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  • 浙江大學：虛擬制造+FabGPT助力DTCO
    2025年3月21日，在黃如院士和孫凝暉院士共同推動下，由北京大學微納電子器件與集成技術全國重點實驗室和中國科學院計算技術研究所處理器芯片全國重點實驗室兩大首批標桿實驗室聯(lián)合主辦的“后摩爾時代微納電子與處理器芯片前沿技術創(chuàng)新論壇”在北京舉行。邀請了16位學者從后摩爾時代微納電子與處理器芯片的新器件、新架構、新材料、新原理等四個方向探討前沿技術問題。
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    03/24 13:19
    浙江大學：虛擬制造+FabGPT助力DTCO
  • 線邊緣粗糙度(LER)如何影響先進節(jié)點上半導體的性能
    介紹 由后段制程(BEOL)金屬線寄生電阻電容(RC)造成的延遲已成為限制先進節(jié)點芯片性能的主要因素[1]。減小金屬線間距需要更窄的線關鍵尺寸(CD)和線間隔，這會導致更高的金屬線電阻和線間電容。圖1對此進行了示意，模擬了不同后段制程金屬的線電阻和線關鍵尺寸之間的關系。即使沒有線邊緣粗糙度(LER)，該圖也顯示電阻會隨著線寬縮小呈指數(shù)級增長[2]。為緩解此問題，需要在更小的節(jié)點上對金屬線關鍵尺寸進
    線邊緣粗糙度(LER)如何影響先進節(jié)點上半導體的性能
  • 溫故2016︱工業(yè)4.0六大技術關鍵詞，智慧工廠離我們有多遠？
    被稱為第四次工業(yè)革命的工業(yè)4.0戰(zhàn)略于2011年誕生于德國，是德國聯(lián)邦教研部與聯(lián)邦經(jīng)濟技術部在2013年漢諾威工業(yè)博覽會上提出的概念，于2013被德國政府納入國家戰(zhàn)略?？梢哉f工業(yè)4.0是對傳統(tǒng)制造的一種挑戰(zhàn)，從而達到智能制造。