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  • 測量探頭的 “溫漂” 問題，都是怎么產(chǎn)生的，以及對于晶圓厚度測量的影響
    在半導(dǎo)體芯片制造的微觀世界里，精度就是生命線，晶圓厚度測量的精準(zhǔn)程度直接關(guān)聯(lián)著最終產(chǎn)品的性能優(yōu)劣。而測量探頭的 “溫漂” 問題，宛如精密時鐘里的一粒微塵，雖小卻能攪亂整個測量體系的精準(zhǔn)節(jié)奏。深入探究其產(chǎn)生根源以及帶來的連鎖影響，對于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展至關(guān)重要。一、“溫漂” 問題的產(chǎn)生緣由1.環(huán)境溫度波動半導(dǎo)體制造車間是一個復(fù)雜的熱環(huán)境生態(tài)。一方面，大量設(shè)備持續(xù)運行散發(fā)可觀熱量，如光刻機、刻蝕機
    測量探頭的 “溫漂” 問題，都是怎么產(chǎn)生的，以及對于晶圓厚度測量的影響
  • 測量探頭的 “溫漂” 問題，對于晶圓厚度測量的實際影響
    ?一、“溫漂” 現(xiàn)象的本質(zhì)剖析測量探頭的 “溫漂”，指的是由于環(huán)境溫度變化或探頭自身在工作過程中的發(fā)熱，導(dǎo)致探頭的物理特性發(fā)生改變，進而使其測量精度出現(xiàn)偏差的現(xiàn)象。從原理上看，多數(shù)測量探頭基于電學(xué)或光學(xué)原理工作，例如電學(xué)探頭利用電信號的變化反映測量目標(biāo)的參數(shù)，而溫度的波動會影響電子元件的導(dǎo)電性、電容值等關(guān)鍵性能指標(biāo)；光學(xué)探頭的光路系統(tǒng)受溫度影響，玻璃鏡片的折射率、光學(xué)元件的熱膨脹等因素都會使光線傳
    測量探頭的 “溫漂” 問題，對于晶圓厚度測量的實際影響
  • 晶圓的環(huán)吸方案相比其他吸附方案，對于測量晶圓 BOW/WARP 的影響
    在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，晶圓的加工精度和質(zhì)量控制至關(guān)重要，其中對晶圓 BOW（彎曲度）和 WARP（翹曲度）的精確測量更是關(guān)鍵環(huán)節(jié)。不同的吸附方案被應(yīng)用于晶圓測量過程中，而晶圓的環(huán)吸方案因其獨特設(shè)計，與傳統(tǒng)或其他吸附方案相比，對 BOW/WARP 測量有著顯著且復(fù)雜的影響。 一、常見吸附方案概述 傳統(tǒng)的吸附方案包括全表面吸附、邊緣點吸附等。全表面吸附利用真空將晶圓整個底面緊密貼合在吸盤上，能提供穩(wěn)定的吸
    晶圓的環(huán)吸方案相比其他吸附方案，對于測量晶圓 BOW/WARP 的影響
  • 晶盛機電董事長曹建偉：12英寸大硅片設(shè)備機遇
    耗材產(chǎn)品的國產(chǎn)化十分關(guān)鍵
  • 晶盛機電宣布成功研發(fā)出8英寸N型SiC晶體
    近日，晶盛機電通過官方微信公眾號宣布，經(jīng)過晶體實驗室研發(fā)團隊半年多的技術(shù)攻關(guān)，8月12日，首顆8英寸（200mm）N型SiC（碳化硅）晶體成功出爐，晶盛第三代半導(dǎo)體材料SiC研發(fā)自此邁入8英寸時代。