MAP1202解決方案憑啥成為PCIe Gen3扛鼎之作

MAP1202主控芯片是全球唯一一款在PCIe Gen3技術(shù)節(jié)點(diǎn)上采用全球最領(lǐng)先的22nm工藝技術(shù)設(shè)計(jì)（友商均采用28nm工藝技術(shù)），做到性能功耗比行業(yè)極致而成為行業(yè)標(biāo)桿。搭載MAP1202主控芯片的SSD解決方案的規(guī)模商用，以其三高一低“高性能、高穩(wěn)定、高安全、低功耗”的卓越品質(zhì)，為PCIe3.0定格正身。

為了更好的探尋MAP1202解決方案市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，我們以近期發(fā)布的搭載MAP1202的長(zhǎng)江存儲(chǔ)致態(tài)TiPlus5000產(chǎn)品為例，邀請(qǐng)第三方媒體評(píng)測(cè)機(jī)構(gòu)將MAP1202+YMTC第三代3D NAND的PCIe Gen3解決方案與一款PCIe Gen4的SSD解決方案進(jìn)行對(duì)比，看看在PCIe Gen3接口的CPU平臺(tái)上的表現(xiàn)，是否可以稱(chēng)得上PCIe Gen3扛鼎之作。

1.方案選擇
方案一：MAP1202（PCIe Gen3）主控芯片（22nm）+ 長(zhǎng)江存儲(chǔ)Xtacking架構(gòu)第三代3D NAND閃存顆粒SSD解決方案（1TB）

方案二：業(yè)內(nèi)某款PCIe Gen4主控芯片（28nm） + 某款112層3D NAND SSD解決方案(1TB)

2.測(cè)試平臺(tái)配置
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3.對(duì)比一：Crystal Disk Mark工具實(shí)測(cè)

MAP1202+YMTC 第三代3D NAND ? ? ? ?業(yè)內(nèi)某款Gen4主控芯片+某款112層3D NAND。

采用 Crystal Disk Mark工具對(duì)兩款SSD在相同的測(cè)試環(huán)境下進(jìn)行測(cè)試(PCIe Gen3 CPU平臺(tái))， MAP1202搭配長(zhǎng)江存儲(chǔ)第三代3D NAND無(wú)論是最高的順序讀寫(xiě)與隨機(jī)讀寫(xiě)均高于對(duì)比測(cè)試的某款PCIe Gen4的解決方案。

4.對(duì)比二：AS SSD Benchmark工具實(shí)測(cè)

MAP1202+YMTC 第三代3D NAND ? ? ? ?業(yè)內(nèi)某款Gen4主控芯片+112層3D NAND

為了反映產(chǎn)品在性能方面的多維度，采用業(yè)界另外一種流行的SSD性能評(píng)測(cè)工具AS SSD Benchmark對(duì)兩款SSD在相同的測(cè)試環(huán)境下進(jìn)行測(cè)試(PCIe Gen3 CPU平臺(tái))，MAP1202搭配長(zhǎng)江存儲(chǔ)第三代3D NAND綜合性能指標(biāo)與業(yè)內(nèi)某款PCIe Gen4的解決方案水平幾乎一致，其中在寫(xiě)入的響應(yīng)時(shí)間上更短。

5.對(duì)比三：ATTO工具實(shí)測(cè)

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MAP1202+YMTC 第三代3D NAND ? ? ? ? 業(yè)內(nèi)某款Gen4主控芯片+112層3D NAND

從ATTO Disk Benchmarks工具實(shí)測(cè)結(jié)果來(lái)看，0.5K~64MB 區(qū)間MAP1202解決方案整個(gè)寫(xiě)入性能維持在3.0GB/s的水平，而對(duì)比的業(yè)內(nèi)某款PCIe Gen4 SSD解決方案寫(xiě)入性能維持在2.0GB/s。同樣可以看到MAP1202搭配長(zhǎng)江存儲(chǔ)第三代3D NAND綜合性能指標(biāo)優(yōu)于對(duì)比測(cè)試的某款業(yè)內(nèi)PCIe Gen4 SSD的解決方案。

6.對(duì)比四：PCMark10存儲(chǔ)實(shí)測(cè)

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MAP1202+YMTC 第三代3D NAND ? ? ? ? 業(yè)內(nèi)某款Gen4主控芯片+112層3D NAND
PCMark10 存儲(chǔ)測(cè)試是一個(gè)持續(xù)時(shí)間接近1小時(shí)的讀寫(xiě)測(cè)試，會(huì)用更重的負(fù)載，更大的讀寫(xiě)量來(lái)測(cè)試硬盤(pán)的性能。MAP1202搭配長(zhǎng)江存儲(chǔ)第三代3D NAND SSD解決方案從跑分、帶寬以及平均存取時(shí)間都略高于業(yè)內(nèi)某款PCIe Gen4 SSD解決方案。

7.對(duì)比四：功耗對(duì)比實(shí)測(cè)

在測(cè)試到硬盤(pán)最高性能的同時(shí)記錄硬盤(pán)的功耗表現(xiàn)，從上表中可以看到MAP1202搭配長(zhǎng)江存儲(chǔ)第三代3D NAND SSD解決方案在最高順序?qū)懭胄阅苓h(yuǎn)高出某款業(yè)內(nèi)PCIe Gen4 SSD解決方案情況下，兩者功耗表現(xiàn)幾乎一致。

接著針對(duì)低功耗進(jìn)行測(cè)試結(jié)果也令人驚訝，MAP1202搭配長(zhǎng)江存儲(chǔ)第三代3D NAND SSD解決方案相比某款業(yè)內(nèi)PCIe Gen4 SSD解決方案更加省電,功耗更低。

基于目前評(píng)測(cè)情況，對(duì)該款對(duì)比測(cè)試的業(yè)內(nèi)某款PCIe Gen4 SSD解決方案在PCIe Gen4 CPU平臺(tái)上進(jìn)行實(shí)測(cè)，表現(xiàn)如下，性能也非常低。

總結(jié)：
聯(lián)蕓科技推出的MAP1202搭配長(zhǎng)江存儲(chǔ)第三代3D NAND的PCIe Gen3 SSD該解決方案與某款采用業(yè)內(nèi)主控芯片廠商推出的入門(mén)級(jí)PCIe Gen4 SSD解決方案，在相同的測(cè)試環(huán)境下（CPU平臺(tái)選擇PCIe Gen3接口）中對(duì)比實(shí)測(cè)來(lái)看，MAP1202搭配長(zhǎng)江存儲(chǔ)第三代NAND的解決方案得益于Xtacking架構(gòu)優(yōu)秀的閃存性能和22納米控制器能力，實(shí)測(cè)性能指標(biāo)及功耗表現(xiàn)更為優(yōu)異。而該款入門(mén)級(jí)PCIe Gen4的SSD解決方案，在PCIe Gen4測(cè)試環(huán)境下（CPU平臺(tái)選擇PCIe Gen4接口），性能同樣表現(xiàn)一般。

從多方面測(cè)試對(duì)比來(lái)看，可得到如下幾個(gè)結(jié)論：

1、PCIe Gen4降維替代PCIe Gen3 在性能、功耗、成本沒(méi)有明顯優(yōu)勢(shì)；

2、28nm工藝技術(shù)不能應(yīng)用于PCIe Gen4 SSD主控芯片設(shè)計(jì)和量產(chǎn)，存在高功耗、低性能缺點(diǎn)；

3、成熟的4通道PCIe Gen4 SSD主控芯片必須采用12nm高工藝技術(shù)制程，NAND IO速度要達(dá)到2400MT/s才能真正獲得PCIe Gen4 SSD極速性能。
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