芯耀
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6月28日，美光科技宣布，公司成功收購力成西安資產。此次收購完成有利于加強美光科技封裝測試產能布局。
去年6月，美光宣布在西安的封裝測試工廠投資逾43億元人民幣，其中包括加建一座新廠房，引入全新產線，制造更廣泛的產品解決方案，包括但不限于移動DRAM、NAND及SSD，從而拓展西安工廠現(xiàn)有的DRAM封裝和測試能力。
同時，美光決定收購力成半導體（西安）有限公司（力成西安）的封裝設備，向力成西安逾1200名全體員工提供新的就業(yè)合同，進一步壯大人才隊伍與運營規(guī)模。
今年3月27日，美光西安新廠房奠基開工。新廠房預計將于2025年下半年投產，并根據市場需求逐步增產。新廠房落成后，美光西安工廠的總面積將超過13.2萬平方米（140萬平方英尺）。
內存產能需求上升，三大廠加大馬力建廠
今年來，美光的建廠步伐較為明顯，除了布局西安產能，在美國地區(qū)方面，此前4月美光科技宣布，獲得美國《芯片與科學法案》61億美元政府補助。這些撥款以及額外的州和地方激勵措施將支持美光在愛達荷州建設一個領先的DRAM存儲器制造工廠，并在紐約州克萊鎮(zhèn)建設兩座先進DRAM存儲器制造工廠。據悉，美國政府補貼將支持美光計劃到2030年為美國國內領先的存儲器制造，投資約500億美元的總資本支出。
其中，愛達荷州的工廠已于2023年10月開工，預計將于 2025年上線并投入運營，2026年正式開始DRAM的生產，DRAM產量也將隨著行業(yè)需求的增長而不斷增加。
紐約州克萊鎮(zhèn)項目正在進行初步設計、實地研究和包括NEPA在內的許可申請，該座晶圓廠的建設預計將于2025年開始，并于2028年投產并貢獻產量，并根據未來十年的市場需求而增加。
日本地區(qū)，據《日刊工業(yè)新聞》報道，美光將斥資6000~8000億日元在日本廣島興建一座采用極紫外光(EUV)微影制程的先進DRAM芯片廠，預計2026年初動工、最快2027年底完工。根據報道，美光在廣島的新工廠位于現(xiàn)有的Fab 15附近，專注于DRAM生產，不包括后端封裝和測試，并將重點放在HBM產品上。據悉，日本已批準多達1920億日元補貼，支持美光在廣島建廠并生產新一代芯片。
馬來西亞地區(qū)，美光在馬來西亞檳城的第二座智能（尖端組裝與測試）工廠于去年10月落成開業(yè)，該工廠初期投入了10億美元。在第一座工廠建成后，美光再加碼10億美元擴建第二座智慧廠房，將工廠建筑面積擴充至150萬平方尺。
而近期據日經亞洲引述知情人士透露，美光科技首次考慮在馬來西亞生產HBM，滿足AI熱潮帶來的更多需求。該公司曾表示，目標是到2025年將HBM（AI芯片的關鍵組件）的市場份額提高三倍以上，達到20%左右。
除了美光，據外媒消息，三星電子決定重啟新平澤工廠（P5）基礎建設，預計最快將于2024第三季重啟建設，完工時間推估為2027年4月，不過實際投產時間可能更早。
三星公司擔任副總裁兼DRAM產品和技術主管Hwang Sang-joong 今年三月曾表示，預計今年HBM產量將是去年的2.9倍。同時，該公司公布了HBM路線圖，預計2026年HBM出貨量將是2023年產量的13.8倍，到2028年，HBM年產量將進一步增至2023年水平的23.1倍。
而SK海力士，公司于4月確定在印第安納州西拉斐特建設面向AI的存儲器先進封裝生產基地，印第安納工廠將從2028年下半年開始量產新一代HBM等面向AI的存儲器產品。
同時，該公司表示在龍仁半導體集群第一座工廠投產前需要擴大生產能力（Capacity），因此決定在已經確保用地的清州建設M15x，計劃在明年11月竣工后，從2026年第三季度正式投入量產
據介紹，M15x是一座雙層晶圓廠，總面積達6萬3000坪。其將具備包括EUV在內的一站式HBM生產工藝，與正在擴大TSV工藝生產能力的M15相鄰，可最大程度地提高HBM生產效率。
從三大廠的擴產動態(tài)來看，美光、三星、SK海力士的部署領域主要集中在內存產能，三大廠的布局步伐“你追我趕”，旨在拓展產能，加強自身供應能力，抓住市場冒出的新機遇。
2030年全球數據總量將增長至660ZB，或帶飛AI應用內存技術
步入AI人工智能時代之后，全球產生的數據總量預計將從2014年的15ZB（Zetabyte，澤字節(jié)）增長到2030年的660ZB。SK海力士表示，面向AI的存儲器收入比重也將大幅增加。HBM和高容量DRAM模塊等面向AI的存儲器在2023年整個存儲器市場的占比約為5%(金額為準)，預計到2028年可以達到61%。
據全球市場研究機構TrendForce集邦咨詢最新調查顯示，由于通用型服務器(general server)需求復蘇，加上DRAM供應商HBM生產比重進一步拉高，使供應商將延續(xù)漲價態(tài)度，第三季DRAM均價將持續(xù)上揚。DRAM價格漲幅達8~13%，其中Conventional DRAM漲幅為5-10%，較第二季漲幅略有收縮。
TrendForce集邦咨詢指出，第二季買方補庫存意愿漸趨保守，供應商及買方端的庫存水平未有顯著變化。觀察第三季，智能手機及CSPs仍具補庫存的空間，且將進入生產旺季，因此預計智能手機及服務器將帶動第三季存儲器出貨量放大。
而在HBM方面，受惠于HBM銷售單價較傳統(tǒng)型DRAM（Conventional DRAM）高出數倍，相較DDR5價差大約五倍，加上AI芯片相關產品迭代也促使HBM單機搭載容量擴大，推動2023~2025年間HBM之于DRAM產能及產值占比均大幅向上。TrendForce集邦咨詢預計，價格上，2025年HBM價格調漲約5~10%，占DRAM總產值預估將逾三成；需求位元上，2024年的HBM需求位元年成長率近200%，2025年可望將再翻倍。
此外，TrendForce集邦咨詢認為，2025年隨著AI應用完善、能處理復雜任務、提供更好的用戶體驗并提高生產力，將帶動消費者對于更智能、更高效的終端設備需求迅速增長，AI NB滲透率將快速成長至20.4%的水位，預期AI NB浪潮亦將帶動DRAM Content增長。并預估，NB DRAM平均搭載容量將自2023年的10.5GB年增12%至2024年的11.8GB。展望2025年，隨AI NB滲透率自2024年的1%提升至2025年的20.4%，且AI NB皆搭載16GB以上DRAM，將至少帶動整體平均搭載容量增長0.8GB，增幅至少為7%。
