RF功率LDMOS晶體管、高耐用性N型增強模式側(cè)向MOSFET,這些高耐用性器件設(shè)計用于高VSWR的工業(yè)、醫(yī)療、廣播、航空航天和移動無線電應(yīng)用。其無與倫比的輸入和輸出設(shè)計使其能夠在1.8至600 MHz的寬頻率范圍內(nèi)使用。
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MRFE6VP6600N 1.8-600 MHz RF功率數(shù)據(jù)手冊
RF功率LDMOS晶體管、高耐用性N型增強模式側(cè)向MOSFET,這些高耐用性器件設(shè)計用于高VSWR的工業(yè)、醫(yī)療、廣播、航空航天和移動無線電應(yīng)用。其無與倫比的輸入和輸出設(shè)計使其能夠在1.8至600 MHz的寬頻率范圍內(nèi)使用。
特點
器件型號 | 數(shù)量 | 器件廠商 | 器件描述 | 數(shù)據(jù)手冊 | ECAD模型 | 風(fēng)險等級 | 參考價格 | 更多信息 |
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C5750X7R2A475M230KA | 1 | TDK Corporation | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 100V, 20% +Tol, 20% -Tol, X7R, 15% TC, 4.7uF, Surface Mount, 2220, CHIP, HALOGEN FREE, ROHS AND REACH COMPLIANT |
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$2.33 | 查看 | |
MMBT2222A | 1 | Texas Instruments | 1000mA, 40V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
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$0.06 | 查看 | |
BSS123L | 1 | Freescale Semiconductor | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,100V V(BR)DSS,170MA I(D),SOT-23 |
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$0.12 | 查看 |
恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年,其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部,總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦半導(dǎo)體致力于打造全球化解決方案,實現(xiàn)智慧生活,安全連結(jié)。
恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年,其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部,總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦半導(dǎo)體致力于打造全球化解決方案,實現(xiàn)智慧生活,安全連結(jié)。收起
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