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AFT09MS031NR1 寬帶射頻功率LDMOS晶體管-數據手冊

2023/04/25
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AFT09MS031NR1 寬帶射頻功率LDMOS晶體管-數據手冊

AFT09MS031N和AFT09MS031GN是專為頻率從764到941 MHz的移動雙向無線電應用設計的。這些器件具有高增益、耐用性和寬帶性能，非常適合在移動無線電設備中作為大信號、共源放大器應用的理想選擇。

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器件型號 數量 器件廠商 器件描述 數據手冊 ECAD模型 風險等級 參考價格 更多信息
CRCW1206120RFKEAC 1 Vishay Intertechnologies Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.25W, 120ohm, 200V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 1206, CHIP

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BSS84-TP 1 Micro Commercial Components Small Signal Field-Effect Transistor,
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CRCW080515R0FKEAHP 1 Vishay Intertechnologies Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.5W, 15ohm, 150V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 0805, CHIP, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT

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恩智浦

恩智浦

恩智浦半導體創(chuàng)立于2006年，其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導體事業(yè)部，總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦半導體致力于打造全球化解決方案，實現智慧生活，安全連結。

恩智浦半導體創(chuàng)立于2006年，其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導體事業(yè)部，總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦半導體致力于打造全球化解決方案，實現智慧生活，安全連結。收起

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