寬帶隙半導(dǎo)體

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室溫下，Si的帶隙為1.1eV，GaAs的帶隙為1.43eV，一般把室溫下帶隙大于2.0eV的半導(dǎo)體材料歸類于寬帶隙半導(dǎo)體，寬帶隙半導(dǎo)體在藍(lán)、紫光和紫外光電子器件，高頻、高溫、高功率電子器件及場發(fā)射器件方面應(yīng)用廣泛。

室溫下，Si的帶隙為1.1eV，GaAs的帶隙為1.43eV，一般把室溫下帶隙大于2.0eV的半導(dǎo)體材料歸類于寬帶隙半導(dǎo)體，寬帶隙半導(dǎo)體在藍(lán)、紫光和紫外光電子器件，高頻、高溫、高功率電子器件及場發(fā)射器件方面應(yīng)用廣泛。收起

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