當(dāng)下,數(shù)字化正在重塑我們的世界,各類創(chuàng)新技術(shù)的快速推進(jìn)導(dǎo)致了數(shù)據(jù)量的暴增。在邊緣計(jì)算、人工智能等先進(jìn)技術(shù)乃至當(dāng)下火熱的元宇宙話題背后,都需要滿足一個共同的基礎(chǔ),那就是對海量數(shù)據(jù)的計(jì)算和處理能力。因此,存儲需要具備更大的容量、更穩(wěn)定的性能,以滿足不同應(yīng)用的高要求。
話不多說,一起來看看最新的存儲市場走向和行業(yè)資訊!
三星電子推出業(yè)界首款512GB CXL內(nèi)存,助力人工智能(AI)和大數(shù)據(jù)應(yīng)用。新開發(fā)的CXL內(nèi)存的內(nèi)存容量是以前版本的4倍,使服務(wù)器能夠擴(kuò)展到10TB等級,而系統(tǒng)延遲則降至五分之一。
SK海力士在中國東北遼寧省大連市新建晶圓廠,收購英特爾在該地區(qū)的資產(chǎn)后,進(jìn)一步擴(kuò)大了在華業(yè)務(wù)。 5月16日, SK 海力士中國總裁在新晶圓廠開工儀式的媒體報道中表示,新晶圓廠將提升大連工廠自身的產(chǎn)業(yè)競爭力,還有助于保障中國市場供應(yīng)鏈穩(wěn)定。
5月12日,美光周四宣布推出業(yè)界首款具有 232 層的 3D NAND 存儲器,原始容量為1TB (128GB)。5月25日,美光宣布計(jì)劃明年在中國臺灣開始批量生產(chǎn)其1β納米DRAM制程,并計(jì)劃今年晚些時候在其臺中工廠安裝極紫外(EUV)光刻工具。該首席執(zhí)行官表示,該公司正在為其1γ 納米 DRAM制程的批量生產(chǎn)做前期準(zhǔn)備。
西部數(shù)據(jù)宣布與鎧俠聯(lián)合開發(fā)的162層NAND Flash,為第六代BiCS NAND Flash (BiCS6)。西部數(shù)據(jù)與鎧俠的 162 層 NAND 閃存將達(dá)到競爭對手 176 層的容量。西部數(shù)據(jù)與鎧俠還公布了未來的研發(fā)計(jì)劃,2024年BiCS+的層數(shù)超過200層,如果一切按計(jì)劃進(jìn)行,2032年應(yīng)該會有500層的閃存問世。
2021 – 2022年全球SSD出貨量
■ 全球SSD出貨量: 實(shí)際出貨量在2Q22年第一季度略有下降,但預(yù)計(jì)將在3Q22恢復(fù)。
2021-2022年閃存供需和價格走勢
■ 滿足率:第二季度出現(xiàn)短缺將結(jié)束,預(yù)計(jì)于7月恢復(fù)平衡。
■ 價格走勢:SSD價格預(yù)計(jì)持平。
2021-2022年全球內(nèi)存產(chǎn)量
■ 全球內(nèi)存產(chǎn)量:全球產(chǎn)量持續(xù)增長。
2021-2022年DDR4內(nèi)存供需和價格走勢
■ 內(nèi)存滿足率:全球需求趨緩,預(yù)計(jì)到2022年底都將略微供過于求。
■ 價格走勢:合約價預(yù)計(jì)保持穩(wěn)定。
供給與價格趨勢分析