中芯成都代工,采用上海微光刻機(jī) SSA800/10W浸入式光刻機(jī)參數(shù):鏡頭NA:1.35 單次曝光分辨率:38-41nm 雙工件臺(tái):DWSi,產(chǎn)率在每小時(shí)200片晶圓 套刻精度:優(yōu)于2.5nm 設(shè)計(jì)指標(biāo):能夠在單次曝光條件下滿足28nm平面planner晶體管邏輯電路工藝需求。
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中芯成都代工,采用上海微光刻機(jī) SSA800/10W浸入式光刻機(jī)參數(shù):鏡頭NA:1.35 單次曝光分辨率:38-41nm 雙工件臺(tái):DWSi,產(chǎn)率在每小時(shí)200片晶圓 套刻精度:優(yōu)于2.5nm 設(shè)計(jì)指標(biāo):能夠在單次曝光條件下滿足28nm平面planner晶體管邏輯電路工藝需求。