DDR4

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DDR4內(nèi)存是新一代的內(nèi)存規(guī)格。2011年1月4日,三星電子完成第一條DDR4內(nèi)存。DDR4相比DDR3最大的區(qū)別有三點:16bit預(yù)取機制(DDR3為8bit),同樣內(nèi)核頻率下理論速度是DDR3的兩倍;更可靠的傳輸規(guī)范,數(shù)據(jù)可靠性進一步提升;工作電壓降為1.2V,更節(jié)能。

DDR4內(nèi)存是新一代的內(nèi)存規(guī)格。2011年1月4日,三星電子完成第一條DDR4內(nèi)存。DDR4相比DDR3最大的區(qū)別有三點:16bit預(yù)取機制(DDR3為8bit),同樣內(nèi)核頻率下理論速度是DDR3的兩倍;更可靠的傳輸規(guī)范,數(shù)據(jù)可靠性進一步提升;工作電壓降為1.2V,更節(jié)能。收起

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  • 存儲現(xiàn)貨市場資源緊缺,拉動行業(yè)DDR4和LPDDR4X價格上漲
    近期時間存儲現(xiàn)貨市場中部分供應(yīng)端LPDDR4X/DDR4資源供應(yīng)吃緊,推動現(xiàn)貨市場部分資源價格上漲,材料成本上揚傳導(dǎo)至現(xiàn)貨成品端,部分存儲廠商嘗試調(diào)漲行業(yè)內(nèi)存條和LPDDR4X成品價格,主要源于供需關(guān)系失衡與外部政策沖擊的雙重作用,機構(gòu)預(yù)測DDR4漲價周期能維持到Q2階段。但由于終端客戶銷售動能不足,拉貨意愿不強,使得存儲價格上漲幅度較為有限。
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  • DDR4 SDRAM規(guī)范知識體系總結(jié)大綱
    1. 標(biāo)準(zhǔn)定位:? JESD79-4標(biāo)準(zhǔn)定義DDR4 SDRAM最低要求,覆蓋2Gb-16Gb容量x4/x8/x16配置器件。? 基于DDR3(JESD79-3)演進,優(yōu)化信號完整性、能效和功能擴展。
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    04/08 10:00
    DDR4 SDRAM規(guī)范知識體系總結(jié)大綱
  • 存儲廠商沒有笑出雙十一
    國內(nèi)市場DRAM現(xiàn)貨價格在整個11月份持續(xù)走低,尤其是DDR4受到的沖擊尤為嚴(yán)重。相比之下,NAND閃存價格顯示出穩(wěn)定跡象。業(yè)內(nèi)估計,雙十一期間 DRAM 模組整體銷量與 2023 年同期相比下降約 20%。單位銷量下降 16%,平均售價下降約 9%。在產(chǎn)品價格貢獻方面,2024年雙十一期間,SSD的銷售表現(xiàn)已超越DRAM模組。今年雙十一,長江存儲旗下的致態(tài)品牌表現(xiàn)亮眼,在京東實現(xiàn)了SSD品類交易總額(GMV)和銷量的雙料第一,超過了三星。
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  • Teledyne e2v發(fā)布面向高可靠性航空航天和國防應(yīng)用篩選的基于Arm?的LX2160處理器
    Teledyne e2v保證NXP LX2160 16核Arm?Cortex?A72處理器的軍級版本在-55°C至+125°C可靠運行 Teledyne e2v宣布,該公司已通過認(rèn)證并發(fā)布了LX2160的篩選版,可在-55°C至+125°C之間工作。這款符合軍用標(biāo)準(zhǔn)的處理器采用16核Arm?Cortex?A72設(shè)計,以最小的外形尺寸和優(yōu)化的功率包絡(luò),為航空航天和國防設(shè)備上的AI邊緣計算系統(tǒng)、單板計
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  • DDR4的單、雙DIE兼容,不做仿真行不行?
    地址信號一驅(qū)五的DDR4拓?fù)浜艹R姡墒?,一?qū)五拓?fù)溥€要求單DIE、雙DIE顆粒兼容的你有見過嗎?案例開講之前,先簡單介紹下DIE,英語學(xué)的好的同學(xué)都知道這個詞的意思不太吉利,不過,芯片設(shè)計領(lǐng)域的DIE(裸晶)是另外一個意思,它通常指的是芯片內(nèi)部一個單獨的晶圓區(qū)域,包含了芯片的一個或一組完整功能單元,大致可以理解為去掉了封裝和引腳的芯片。芯片根據(jù)功能和規(guī)模由一個或多個DIE構(gòu)成。
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  • FPGA DDR4讀寫實驗(1)
    DDR4 SDRAM(Double-Data-Rate Fourth Generation Synchronous Dynamic Random Access Memory,簡稱為 DDR4 SDRAM),是一種高速動態(tài)隨機存取存儲器,它屬于 SDRAM 家族的存儲器產(chǎn)品,提供了相較于 DDR3 SDRAM 更高的運行性能與更低的電壓,并被廣泛的應(yīng)用于計算機的運行緩存。
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    2024/07/03
  • DDR3最后的漲聲?
    不久前,有媒體報道三星和 SK 海力士最終將永久關(guān)閉各自的 DDR3 生產(chǎn)線,兩家韓國存儲制造商可能在今年下半年停止向市場供應(yīng) DDR3 內(nèi)存。隨后市場傳出DDR3產(chǎn)品漲價的消息。兩家公司做出這一改變的理由并不難理解,AI火熱的當(dāng)下,相關(guān)內(nèi)存供不應(yīng)求。為了利潤率,搶占未來十年的市場,存儲巨頭們發(fā)力HBM和DDR5等產(chǎn)品也不難理解。
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  • Teledyne e2v 提供采用德州儀器電源的高集成、耐輻射DDR4內(nèi)存解決方案
    為幫助衛(wèi)星設(shè)備原始制造商(OEM)簡化開發(fā)工作并減少所需的時間和工程量,Teledyne e2v與德州儀器(TI)協(xié)作開發(fā)了一個新的耐輻射DDR4模塊平臺。這款已經(jīng)過現(xiàn)場驗證的硬件由一個容量為4GB/8GB的Teledyne e2v DDRT0xG72 DDR4內(nèi)存以及一個為DDR4模塊穩(wěn)定供電的TI TPS7H3301-SP DDR終端低壓降(LGD)穩(wěn)壓器組成。
  • 金泰克四大服務(wù)器內(nèi)存,為企業(yè)打造高效存儲方案
    面對數(shù)據(jù)爆發(fā)式增長,企業(yè)存儲在性能、可靠性、能耗等方面存在諸多挑戰(zhàn)。作為國內(nèi)存儲頭部企業(yè),金泰克在消費級存儲領(lǐng)域取得矚目成績的同時,全線發(fā)力企業(yè)級和工控級市場,引領(lǐng)存儲市場高速發(fā)展。 12月9日,金泰克針對企業(yè)存儲需求,同時發(fā)布4款企業(yè)級內(nèi)存產(chǎn)品,兼具高效率、高穩(wěn)定、高耐用等特性,為企業(yè)打造高效數(shù)據(jù)存儲方案。 DDR4 RDIMM 服務(wù)器內(nèi)存 適用各大數(shù)據(jù)領(lǐng)域 金泰克依托強大的研發(fā)團隊,經(jīng)過多年研
  • Teledyne e2v的8 GB DDR4存儲器進入太空
    Teledyne e2v今日宣布推出8 GB宇航級DDR4存儲器,作為其太空邊緣計算解決方案的一部分。該公告是在所有內(nèi)部去風(fēng)險化活動(包括輻射/栓鎖效應(yīng)測試和初步工業(yè)化檢查)圓滿結(jié)束之后發(fā)布的。隨著對小巧、高密度存儲器的需求激增,Teledyne e2v強調(diào)其最新的存儲器芯片能與當(dāng)下所有高端太空處理組件兼容,其中包括AMD/Xilinx VERSAL? ACAP處理器、宇航級FPGA、MPSOC、
  • 針對車載監(jiān)控應(yīng)用,佰維推出C1008系列SSD
    佰維工業(yè)級存儲C系列產(chǎn)品是針對車載視頻監(jiān)控領(lǐng)域的定制化解決方案,繼公司2019年成功推出C1004系列產(chǎn)品后,結(jié)合前期的成功經(jīng)驗和市場供需環(huán)境的變化,佰維重磅推出C系列新品——C1008。
  • 配置高+超級省,148元工業(yè)級Cortex-A55核心板不限量發(fā)售!
    全新高性價比工業(yè)級Cortex-A55核心板不限量發(fā)售,1G內(nèi)存+8G存儲僅148元。百套開發(fā)套件蓄勢待發(fā)、邀您評測!“禮遇11月”活動已全面開啟,參與評測即有機會獲得開發(fā)板,更有華為智能手表等你拿,詳情見文末。
  • 消費性需求不見起色,供應(yīng)鏈庫存仍高,第四季DRAM價格跌幅擴大至13~18%
    據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示,在高通脹影響下,消費性產(chǎn)品需求疲軟,旺季不旺,第三季存儲器位元消耗與出貨量持續(xù)呈現(xiàn)季減,各終端買方因存儲器需求明顯下滑而延緩采購,導(dǎo)致供應(yīng)商庫存壓力進一步升高。
  • DDR3的謝幕
    當(dāng)三星發(fā)出通知將在兩年內(nèi)停產(chǎn)DDR3,最后接單時間截止到2022年末時,DDR3似乎就宣告終局;而三星之后,SK海力士也開始計劃停產(chǎn)DDR3內(nèi)存。全世界第一大、第二大內(nèi)存廠商相繼停產(chǎn),DDR3正準(zhǔn)備謝幕。
  • DRAM位密度提升40%背后
    40%位密度提升帶來的好處是什么呢?美光DRAM制程集成副總裁Thy Tran在接受與非網(wǎng)專訪時表示:“無論是用于手機還是汽車,1α DRAM的內(nèi)存密度提高了40%,這使得客戶能夠?qū)⒏嗟臄?shù)據(jù)存放到更緊湊的空間中,為進一步的性能提升釋放空間?!?/div>
  • 【一周行情】DRAM價格回補,NAND Flash價格波動,原因是?
    DRAM價格回補1本周DRAM現(xiàn)貨市場買氣疲弱,多半工廠大致備有近2個月庫存,在終端需求不明情況下,買家皆持觀望態(tài)度,DDR3及DDR4部分容量顆粒因先前跳漲過快,價格出現(xiàn)回補,不過整體DRAM顆粒供貨仍是吃緊,預(yù)期未來價格可望維持高檔態(tài)勢。
  • 【一周行情】DRAM價格上漲,閃存價格漲跌互見
    DRAM 交易情況熱絡(luò)1即使即將進入農(nóng)歷年,本周 DRAM 市場需求動能依然暢旺,由于多半買家皆樂觀看待未來漲勢,DDR3 各容量品牌顆粒以及 DDR4 ett/reball 購貨力道明顯強勁,成交價格不斷墊高,較先前預(yù)期的價格漲幅還要更明顯,并沒有趨緩的狀況發(fā)生,因此整體交易情況熱絡(luò)。
  • 【一周行情】NAND Flash價格上漲后又回落,原因是?
    新年假期后DRAM市場買氣趨緩,主要因整體品牌顆粒價格皆處于高位,在模組價格尚未跟進前,買家出手意愿偏向保守,而在eTT/reball顆粒部分,低價位買氣則是相對熱絡(luò),預(yù)估未來仍有上漲空間。
  • DDR5來了,這些新內(nèi)存技術(shù)你掌握了嗎?
    DDR5到底有哪些新技術(shù)特性?從原理上怎么理解,系統(tǒng)工程師又面臨著哪些挑戰(zhàn)?
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    4評論
    2020/02/03
  • 芯片世界觀︱DRAM市占率大戰(zhàn),2017年成DDR4首次反超DDR3的關(guān)鍵節(jié)點?
    IC Insights預(yù)計DDR4將成為2017年DRAM市場的主導(dǎo)產(chǎn)品,市場份額將攀升至58%,而DDR3的市場份額將下滑至39%。

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