碳化硅晶體

• 國(guó)產(chǎn)SiC實(shí)現(xiàn)3大技術(shù)突破：溝槽MOS/8英寸/SiCOI量產(chǎn)

  近期國(guó)內(nèi)多家SiC企業(yè)均獲得了最新技術(shù)突破，涉及溝槽技術(shù)、大尺寸制備等：●?青禾晶元：實(shí)現(xiàn)了高質(zhì)量晶圓級(jí)SiCOI（6寸，SiC膜厚1μm±100nm）的規(guī)模化生產(chǎn)?！?國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（南京）：成功攻關(guān)溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造關(guān)鍵技術(shù)●?上海漢虹：使用自行研發(fā)制造的碳化硅長(zhǎng)晶爐成功拉制出高品質(zhì)8英寸碳化硅晶體。

  行家說三代半

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  2024/09/03

  SiC 碳化硅MOSFET

  

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