國家第三代半導體技術(shù)創(chuàng)新中心（江蘇）發(fā)布首批揭榜掛帥項目

近日，國家第三代半導體技術(shù)創(chuàng)新中心（江蘇）在2021年（第十三屆）蘇州國際精英創(chuàng)業(yè)周上發(fā)布了8個首批揭榜掛帥項目。

江蘇省科技廳消息顯示，項目圍繞第三代半導體在功率電子、微波射頻、新型顯示等領(lǐng)域重大需求和前瞻應(yīng)用技術(shù)布局，涵蓋氮化物單晶材料、外延材料、金剛石材料三類核心材料，異質(zhì)集成、Micro-LED顯示技術(shù)、激光顯示技術(shù)、功率微波四大產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域和先進加工技術(shù)，以3億元資金池和500億元項目計劃總投資，吸引全球英才共同參與重大科研攻關(guān)，進一步激發(fā)創(chuàng)新活力，集聚智力資源攻克“卡脖子”技術(shù)難題，加快形成以企業(yè)為主導的科技資源統(tǒng)籌及科技攻關(guān)機制，引導推動科技成果產(chǎn)業(yè)化。

國家第三代半導體技術(shù)創(chuàng)新中心由江蘇省和深圳市聯(lián)合共建，2021年獲科技部正式批復(fù)。其中，江蘇平臺以位于蘇州工業(yè)園區(qū)的江蘇第三代半導體研究院為建設(shè)實施單位。