晶體管

• 4年900億——英特爾代工打造全球供應(yīng)鏈韌性、實(shí)現(xiàn)18A關(guān)鍵技術(shù)布局

  2025英特爾代工大會(huì)（Intel Foundry Direct Connect）在美國(guó)加州圣何塞開(kāi)幕。剛剛上任5周的英特爾公司首席執(zhí)行官陳立武在大會(huì)上發(fā)表開(kāi)幕演講，強(qiáng)調(diào)英特爾正在推動(dòng)其代工戰(zhàn)略進(jìn)入下一階段，以及英特爾打造世界一流代工廠的愿景，體現(xiàn)了對(duì)代工業(yè)務(wù)的重視和信心。

  張慧娟

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  18小時(shí)前

  與非觀察 晶體管
• 如何正確認(rèn)識(shí)射頻集成電路？

  RFIC，全稱射頻集成電路（Radio Frequency Integrated Circuit） ，是一種集成了射頻電路和模擬電路的集成電路，專門用于處理射頻信號(hào)。這里的射頻，通常指的是 300KHz - 300GHz 的頻率范圍，涵蓋了高頻、甚高頻和超高頻，是無(wú)線通信領(lǐng)域最為活躍的頻段。

  射頻學(xué)堂

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  04/17 12:10

  晶體管 分立器件

  
• 《元器件交易動(dòng)態(tài)周報(bào)》-功率器件市場(chǎng)買家普遍提前下單，以避免預(yù)期關(guān)稅的影響

  核心觀點(diǎn)： 買家普遍提前下單，以避免預(yù)期關(guān)稅帶來(lái)的成本上升。 部分供應(yīng)商減少產(chǎn)量，以減輕2024年底低需求造成的損失，分立器件的庫(kù)存處于最低水平。 2025年3月，功率器件價(jià)格整體繼續(xù)持穩(wěn)。 三大維度解讀功率器件最新供需動(dòng)態(tài) 市場(chǎng)需求分析 圖 | 二極管四方維商品動(dòng)態(tài)商情需求指數(shù)情況，來(lái)源：Supplyframe四方維 圖 | 晶體管四方維商品動(dòng)態(tài)商情需求指數(shù)情況，來(lái)源：Supplyframe四方

  史德志

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  04/07 11:44

  二極管 晶體管

  
• 全球二維芯片重大突破！“豆腐雕花”級(jí)難度，中國(guó)團(tuán)隊(duì)搞定了

  4月3日?qǐng)?bào)道，昨夜，二維半導(dǎo)體芯片里程碑式突破登上國(guó)際頂級(jí)學(xué)術(shù)期刊Nature：全球首顆二維半導(dǎo)體32位微處理器橫空出世，來(lái)自中國(guó)團(tuán)隊(duì)！這項(xiàng)突破由復(fù)旦大學(xué)集成芯片與系統(tǒng)全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室周鵬、包文中聯(lián)合團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)，成功研制全球首款基于二維半導(dǎo)體材料的32位RISC-V架構(gòu)微處理器“無(wú)極（WUJI）”。面對(duì)摩爾定律逼近物理極限的挑戰(zhàn)，具有單個(gè)原子層厚度的二維半導(dǎo)體是國(guó)際公認(rèn)的破局關(guān)鍵。

  芯東西

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  04/04 09:25

  芯片 晶體管

  
• e絡(luò)盟與美微科簽訂新的全球分銷協(xié)議以投資半導(dǎo)體產(chǎn)品組合

  安富利旗下全球電子元器件產(chǎn)品與解決方案分銷商e絡(luò)盟宣布已與美微科 (MCC) 簽署全球分銷協(xié)議，并將為汽車、工業(yè)、消費(fèi)和計(jì)算等各行各業(yè)提供高質(zhì)量分立半導(dǎo)體解決方案。 美微科專注于提供高質(zhì)量的元件，如二極管、場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）、IGBT、碳化硅 (SiC) 產(chǎn)品、保護(hù)設(shè)備、穩(wěn)壓器、晶體管和電源模塊等以及增強(qiáng)功能，并以其良好的全球客戶服務(wù)聲譽(yù)為后盾。 e絡(luò)盟板載元件全球產(chǎn)品總監(jiān) Jose Lok

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  04/02 08:29

  半導(dǎo)體 晶體管

  
• 碳化硅技術(shù)賦能EA10000系列電源的技術(shù)解析與優(yōu)勢(shì)對(duì)比

  為了減緩氣候變化，人類在非化石燃料和可再生能源解決方案方面取得了顯著進(jìn)展，交通領(lǐng)域的電氣化進(jìn)程也在加速推進(jìn)。這些新興技術(shù)大多對(duì)電源提出了更高的要求，尤其是對(duì)大功率的需求。例如，電動(dòng)汽車（EV）的電池包電壓已高達(dá)900 VDC以上，容量可達(dá)95kWh；快充和超充系統(tǒng)功率更是輕松突破240kW。氫燃料電池堆作為另一種汽車供電技術(shù)，其功率可超過(guò)500kW，電流高達(dá)1000A。 市場(chǎng)需求下的挑戰(zhàn) 一方面，

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  04/01 08:19

  碳化硅 晶體管

  
• 意法半導(dǎo)體65W GaN變換器為注重成本的應(yīng)用提供節(jié)省空間的電源方案

  意法半導(dǎo)體的 VIPerGaN65D 反激式轉(zhuǎn)換器采用SOIC16封裝，可以用于設(shè)計(jì)體積較小的高性價(jià)比電源、適配器和 USB-PD (電力輸送) 快速充電器，最大輸出功率可達(dá)65W，輸入電壓為通用電網(wǎng)電壓。 這款準(zhǔn)諧振離線變換器集成一個(gè)700V GaN (氮化鎵) 晶體管和優(yōu)化的柵極驅(qū)動(dòng)器及典型的安全保護(hù)功能，降低了利用寬帶隙技術(shù)提高功率密度和能效的技術(shù)門檻。GaN功率晶體管的最高開(kāi)關(guān)頻率為240

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  03/25 08:52

  意法半導(dǎo)體 晶體管

  
• 柵極（Gate）的基本原理、材料選擇和工藝方法

  在晶體管世界里，如果將晶體管比作一個(gè)可控的“水龍頭”，那么柵極（Gate）就如同控制龍頭開(kāi)關(guān)的閥門，其重要性不言而喻。隨著半導(dǎo)體工藝進(jìn)入納米時(shí)代，柵極的材料與制造工藝不斷進(jìn)步，成為提升器件性能的關(guān)鍵之一。

  老虎說(shuō)芯

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  03/24 09:42

  晶體管 柵極

  
• 英飛凌推出采用新型硅封裝的 CoolGaN G3晶體管，推動(dòng)全行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化進(jìn)程

  氮化鎵（GaN）技術(shù)在提升功率電子器件性能水平方面起到至關(guān)重要的作用。但目前為止，GaN供應(yīng)商采用的封裝類型和尺寸各異，產(chǎn)品十分零散，客戶缺乏兼容多種封裝的貨源。為了解決這個(gè)問(wèn)題，全球功率系統(tǒng)、汽車和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出采用RQFN 5x6 封裝的 CoolGaN? G3 100V（IGD015S10S1）和采用RQF

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  02/27 08:16

  英飛凌 氮化鎵

  
• 研發(fā)了晶體管、培養(yǎng)了“八叛逆”、被稱為廢物天才，硅谷之父肖克利傳奇的一生

  在加利福尼亞的山景之城，有一天，來(lái)了一位中年人，他在一個(gè)倉(cāng)庫(kù)旁邊徘徊了很久，準(zhǔn)備將這里改造成為一個(gè)實(shí)驗(yàn)室，他的名字叫做肖克利。1955年，他遠(yuǎn)離美國(guó)東部的喧囂，沿著西部牛仔的拓荒之路，來(lái)到加州，來(lái)到山景之城。這片美國(guó)最晚迎來(lái)陽(yáng)光的大地，因?yàn)樗牡絹?lái)，即將升起第一面迎接電子信息時(shí)代的旗幟。

  工控有得聊

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  02/26 10:56

  半導(dǎo)體 晶體管
• 大聯(lián)大詮鼎集團(tuán)推出基于英諾賽科產(chǎn)品的48V/120A BMS方案

  致力于亞太地區(qū)市場(chǎng)的國(guó)際領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下詮鼎推出基于英諾賽科（Innoscience）InnoGaN INV100FQ030C VGaN器件的48V/120A BMS方案。 圖示1-大聯(lián)大詮鼎基于英諾賽科產(chǎn)品的48V/120A BMS方案的展示板圖 BMS（電池管理系統(tǒng)）被稱為電池保姆或電池管家，其主要功能是智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，監(jiān)控電池運(yùn)行的狀態(tài)、防止其

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  02/20 09:32

  晶體管 bms

  
• 學(xué)子專區(qū) - ADALM2000實(shí)驗(yàn)：包絡(luò)檢波器

  作者：Antoniu Miclaus，系統(tǒng)應(yīng)用工程師 Doug Mercer，顧問(wèn)研究員 目標(biāo) 本實(shí)驗(yàn)活動(dòng)使用ADALM2000和Scopy介紹包絡(luò)檢測(cè)和幅度調(diào)制。信號(hào)的包絡(luò)相當(dāng)于其輪廓，包絡(luò)檢波器連接該信號(hào)中的所有峰值。包絡(luò)檢測(cè)在信號(hào)處理和通信領(lǐng)域應(yīng)用廣泛，幅度調(diào)制(AM)檢測(cè)便是其中一個(gè)應(yīng)用。 AM是電子通信領(lǐng)域使用的一種調(diào)制技術(shù)，常用于通過(guò)無(wú)線電載波傳輸信息。在AM中，載波的幅度（信號(hào)強(qiáng)度）

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  01/10 08:10

  二極管 晶體管

  
• 探索光耦：晶體管光耦——電子設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵角色

  隨著電子技術(shù)的進(jìn)步，電路中的隔離需求日益增加。晶體管光耦作為一種非接觸式信號(hào)傳輸器件，因其獨(dú)特的隔離特性和可靠性，成為了現(xiàn)代電子設(shè)備和工業(yè)控制中不可或缺的元件。本文將帶您深入了解晶體管光耦的結(jié)構(gòu)、工作原理和核心特點(diǎn)。 晶體管光耦的基本結(jié)構(gòu) 晶體管光耦，通常由兩個(gè)主要部分組成：發(fā)光二極管（LED）和光敏晶體管。其物理結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單卻極具創(chuàng)新性： 發(fā)光二極管（LED）：電流通過(guò)時(shí)，LED會(huì)發(fā)出紅外光。 光敏

  晶臺(tái)光耦

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  01/07 11:25

  光耦 晶體管
• 晶臺(tái)KL357，電流轉(zhuǎn)換率高達(dá)50~600%

  晶臺(tái)KL357系列包含一個(gè)紅外發(fā)射二極管,光耦合到一個(gè)光電晶體管構(gòu)成光電耦合器，采用4引腳小外形SMD封裝的器件。 功能圖Functional Diagram 產(chǎn)品特點(diǎn)Product Features ◆電流轉(zhuǎn)換率CTR: 50~600% at IF =5mA, VCE =5V ◆輸入與輸出高隔離電壓(Viso=3750Vrms) ◆緊湊型4引腳SOP，外形尺寸為4.4*4.1*2.0mm ◆工作

  晶臺(tái)光耦

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  01/06 09:45

  光耦 晶體管

  
• 英特爾IEDM 2024大曬封裝、晶體管、互連等領(lǐng)域技術(shù)突破

  在IEDM 2024（2024年IEEE國(guó)際電子器件會(huì)議）上，英特爾代工展示了包括先進(jìn)封裝、晶體管微縮、互連縮放等在內(nèi)的多項(xiàng)技術(shù)突破，以助力推動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)在下一個(gè)十年及更長(zhǎng)遠(yuǎn)的發(fā)展。 英特爾通過(guò)改進(jìn)封裝技術(shù)將芯片封裝中的吞吐量提升高達(dá)100倍，探索解決采用銅材料的晶體管在開(kāi)發(fā)未來(lái)制程節(jié)點(diǎn)時(shí)可預(yù)見(jiàn)的互連微縮限制，并繼續(xù)為先進(jìn)的全環(huán)繞柵極（GAA）晶體管及其它相關(guān)技術(shù)定義和規(guī)劃晶體管路線圖。 這些技術(shù)

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  2024/12/25

  英特爾 晶體管

  
• 半導(dǎo)體未來(lái)三大支柱：先進(jìn)封裝、晶體管和互連

  英特爾在前沿技術(shù)領(lǐng)域的探索和布局具有行業(yè)標(biāo)桿意義，其發(fā)布的技術(shù)路線圖和成果為半導(dǎo)體行業(yè)提供了重要參考方向。 在IEDM 2024大會(huì)上，英特爾發(fā)布了7篇技術(shù)論文，展示了多個(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域的創(chuàng)新進(jìn)展。這些技術(shù)涵蓋了從FinFET到2.5D和3D封裝（EMIB、Foveros、Foveros Direct），即將在Intel 18A節(jié)點(diǎn)應(yīng)用的PowerVia背面供電技術(shù)，以及全環(huán)繞柵極（GAA）晶體管Rib

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  1497

  2024/12/24

  英特爾 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

  
• 應(yīng)對(duì)AI算力需求，芯片代工下一個(gè)十年的關(guān)鍵看點(diǎn)

  隨著行業(yè)朝著到2030年在單個(gè)芯片上實(shí)現(xiàn)一萬(wàn)億個(gè)晶體管的目標(biāo)前進(jìn)，晶體管和互連微縮技術(shù)的突破以及未來(lái)的先進(jìn)封裝能力正變得非常關(guān)鍵，以滿足人們對(duì)能效更高、性能更強(qiáng)且成本效益更高的計(jì)算應(yīng)用（如AI）的需求。

  張慧娟

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  2024/12/10

  與非觀察 晶體管
• 英特爾展示互連微縮技術(shù)突破性進(jìn)展

  在IEDM2024上，英特爾代工的技術(shù)研究團(tuán)隊(duì)展示了晶體管和封裝技術(shù)的開(kāi)拓性進(jìn)展，有助于滿足未來(lái)AI算力需求。 IEDM 2024（2024年IEEE國(guó)際電子器件會(huì)議）上，英特爾代工展示了多項(xiàng)技術(shù)突破，助力推動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)在下一個(gè)十年及更長(zhǎng)遠(yuǎn)的發(fā)展。具體而言，在新材料方面，減成法釕互連技術(shù)（subtractive Ruthenium）最高可將線間電容降低25%1，有助于改善芯片內(nèi)互連。英特爾代工還率

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  2024/12/09

  英特爾 晶體管

  
• 意法半導(dǎo)體推出采用強(qiáng)化版STripFET F8技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)閾壓40V MOSFET

  意法半導(dǎo)體推出了標(biāo)準(zhǔn)閾值電壓 (VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET晶體管，新系列產(chǎn)品兼?zhèn)鋸?qiáng)化版溝槽柵技術(shù)的優(yōu)勢(shì)和出色的抗噪能力，適用于非邏輯電平控制的應(yīng)用場(chǎng)景。 工業(yè)級(jí)晶體管STL300N4F8 和 車規(guī)晶體管STL305N4F8AG 的額定漏極電流高于300A，最大導(dǎo)通電阻 RDS(on)為1mΩ，可在高功率應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)出色的能效。動(dòng)態(tài)性能得到了改進(jìn)，65nC(典型值)

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  2427

  2024/11/29

  意法半導(dǎo)體 MOSFET

  
• 探索光耦：達(dá)林頓光耦與晶體管光耦的區(qū)別

  在現(xiàn)代電子技術(shù)中，光耦是一種廣泛應(yīng)用的電子元件，它通過(guò)光信號(hào)實(shí)現(xiàn)電氣隔離，保證信號(hào)傳輸?shù)陌踩院屯暾?。光耦合器的種類繁多，本文將重點(diǎn)探討兩種常見(jiàn)類型：達(dá)林頓光耦和晶體管光耦的區(qū)別。 結(jié)構(gòu)的差異 晶體管光耦主要由發(fā)光二極管（LED）和光電三極管（Phototransistor）組成，有時(shí)還會(huì)加入一個(gè)晶體管以增強(qiáng)其功能。其基本結(jié)構(gòu)相對(duì)簡(jiǎn)單，主要利用光電效應(yīng)和晶體管的放大特性來(lái)實(shí)現(xiàn)電信號(hào)的隔離與傳輸。

  晶臺(tái)光耦

  2679

  2024/11/26

  光耦 晶體管

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