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化學(xué)氣相沉積是一種化工技術(shù)，該技術(shù)主要是利用含有薄膜元素的一種或幾種氣相化合物或單質(zhì)、在襯底表面上進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)生成薄膜的方法?；瘜W(xué)氣相淀積是近幾十年發(fā)展起來的制備無機(jī)材料的新技術(shù)?；瘜W(xué)氣相淀積法已經(jīng)廣泛用于提純物質(zhì)、研制新晶體、淀積各種單晶、多晶或玻璃態(tài)無機(jī)薄膜材料。這些材料可以是氧化物、硫化物、氮化物、碳化物，也可以是III-V、II-IV、IV-VI族中的二元或多元的元素間化合物，而且它們的物理功能可以通過氣相摻雜的淀積過程精確控制。化學(xué)氣相淀積已成為無機(jī)合成化學(xué)的一個(gè)新領(lǐng)域。

化學(xué)氣相沉積是一種化工技術(shù)，該技術(shù)主要是利用含有薄膜元素的一種或幾種氣相化合物或單質(zhì)、在襯底表面上進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)生成薄膜的方法?；瘜W(xué)氣相淀積是近幾十年發(fā)展起來的制備無機(jī)材料的新技術(shù)?；瘜W(xué)氣相淀積法已經(jīng)廣泛用于提純物質(zhì)、研制新晶體、淀積各種單晶、多晶或玻璃態(tài)無機(jī)薄膜材料。這些材料可以是氧化物、硫化物、氮化物、碳化物，也可以是III-V、II-IV、IV-VI族中的二元或多元的元素間化合物，而且它們的物理功能可以通過氣相摻雜的淀積過程精確控制?；瘜W(xué)氣相淀積已成為無機(jī)合成化學(xué)的一個(gè)新領(lǐng)域。收起

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  • ATL聯(lián)手上海洗霸加碼多孔碳，硅碳負(fù)極商業(yè)化“快進(jìn)”
    百公斤級流化床設(shè)備開啟交付。近期，寧德新能源（ATL）對上海洗霸子公司山東復(fù)元的戰(zhàn)略投資，以及百公斤級流化床設(shè)備的交付，標(biāo)志著新型硅碳負(fù)極所需的關(guān)鍵原料和設(shè)備供應(yīng)正加速成型。
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  • 人造金剛石產(chǎn)業(yè)新機(jī)遇：HTHP與CVD如何實(shí)現(xiàn)1+1＞2的協(xié)同效應(yīng)？
    當(dāng)前，人造金剛石產(chǎn)業(yè)正站在時(shí)代的風(fēng)口，HTHP（高溫高壓法）和CVD（化學(xué)氣相沉積法）作為兩大核心生產(chǎn)技術(shù)，如何實(shí)現(xiàn)兩個(gè)行業(yè)的協(xié)同發(fā)展？
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  • 集成電路薄膜工藝解析：CVD的原理、分類、應(yīng)用、挑戰(zhàn)與解決方案
    化學(xué)氣相沉積（Chemical Vapor Deposition, CVD）是一種通過化學(xué)反應(yīng)在晶圓表面沉積固體薄膜的工藝，是半導(dǎo)體制造中最為廣泛應(yīng)用的薄膜工藝之一。
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  • 先進(jìn)邏輯和3D存儲的希望，PECVD、晶圓鍵合龍頭——拓荊科技
    隨著集成電路制造不斷向更先進(jìn)工藝發(fā)展，單位面積集成的電路規(guī)模不斷擴(kuò)大， 芯片內(nèi)部立體結(jié)構(gòu)日趨復(fù)雜，所需要的薄膜層數(shù)越來越多，對絕緣介質(zhì)薄膜、導(dǎo)電金屬薄膜的材料種類和性能參數(shù)不斷提出新的要求。在 90nm CMOS 工藝，大約需要 40 道薄膜沉積工序。在 3nmFinFET 工藝產(chǎn)線，需要超過 100 道薄膜沉積工序，涉及的薄膜材料由 6 種增加到近 20 種，對于薄膜顆粒的要求也由微米級提高到納
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    2024/12/10
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  • 5nm已量產(chǎn)，3nm還會(huì)遠(yuǎn)嗎？重要性比肩光刻機(jī)的刻蝕設(shè)備——中微公司
    晶圓制造設(shè)備從類別上講可以分為刻蝕、光刻、薄膜沉積、檢測、涂膠顯影等十多類，其合計(jì)投資總額通常占整個(gè)晶圓廠投資總額的 75%左右，其中刻蝕設(shè)備、光刻設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備是集成電路前道生產(chǎn)工藝中最重要的三類設(shè)備。 根據(jù)Gartner統(tǒng)計(jì)的數(shù)據(jù)，2013年至2023年，半導(dǎo)體前道設(shè)備中，干法刻蝕設(shè)備市場年均增速超過15%，化學(xué)薄膜設(shè)備市場年均增速超過14%，這兩類設(shè)備增速遠(yuǎn)高于其他種類的設(shè)備。 圖|20
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    2024/11/12
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  • 走過路過不要錯(cuò)過，進(jìn)來看看全球半導(dǎo)體CVD/ALD設(shè)備商統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)吧
    昨天發(fā)布了設(shè)備電源、離子源的供應(yīng)商數(shù)據(jù)，我正考慮接下來發(fā)布什么數(shù)據(jù)時(shí)，就有我知識星球的會(huì)員私信向我要CVD設(shè)備的供應(yīng)商數(shù)據(jù)。好吧，那我就整理發(fā)布一下吧，順便把ALD的也一并發(fā)布了
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  • 晶圓制造之化學(xué)氣相沉積CVD工藝
    在制造集成電路時(shí)，有時(shí)候我們需要在硅片（也就是晶圓）表面上沉積一些特定的材料層，比如氮化硅（Si?N?）或氮氧化硅（SiON）。這些材料層不能直接從基板上生成，所以我們采用化學(xué)氣相沉積（CVD）這種方法。
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  • HDPCVD的原理
    知識星球里的學(xué)員問：麻煩介紹下HDPCVD的具體用途，原理。 什么是HDPCVD? HDPCVD，全名High Density Plasma Chemical Vapor Deposition，即高密度等離子體化學(xué)氣相沉積。它產(chǎn)生的等離子體密度非常高，通常在1011至1012 ions/cm3的量級。相比之下，PECVD的等離子體密度就很低了，在間隔寬度小于0.5μm的情況下，用PECVD填充高的
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  • 什么是FCVD？
    學(xué)員問：昨天在直播的時(shí)候有你說FCVD，我之前是沒有聽過這類的CVD，可以詳細(xì)介紹一下嗎？FCVD，全稱是Flowable Chemical Vapor Deposition，即流動(dòng)化學(xué)氣相沉積。結(jié)合了旋涂電介質(zhì) (SOD) 優(yōu)異的間隙填充性能和 CVD 的工藝穩(wěn)定性，用來制造線寬在20 納米以下的ILD（層間介電質(zhì)）。
    1.6萬
    2024/08/15
    CVD
  • 晶圓制造CVD工藝面試知識點(diǎn)小結(jié)
    無錫某Fab工程師工作5年的王工分享了CVD工藝崗位的面試問題及知識點(diǎn)如下，僅供參考：
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  • 晶圓制造CVD工藝常見面試問題
    在無錫某Fab工程師工作5年的王工分享了CVD工藝崗位的面試問題：這些問題覆蓋了CVD工藝的各個(gè)方面，包括基礎(chǔ)知識、工藝優(yōu)化、設(shè)備管理以及實(shí)際應(yīng)用。
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  • 用鉆石代替 GPS 來導(dǎo)航？
    許多應(yīng)用，包括手機(jī)和汽車傳感器，都廣泛使用磁力測量技術(shù)。傳感器通常很大、很貴，而且需要低溫冷卻，這對可用性有不利影響。為了獲得最高的靈敏度，金剛石驅(qū)動(dòng)設(shè)備成為一種緊湊、便攜的選擇。近日，Element Six與其合作者SBQuantum 、英國華威大學(xué)分別發(fā)布了基于量子金剛石的應(yīng)用拓展方面的合作進(jìn)展。
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  • 晶圓？還是晶方？CVD金剛石晶圓尺寸怎么計(jì)算？
    在以往的印象里，晶圓是圓的，芯片是方的。為什么叫晶圓？不叫晶方？為什么晶圓是圓的，芯片是方的？晶圓的尺寸怎么計(jì)算？……昨天，寧波晶鉆60 mm × 60 mm的單晶金剛石片在行業(yè)內(nèi)引起熱度與討論，這是3.35英寸？還是2.36英寸？業(yè)內(nèi)究竟以什么為標(biāo)準(zhǔn)？
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  • 3.35英寸！寧波晶鉆同質(zhì)外延單晶金剛石再次突破
    近日，在寧波晶鉆科技股份有限公司的金剛石產(chǎn)業(yè)園內(nèi)，一顆顆CVD大單晶金剛石如期上線。其中，一顆60 mm?×?60 mm的單晶金剛石片映入眼簾。據(jù)了解，該金剛石片采用的是同質(zhì)外延生長技術(shù)，這不是晶鉆科技的首次突破！
    3.35英寸！寧波晶鉆同質(zhì)外延單晶金剛石再次突破
  • 特瑞堡完成半導(dǎo)體收購，擴(kuò)大在亞洲的產(chǎn)能
    Trelleborg完成了對韓國領(lǐng)先制造商MNE Group的收購，大大增強(qiáng)了其在半導(dǎo)體密封市場的能力。 MNE集團(tuán)由材料納米工程和材料納米解決方案公司組成，主要為售后市場和原始設(shè)備制造商生產(chǎn)高性能特種密封件。此次收購為特瑞堡密封解決方案公司提供了新的產(chǎn)品和能力，并與全球最大的半導(dǎo)體本土市場之一的一些最重要的制造商建立了客戶聯(lián)系。 Trelleborg Sealing Solutions業(yè)務(wù)區(qū)總裁
    特瑞堡完成半導(dǎo)體收購，擴(kuò)大在亞洲的產(chǎn)能
  • 如何選擇合適的前驅(qū)體用于特定的CVD工藝
    在化學(xué)氣相沉積（CVD）工藝中，選擇合適的前驅(qū)體是確保薄膜生長質(zhì)量和性能的關(guān)鍵因素之一。不同的前驅(qū)體具有不同的熱解特性、反應(yīng)活性和產(chǎn)物形成路徑，因此在選擇前驅(qū)體時(shí)需要考慮其與基片和工藝條件的匹配性。本文將探討如何選擇合適的前驅(qū)體用于特定的CVD工藝，以實(shí)現(xiàn)高效、穩(wěn)定和優(yōu)質(zhì)的薄膜生長。
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    2024/08/20
    CVD
  • 如何判斷CVD工藝中前驅(qū)體的使用效率？如果效率降低，你會(huì)如何改進(jìn)
    在化學(xué)氣相沉積（Chemical Vapor Deposition，CVD）工藝中，前驅(qū)體的使用效率對于薄膜生長過程和最終產(chǎn)品的質(zhì)量很重要。有效地利用前驅(qū)體可以提高生產(chǎn)效率、減少成本，并優(yōu)化薄膜的性能。本文將探討如何判斷CVD工藝中前驅(qū)體的使用效率以及針對效率下降情況需要采取的改進(jìn)措施。
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    2024/08/20
    CVD
  • CVD設(shè)備中的真空泄漏問題如何解決
    在化學(xué)氣相沉積（Chemical Vapor Deposition, CVD）設(shè)備中，保持恰當(dāng)?shù)恼婵斩仁谴_保生長薄膜質(zhì)量和提高生產(chǎn)效率的關(guān)鍵因素之一。然而，真空系統(tǒng)常常面臨泄漏問題，可能會(huì)嚴(yán)重影響反應(yīng)室內(nèi)壓力和氣氛控制，從而導(dǎo)致產(chǎn)品質(zhì)量下降。本文將探討CVD設(shè)備中的真空泄漏問題，以及解決這些問題的方法。
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    2024/08/20
    CVD
  • 如何進(jìn)行CVD設(shè)備的日常維護(hù)以確保工藝的穩(wěn)定性
    化學(xué)氣相沉積（Chemical Vapor Deposition, CVD）是一種重要的薄膜生長技術(shù)，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、光電子、材料科學(xué)等領(lǐng)域。為確保CVD工藝的穩(wěn)定性和薄膜質(zhì)量，日常維護(hù)很有必要。本文將探討如何進(jìn)行CVD設(shè)備的日常維護(hù)，以確保工藝的穩(wěn)定性和薄膜生長的高質(zhì)量。
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    2024/08/20
    CVD
  • 在HDPCVD過程中，如果發(fā)現(xiàn)薄膜應(yīng)力過高，可以采取什么措施
    在高溫等離子化學(xué)氣相沉積（HDPCVD）過程中，薄膜的應(yīng)力異常高可能會(huì)影響薄膜的結(jié)構(gòu)和性能，甚至導(dǎo)致薄膜破裂。因此，及時(shí)采取措施來減輕或消除薄膜的應(yīng)力至關(guān)重要。本文將討論在HDPCVD過程中，當(dāng)發(fā)現(xiàn)薄膜應(yīng)力過高時(shí)，可以采取哪些措施來解決這一問題。
    2165
    2024/08/20
    CVD

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