英諾賽科

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英諾賽科是一家致力于第三代半導(dǎo)體硅基氮化鎵外延及器件研發(fā)與制造的高新技術(shù)企業(yè),采用IDM(Integrated Device Manufacture)全產(chǎn)業(yè)鏈模式,建立了全球首條產(chǎn)能最大的8英寸 GaN-on-Si 晶圓量產(chǎn)線。

英諾賽科是一家致力于第三代半導(dǎo)體硅基氮化鎵外延及器件研發(fā)與制造的高新技術(shù)企業(yè),采用IDM(Integrated Device Manufacture)全產(chǎn)業(yè)鏈模式,建立了全球首條產(chǎn)能最大的8英寸 GaN-on-Si 晶圓量產(chǎn)線。 收起

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  • 蘇州沖出一個全球半導(dǎo)體龍頭IPO!市值260億
    2024年最后一個半導(dǎo)體IPO,花落蘇州企業(yè)。芯東西12月31日報(bào)道,12月30日,氮化鎵龍頭英諾賽科在港交所主板掛牌上市,成為港股“第三代半導(dǎo)體”第一股!英諾賽科最終發(fā)售價(jià)為每股30.86港元,上市首日以31港元/股收盤,今日再漲1.29%,總市值為276億港元(約合人民幣260億元)。
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  • 英諾賽科上市:氮化鎵龍頭成長動力充足
    2024年下半年以來,香港資本市場掀起一波上市熱潮。從科技新貴到行業(yè)巨頭,眾多內(nèi)地企業(yè)將目光投向香港資本市場。臨近歲末,又一細(xì)分領(lǐng)域行業(yè)龍頭登陸港股資本市場。12月30日,英諾賽科(2577.HK)在港上市,掀開國際化發(fā)展新篇章。根據(jù)弗若斯特沙利文的資料,按2023年收入計(jì),英諾賽科在全球所有氮化鎵功率半導(dǎo)體公司中排名第一。 研發(fā)與IDM模式雙輪驅(qū)動 持續(xù)鞏固領(lǐng)先優(yōu)勢 作為最新一代半導(dǎo)體材料之一,
  • 英諾賽科正式敲鐘上市,國內(nèi)GaN第一股誕生
    12月30日,英諾賽科(蘇州)科技股份有限公司正式在香港聯(lián)合交易所主板掛牌上市,股票簡稱“英諾賽科”,股票代碼02577.HK。當(dāng)天,眾多英諾賽科公司領(lǐng)導(dǎo)及員工共同敲響上市寶鐘,一同見證這一里程碑性時刻。在敲鐘儀式上,英諾賽科創(chuàng)始人、董事長駱薇薇博士表示:“英諾賽科是全球功率半導(dǎo)體革命的領(lǐng)導(dǎo)者,也是全球最大的氮化鎵晶片制造企業(yè)。
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  • 12家半導(dǎo)體企業(yè)IPO提速!
    臨近年末,12家半導(dǎo)體企業(yè)包括天域半導(dǎo)體、杰理科技、黃山谷捷、頂立科技、勝科納米、英韌科技、英諾賽科等IPO進(jìn)程加速,涉及領(lǐng)域涵蓋存儲、制造、設(shè)計(jì)、第三代半導(dǎo)體材料等。
    12家半導(dǎo)體企業(yè)IPO提速!
  • 英諾賽科即將登陸港股:氮化鎵分立器件累計(jì)出貨量全球第一!
    氮化鎵龍頭大廠英諾賽科(蘇州)科技股份有限公司(以下簡稱“英諾賽科”)于今年6月正式向香港證券交易所遞交了IPO上市申請之后,12月12日晚間,根據(jù)港交所披露的信息顯示,英諾賽科已經(jīng)通過上市聆訊,并披露聆訊后資料集。
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  • 引領(lǐng)功率半導(dǎo)體市場變革 氮化鎵龍頭英諾賽科港股招股中
    近年來,隨著新能源產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展,以及智能制造、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)等新興領(lǐng)域的興起,功率半導(dǎo)體器件市場需求增長迅猛。其中,以氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體材料,憑借優(yōu)秀的物理性能和廣泛的下游應(yīng)用場景,已成為推動功率半導(dǎo)體行業(yè)變革的核心驅(qū)動力。 在這一領(lǐng)域,英諾賽科(蘇州)科技股份有限公司(「英諾賽科」或「公司」,2577.HK)是公認(rèn)的頭部企業(yè),憑借強(qiáng)大的技術(shù)專長和前瞻布局,穩(wěn)居行業(yè)領(lǐng)先地位。12月18日至1
  • 200億芯片獨(dú)角獸,闖關(guān)IPO有多難?
    又一個芯片明星獨(dú)角獸奔赴IPO了。近日,英諾賽科(蘇州)科技股份有限公司(以下簡稱“英諾賽科”)向港交所遞交招股書,擬主板IPO上市,中金公司、招銀國際為其聯(lián)席保薦人。
    1961
    2024/08/29
    200億芯片獨(dú)角獸,闖關(guān)IPO有多難?
  • 英飛凌對英諾賽科提起追加訴訟,并向美國國際貿(mào)易委員會起訴
    英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)于2024年7月23日在美國加利福尼亞北區(qū)地方法院,對英諾賽科(珠海)科技有限公司、英諾賽科美國公司及其關(guān)聯(lián)公司(以下簡稱:英諾賽科)在現(xiàn)有訴訟基礎(chǔ)上,追加了新的訴訟請求,指控其侵犯了英飛凌擁有的另外三項(xiàng)與氮化鎵(GaN)技術(shù)相關(guān)的專利。此外,英飛凌今日還向美國國際貿(mào)易委員會(USITC)起訴,就前述訴訟所涉的四項(xiàng)相同專利提出
  • 半導(dǎo)體四家企業(yè)IPO迎來最新進(jìn)展
    近日,包括英諾賽科、聯(lián)蕓科技、高裕電子、慧翰股份四家企業(yè)IPO迎來最新進(jìn)展。2023年8月以來,證監(jiān)會、交易所、國務(wù)院接連發(fā)布IPO市場重要政策,在釋放“階段性收緊IPO節(jié)奏”信號的同時,也表明了“嚴(yán)把發(fā)行上市準(zhǔn)入關(guān)”的決心。
    半導(dǎo)體四家企業(yè)IPO迎來最新進(jìn)展
  • 英諾賽科港股IPO正式啟動!
    6月12日晚間,英諾賽科向港交所遞交上市申請,聯(lián)席保薦人為中金公司、招銀國際。自2019年10月,OPPO Reno Ace首次將氮化鎵技術(shù)應(yīng)用于充電器以來,基于氮化鎵材料而研制的功率器件,憑借更高的電流密度、遷移率以及優(yōu)秀的耐熱性、導(dǎo)電性和散熱性,在諸多應(yīng)用領(lǐng)域持續(xù)開疆拓土。
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