IGBT模塊

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）模塊是一種與MOSFET類似的功率電子器件，主要用于控制和放大電力。它具有低開關損耗、高開關速度和高輸入阻抗等優(yōu)點，可用于直流至交流轉換器、逆變器、PWM（Pulse Width Modulation）控制以及電機驅動等應用領域。

1.什么是IGBT模塊

IGBT模塊是由IGBT芯片、驅動電路、保護電路、散熱結構等組成的集成模塊化器件。IGBT芯片本質上是一個雙極晶體管和一個場效應晶體管的復合器件，在工作時既有MOSFET的優(yōu)點，又有雙極晶體管的開關能力和飽和壓降小的優(yōu)點。

2.IGBT模塊工作原理

對于NPT-IGBT（Non-Punch Through IGBT）模塊，當VGE（Gate-Emitter Voltage）大于門極閾值電壓時，導通區(qū)會形成一條溝道，使得漂移區(qū)中電子濃度減小，進而導致P區(qū)殼中陽極電子擴散區(qū)的電荷密度增加，PN結反向偏壓也會增大，導通區(qū)域會通過MOSFET漂移區(qū)引起P-N結管中的導通。

3.IGBT模塊應用

IGBT模塊廣泛應用于各種領域，如變頻空調、電動汽車、UPS（Uninterrupted Power Supply）系統(tǒng)、太陽能發(fā)電等。在這些應用中，IGBT模塊起到了關鍵的功率轉換和控制作用，提高了系統(tǒng)的穩(wěn)定性、可靠性和效率。