半導(dǎo)體封測

• 氧化物濕法刻蝕原理

  氧化物濕法刻蝕是一種在半導(dǎo)體制造和微納加工領(lǐng)域中用于去除硅片上的氧化層（如二氧化硅SiO2）的關(guān)鍵技術(shù)。很顯然這個簡單的介紹不足以讓大家明白， 下面我們就完整仔細(xì)的來給大家講講這個相關(guān)原理吧！化學(xué)反應(yīng)原理：氧化物濕法刻蝕主要利用化學(xué)溶液與二氧化硅之間的化學(xué)反應(yīng)來實現(xiàn)刻蝕。最常用的刻蝕劑是氫氟酸（HF）或其水溶液，因為氫氟酸能夠與二氧化硅反應(yīng)生成可溶于水的六氟硅酸（H2SiF6）。具體的化學(xué)反應(yīng)方程

  蘇州芯矽電子科技有限公司

  1837

  2024/12/31

  半導(dǎo)體 半導(dǎo)體封測

  
• 超14億！國內(nèi)3個SiC項目簽約/奠基/通線

  近日，國內(nèi)3個第三代半導(dǎo)體封測項目宣布簽約/奠基/通線：●?尊陽電子：第三代功率半導(dǎo)體集成電路封裝項目成功奠基，總投資近13億；●?安建半導(dǎo)體：功率半導(dǎo)體模塊封裝項目簽約落戶浙江，總投資1億元；●?芯長征：封測產(chǎn)線正式通線，涉及第三代半導(dǎo)體芯片及模組系列。

  行家說三代半

  1982

  2024/05/29

  SiC 第三代半導(dǎo)體

  

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