光刻膠｜JSR、SK海力士聯(lián)合研制DRAM EUV光刻膠

CINNO Research產(chǎn)業(yè)資訊，SK海力士繼美國Lam Research之后，將與日本JSR在下一代DRAM領(lǐng)域展開合作。這是確保內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)先地位的一個維度。

近日，JSR宣布旗下子公司Inpria和SK海力士為了實現(xiàn)EUV用金屬氧化物PR的應(yīng)用，開展聯(lián)合研究

Inpria 是一家公關(guān)公司，成立于 2007 年，是從俄勒岡州立大學(xué)化學(xué)研究中心分拆出來的。在 2017 年收購 21% 的股份后，JSR 去年獲得了 79% 的股份，從而收購了 Inpria。

自2007年成立以來，Inpria一直致力于開發(fā)基于金屬的EUV光刻膠。其主要產(chǎn)品主要由氧化錫組成，使用EUV曝光系統(tǒng)實現(xiàn)了世界上最高分辨率。此外，金屬基光刻膠在干蝕刻過程中的圖案轉(zhuǎn)移性能方面優(yōu)于傳統(tǒng)光刻膠，非常適合半導(dǎo)體量產(chǎn)工藝。

PR是一種用于半導(dǎo)體曝光工藝的材料。當 PR被施加到晶圓上并暴露在光掩模上所描繪的光線下時，就會雕刻出電路圖案。這個過程就是曝光。

Inpria 的 PR 是一種基于金屬氧化物的無機材料?，F(xiàn)有的有機PR是通過化學(xué)物質(zhì)與光發(fā)生反應(yīng)來雕刻圖案，而無機PR是錫系金屬顆粒與光接觸形成電路。在一個簡單的比較中，液體和固體本質(zhì)上更堅硬。

因此，無機 PR 的光吸收率是有機 PR 的 4 倍。如果光吸收好，則有利于雕刻微電路圖案。因此，被評價為適用于下一代曝光技術(shù)EUV。

然而，它尚未用于存儲器制造過程。如果SK海力士通過與Inpria的合作將其商業(yè)化，這是存儲器行業(yè)的首例。

JSR 解釋說：“將金屬氧化物 PR 用于 EUV，我們可以有效地圖案化先進的節(jié)點器件架構(gòu)。Inpria 材料解決方案將降低 EUV 圖案化成本。”

SK海力士表示，“EUV很復(fù)雜，需要先進的材料。氧化錫PR將為下一代DRAM提供性能和低成本。”

此前，Lam Research 宣布將為 SK Hynix 提供干式 PR 底層和干式顯影工藝設(shè)備。該產(chǎn)品由 Lam Research、荷蘭 ASML 和比利時 iMac 聯(lián)合制造。

他們開發(fā)的設(shè)備在通過沉積過程形成 PR 層中發(fā)揮作用。這里使用的材料是無機PR。

據(jù) Lam Research 稱，由于它使用的原材料比濕法少 5 到 10 倍，并且可以減少照射的光量，因此很容易降低成本。過去是旋涂法，在旋轉(zhuǎn)晶片的同時用設(shè)備滴下有機材料PR，因此在應(yīng)用過程中存在浪費的部分。

此外，EUV工藝分辨率有望提高。分辨率是一個數(shù)字，表示鏡頭或感光材料能夠描繪的細節(jié)程度。如果增加分辨率，則有利于實現(xiàn)精細圖案。

與此同時，SK海力士宣布其在業(yè)界首次成功開發(fā)出238層NAND閃存。它正在向客戶提供 238 層 512 Gb (Gb) 三級單元 (TLC) 四維 (4D) NAND 樣品。預(yù)計明年上半年量產(chǎn)。