MRFE6VP61K25H, MRFE6VP61K25HS, MRFE6VP61K25GS 1.8-600 MHz, 1250 W CW, 50 V Wideband RF Power LDMOS Transistors - Data Sheet

2023/04/25 作者：恩智浦

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MRFE6VP61K25H, MRFE6VP61K25HS, MRFE6VP61K25GS 1.8-600 MHz, 1250 W CW, 50 V Wideband RF Power LDMOS Transistors - Data Sheet

MRFE6VP61K25H, MRFE6VP61K25HS, and MRFE6VP61K25GS are high ruggedness devices and are designed for use in high VSWR industrial (including laser and plasma exciters), broadcast (analog and digital

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恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年，其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部，總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達(dá)克上市。恩智浦2010年在美國納斯達(dá)克上市。恩智浦半導(dǎo)體致力于打造全球化解決方案，實現(xiàn)智慧生活，安全連結(jié)。