存儲(chǔ)技術(shù)

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當(dāng)前的磁帶機(jī)(庫(kù))支持的備份技術(shù)主要有DAT、8mm、DLT、LTO、AIT及VXA等。存儲(chǔ)容量是指在數(shù)據(jù)未被壓縮前磁帶機(jī)所能存儲(chǔ)的最大數(shù)據(jù)量。這個(gè)數(shù)值取決于兩個(gè)因素,一是單盒磁帶的存儲(chǔ)容量,二是磁帶機(jī)所能容納的磁帶數(shù)目。由于磁帶機(jī)采用多種不同的備份技術(shù)所以存儲(chǔ)容量也不一致。

當(dāng)前的磁帶機(jī)(庫(kù))支持的備份技術(shù)主要有DAT、8mm、DLT、LTO、AIT及VXA等。存儲(chǔ)容量是指在數(shù)據(jù)未被壓縮前磁帶機(jī)所能存儲(chǔ)的最大數(shù)據(jù)量。這個(gè)數(shù)值取決于兩個(gè)因素,一是單盒磁帶的存儲(chǔ)容量,二是磁帶機(jī)所能容納的磁帶數(shù)目。由于磁帶機(jī)采用多種不同的備份技術(shù)所以存儲(chǔ)容量也不一致。收起

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  • 產(chǎn)業(yè)丨CoP技術(shù)遇困境,三星將使用長(zhǎng)江存儲(chǔ)專利技術(shù)
    對(duì)于長(zhǎng)江存儲(chǔ)而言,此次向三星等頂尖存儲(chǔ)技術(shù)企業(yè)授予專利許可,標(biāo)志著中國(guó)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)歷史上的一個(gè)里程碑。深入分析此次合作的背景,可以發(fā)現(xiàn)這并非僅僅是[巨頭的屈服],而是一次對(duì)技術(shù)定義權(quán)進(jìn)行重新分配的重要變革。
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  • 存儲(chǔ)原廠連發(fā)漲價(jià)函,市場(chǎng)行情真相如何?
    近日,繼閃迪(SanDisk)日前發(fā)函通知4月1日將調(diào)漲10%報(bào)價(jià),長(zhǎng)存零售品牌致態(tài)也傳出將于4月起面向渠道上調(diào)提貨價(jià)格,幅度或?qū)⒊^(guò)10%。此外,據(jù)臺(tái)灣電子時(shí)報(bào),市場(chǎng)透露,美光、三星電子、SK海力士均將從4月起提高報(bào)價(jià)。
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  • 得瑞領(lǐng)新邀您共赴CFMS|MemoryS 2025峰會(huì):以創(chuàng)新重塑存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)價(jià)值新未來(lái)
    全球存儲(chǔ)市場(chǎng)正處于關(guān)鍵轉(zhuǎn)折點(diǎn),AI浪潮驅(qū)動(dòng)下的技術(shù)革新與需求迭代,正推動(dòng)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)從規(guī)模擴(kuò)張向價(jià)值創(chuàng)造躍遷。3月12日,北京得瑞領(lǐng)新科技有限公司(DERA)作為企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)解決方案的領(lǐng)軍者,將攜全系列高性能存儲(chǔ)產(chǎn)品亮相CFMS|MemoryS 2025峰會(huì),與全球行業(yè)領(lǐng)袖共探"存儲(chǔ)格局、價(jià)值重塑"主題,以技術(shù)創(chuàng)新賦能產(chǎn)業(yè)鏈升級(jí),共繪存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)新未來(lái)。 挑戰(zhàn)與機(jī)遇并存:存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)亟待價(jià)值重構(gòu) 近年來(lái),消費(fèi)電
  • 一文了解存儲(chǔ)芯片原理與先進(jìn)存儲(chǔ)技術(shù)
    高性能計(jì)算(High Performance Computing, HPC)以超高的計(jì)算性能廣泛應(yīng)用于國(guó)民經(jīng)濟(jì)的各個(gè)領(lǐng)域,不僅用于氣候模擬、石油勘探等傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè),在生命科學(xué)、大數(shù)據(jù)等領(lǐng)域成為研究和解決挑戰(zhàn)性問(wèn)題的重要工具。
  • 中韓存儲(chǔ)技術(shù)差距縮至3年
    長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)科技(CXMT)已采用 16 納米技術(shù)量產(chǎn) DDR5 DRAM。據(jù)業(yè)界1月26日?qǐng)?bào)道,半導(dǎo)體市場(chǎng)研究公司TechInsights近日?qǐng)?bào)道稱,“中國(guó)分銷市場(chǎng)發(fā)布的32GB DDR5 DRAM模組由長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的16Gb(千兆位)DDR5 DRAM組成”,而“長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)最新的16?采用了‘G4’ DRAM 技術(shù)”。?TechInsights 獲取并分析了上個(gè)月上市的中國(guó) DDR5 DRAM模組。DDR5 DRAM 的容量更大,傳輸速度大約是其前身 DDR4 的兩倍。
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  • 攜手共進(jìn),江波龍與電子五所在中山展開(kāi)深度交流
    近日,半導(dǎo)體存儲(chǔ)品牌企業(yè)江波龍與工業(yè)和信息化部電子第五研究所(中國(guó)賽寶實(shí)驗(yàn)室,以下簡(jiǎn)稱“電子五所”)在江波龍中山存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)園展開(kāi)了深度交流。 江波龍?jiān)诠I(yè)和汽車存儲(chǔ)領(lǐng)域深耕多年,積累了豐富的市場(chǎng)經(jīng)驗(yàn)和深厚的技術(shù)實(shí)力,其在存儲(chǔ)技術(shù)與產(chǎn)品測(cè)試方面的創(chuàng)新成果已廣泛應(yīng)用于多個(gè)行業(yè)。電子五所作為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的質(zhì)量可靠性共性技術(shù)服務(wù)平臺(tái),一直是江波龍?jiān)谧非笞吭劫|(zhì)量道路上的重要合作伙伴。雙方強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合,在存儲(chǔ)質(zhì)量技術(shù)的
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  • 從富士通到RAMXEED,以全新一代FeRAM迎接邊緣智能高可靠性無(wú)延遲數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求
    在人工智能大型模型和邊緣智能領(lǐng)域的算力需求激增的推動(dòng)下,市場(chǎng)對(duì)于高性能存儲(chǔ)解決方案的需求也在不斷增加。據(jù)此預(yù)測(cè),2024年全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)的銷售額有望增長(zhǎng)61.3%,達(dá)到1500億美元。為了降低云和邊緣的功耗,兼具高性能和非易失性的新型存儲(chǔ)器正迎來(lái)市場(chǎng)快速增長(zhǎng)的發(fā)展大時(shí)代,如鐵電存儲(chǔ)器FeRAM和ReRAM,以及磁性存儲(chǔ)器MRAM、阻變式存儲(chǔ)器ReRAM等。 2020-2024年全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)規(guī)模及
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  • AI時(shí)代,存儲(chǔ)技術(shù)創(chuàng)新如何驅(qū)動(dòng)數(shù)據(jù)中心、PC、自動(dòng)駕駛新需求?
    美光副總裁暨客戶端存儲(chǔ)事業(yè)部總經(jīng)理Prasad Alluri 近年來(lái),AI技術(shù)的迅速發(fā)展加速了存儲(chǔ)技術(shù)的創(chuàng)新與迭代,從智能手機(jī)的AI應(yīng)用到汽車自動(dòng)駕駛、數(shù)據(jù)中心,存儲(chǔ)技術(shù)的進(jìn)步正成為推動(dòng)AI應(yīng)用創(chuàng)新的關(guān)鍵力量。 在日前舉行的GMIF (Global Memory Industry Forum)2024峰會(huì)期間,美光副總裁暨客戶端存儲(chǔ)事業(yè)部總經(jīng)理Prasad Alluri接受了與非網(wǎng)記者的采訪。美光
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  • 北京航空航天大學(xué)副校長(zhǎng)趙巍勝:MRAM最新進(jìn)展及未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)
    近日,北京航空航天大學(xué)黨委常委、副校長(zhǎng)趙巍勝,分享了MRAM最新進(jìn)展及未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)。MRAM的前身是磁存儲(chǔ),其是人工智能時(shí)代的根技術(shù),如今數(shù)據(jù)中心中有70%以上的數(shù)據(jù)依舊保存其中。十年前就有不少專家認(rèn)為未來(lái)磁存儲(chǔ)將被SSD完全取代,然而十年后,磁存儲(chǔ)依舊是最重要的存儲(chǔ)技術(shù)。
    北京航空航天大學(xué)副校長(zhǎng)趙巍勝:MRAM最新進(jìn)展及未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)
  • 江波龍巴西生產(chǎn)線啟動(dòng),其子公司發(fā)布8.59億投資計(jì)劃
    7月1日,深圳市江波龍電子股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“江波龍”)宣布其巴西子公司Zilia(智憶巴西)已經(jīng)開(kāi)始封裝生產(chǎn)江波龍存儲(chǔ)產(chǎn)線。這一成功導(dǎo)入標(biāo)志著江波龍海外并購(gòu)服務(wù)和技術(shù)賦能的正式落地,為江波龍向高端、品牌、海外發(fā)展提供存儲(chǔ)制造競(jìng)爭(zhēng)力。
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  • 全球三大存儲(chǔ)廠“你追我趕”
    6月28日,美光科技宣布,公司成功收購(gòu)力成西安資產(chǎn)。此次收購(gòu)?fù)瓿捎欣诩訌?qiáng)美光科技封裝測(cè)試產(chǎn)能布局。去年6月,美光宣布在西安的封裝測(cè)試工廠投資逾43億元人民幣,其中包括加建一座新廠房,引入全新產(chǎn)線,制造更廣泛的產(chǎn)品解決方案,包括但不限于移動(dòng)DRAM、NAND及SSD,從而拓展西安工廠現(xiàn)有的DRAM封裝和測(cè)試能力。
    全球三大存儲(chǔ)廠“你追我趕”
  • 存儲(chǔ)技術(shù)變革: 華邦力推CUBE,如何賦能邊緣AI?
    前言:隨著AI技術(shù)的發(fā)展,存儲(chǔ)行業(yè)面臨的挑戰(zhàn)和機(jī)遇也在增加。AI的興起推動(dòng)了對(duì)高帶寬存儲(chǔ)器的需求,而傳統(tǒng)的存儲(chǔ)解決方案無(wú)法滿足這一需求。HBM作為一種高帶寬存儲(chǔ)器,打破了傳統(tǒng)存儲(chǔ)的瓶頸,為AI芯片提供了理想的解決方案。華邦通過(guò)創(chuàng)新產(chǎn)品和技術(shù),積極應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn),推動(dòng)行業(yè)技術(shù)進(jìn)步。 HBM是一種用于GPU、服務(wù)器、高性能計(jì)算和網(wǎng)絡(luò)連接的3D堆疊DRAM存儲(chǔ)器。它旨在提供更高的帶寬和更低的功耗,與GDD
    存儲(chǔ)技術(shù)變革: 華邦力推CUBE,如何賦能邊緣AI?
  • 揭開(kāi)AI幕后存儲(chǔ)技術(shù)——HBM、GDDR...
    人工智能AI吹起新一輪科技革命浪潮,衍生出諸多新興應(yīng)用,龐大的需求驅(qū)動(dòng)存儲(chǔ)技術(shù)更迭。隨著AI模型和數(shù)據(jù)集不斷擴(kuò)大,高效、高性能的存儲(chǔ)顯得愈發(fā)關(guān)鍵,符合AI模型需求的DDR、GDDR、HBM技術(shù)從幕后走向臺(tái)前,并隨著AI發(fā)展而不斷推陳出新。
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  • 無(wú)處不在的鎧俠存儲(chǔ)
    高性能存儲(chǔ)最遠(yuǎn)可以出現(xiàn)在什么地方?對(duì)于鎧俠而言,從遙遠(yuǎn)的太空,到身邊的手機(jī)、家電,幾乎所有智能化設(shè)備與存儲(chǔ)息息相關(guān),特別隨著各行各業(yè)對(duì)存儲(chǔ)需求不斷增多,存儲(chǔ)容量和性能變得更為重要。 例如,在過(guò)去很長(zhǎng)一段時(shí)間中,人類在太空收集的數(shù)據(jù)需要帶回地球、錄入計(jì)算機(jī)后才能處理。沒(méi)有了大氣層的保護(hù),太空對(duì)人類和機(jī)器都非常不友好,需要隨時(shí)對(duì)抗宇宙輻射,對(duì)抗帶電的亞原子粒子對(duì)電子設(shè)備造成的干擾,對(duì)抗突如其來(lái)的各種設(shè)
    無(wú)處不在的鎧俠存儲(chǔ)
  • 2024年,存儲(chǔ)新技術(shù)DDR、HBM等大放異彩!
    邁過(guò)2023年的經(jīng)濟(jì)逆風(fēng)行業(yè)下行周期,2024年存儲(chǔ)市場(chǎng)起勢(shì),存儲(chǔ)芯片價(jià)格上漲。為了適配近兩年人工智能熱浪需求,存儲(chǔ)新技術(shù)革新步伐加速,DDR、LPDDR、GDDR新技術(shù)在2024年迎來(lái)放量周期;HBM加速邁進(jìn),HBM3/HBM3e持續(xù)突破,有望帶動(dòng)存儲(chǔ)市場(chǎng)迸發(fā)新的活力。
    2024年,存儲(chǔ)新技術(shù)DDR、HBM等大放異彩!
  • 價(jià)格暴漲500%,HBM市場(chǎng)徹底被引爆
    內(nèi)存技術(shù)作為計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的核心組成部分,其性能的提升對(duì)于整體計(jì)算能力的提升至關(guān)重要。在這個(gè)背景下,高帶寬內(nèi)存(HBM)以其卓越的性能表現(xiàn),正逐漸在內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)域嶄露頭角,成為推動(dòng)計(jì)算領(lǐng)域進(jìn)入全新時(shí)代的關(guān)鍵力量。
    價(jià)格暴漲500%,HBM市場(chǎng)徹底被引爆
  • SK海力士“狂飆”,HBM是“救命良藥”
    最近,SK海力士披露了亮眼的第四季度財(cái)報(bào),2023年第四季度實(shí)現(xiàn)扭虧為盈,當(dāng)季營(yíng)業(yè)利潤(rùn)3460億韓元(約合2.6億美元),而上年同期營(yíng)業(yè)虧損1.91萬(wàn)億韓元。這意味著,SK海力士成功擺脫了從2022年第四季度以來(lái)一直持續(xù)的營(yíng)業(yè)虧損情況。
    SK海力士“狂飆”,HBM是“救命良藥”
  • 巨頭押注,MRAM開(kāi)始爆發(fā)
    存儲(chǔ)技術(shù)發(fā)展更迭50年,逐漸形成了SRAM、DRAM及Flash這三大主要領(lǐng)域。但是隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)持續(xù)朝更小的技術(shù)節(jié)點(diǎn)邁進(jìn),傳統(tǒng)的DRAM和NAND Flash開(kāi)始面臨越來(lái)越嚴(yán)峻的微縮挑戰(zhàn);再加上由于這些存儲(chǔ)技術(shù)與邏輯計(jì)算單元之間發(fā)展速度的失配,嚴(yán)重制約了計(jì)算性能和能效的進(jìn)一步提升。
    巨頭押注,MRAM開(kāi)始爆發(fā)
  • 三星與紅帽攜手推動(dòng)CXL存儲(chǔ)生態(tài)系統(tǒng)擴(kuò)展并取得重要進(jìn)展
    三星宣布,與開(kāi)源軟件提供商紅帽(Red Hat)攜手,首次成功在真實(shí)用戶環(huán)境中驗(yàn)證了Compute Express Link?(CXL?)內(nèi)存技術(shù)的運(yùn)行,這將進(jìn)一步擴(kuò)大三星的 CXL生態(tài)系統(tǒng)。
  • MRAM:RAM和NAND再遇強(qiáng)敵
    MRAM是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù),通過(guò)磁致電阻的變化來(lái)表示二進(jìn)制中的0和1,從而實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)。由于產(chǎn)品本身具備非易失性,讓其在斷電情況下依然可以保留數(shù)據(jù)信息,并擁有不遜色于DRAM內(nèi)存的容量密度和使用壽命,平均能耗也遠(yuǎn)低于DRAM。
    MRAM:RAM和NAND再遇強(qiáng)敵

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