVD、ALD和SACVD設備領域推出了多款量產設備，為下游集成電路制造及泛半導體領域內的客戶提供了優(yōu)質的產品。公司未來將繼續(xù)致力于高端半導體設備的研發(fā)生產，擴大現(xiàn)有設備市場占有率，提高公司設備的技術先進性，豐富公司設備種類，拓展技術應用領域，開發(fā)中國臺灣市場。