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砷化鎵（gallium arsenide）是一種無機化合物，化學式為GaAs，為黑灰色固體，熔點1238℃。它在600℃以下能在空氣中穩(wěn)定存在，并且不被非氧化性的酸侵蝕。砷化鎵是一種重要的半導體材料。屬Ⅲ－Ⅴ族化合物半導體。屬閃鋅礦型晶格結構，晶格常數(shù)5.65×10-10m，禁帶寬度1.4電子伏。2017年10月27日，世界衛(wèi)生組織國際癌癥研究機構公布的致癌物清單初步整理參考，砷和無機砷化合物在1類致癌物清單中。

砷化鎵（gallium arsenide）是一種無機化合物，化學式為GaAs，為黑灰色固體，熔點1238℃。它在600℃以下能在空氣中穩(wěn)定存在，并且不被非氧化性的酸侵蝕。砷化鎵是一種重要的半導體材料。屬Ⅲ－Ⅴ族化合物半導體。屬閃鋅礦型晶格結構，晶格常數(shù)5.65×10-10m，禁帶寬度1.4電子伏。2017年10月27日，世界衛(wèi)生組織國際癌癥研究機構公布的致癌物清單初步整理參考，砷和無機砷化合物在1類致癌物清單中。收起

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  • 砷化鎵（GaAs）晶圓的光刻膠殘留
    光刻膠的殘留在不同外延基板上處理工藝也不同，玻璃基板或者藍寶石就會抗造一點，砷化鎵、磷化銦等就要避免酸堿。
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  • GaAs芯片的表面工藝異常問題
    一、砷化鎵表面存在氧化層。GaAs屬于閃鋅礦結構，具有立方晶系Fm3m空間群，晶胞參數(shù)為5.646 ?。Ga原子位于晶胞的頂點，As原子位于晶胞的面心和體內，形成四面體結構。
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  • GaAs晶圓的清洗和表面處理工藝
    GaAs晶圓作為常用的一類晶圓，在半導體功率芯片和光電子芯片都有廣泛應用。而如何處理好該類晶圓的清洗和進一步的鈍化工作是生產工藝過程中需要關注的點。
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  • CHA5659-98F高功率放大器UMS
    UMS的CHA5659-98F是款四級單片GaAs高功率放大器，輸出功率為1.3瓦。CHA5659-98F是極度線性的，具備可能出現(xiàn)的增益控制并集成化功率檢測器。包含ESD保護。
  • 地芯科技推出線性CMOS PA，突破30-33dBm區(qū)間GaAs壟斷
    近幾年，受到市場驅動以及地緣政治等因素的影響，半導體產業(yè)出現(xiàn)自主研發(fā)熱潮，與此同時，同質化競爭問題不斷涌現(xiàn)，尤其在射頻前端領域怎一個“卷”字了得。當然“卷”也有兩面性，好的一面是充分競爭下的行業(yè)創(chuàng)新動力會更強，而不好的一面是大多數(shù)企業(yè)沒辦法做到技術迭代和資金流的正向循環(huán)。 圖 | 地芯科技副總裁張頂平 地芯科技副總裁張頂平就此表示：“射頻前端行業(yè)的卷有目共睹，做同樣PA產品的企業(yè)可能就有十幾到二十
    2133
    2023/05/19
    地芯科技推出線性CMOS PA，突破30-33dBm區(qū)間GaAs壟斷
  • 誰將成為化合物半導體市場贏家？
    與非導語 你中有我，我中有你，卷在一起。 隨著世界對通信、傳感和功率效率的要求越來越高，到2027年，CS（化合物半導體）襯底材料市場將翻一番以上，與硅相比，預計用于功率應用的SiC的市場份額將大幅增加。這是Yole Group旗下Yole Intelligence《2022年化合物半導體現(xiàn)狀》的觀點。所有的大趨勢都在其路線圖中增加了化合物半導體器件的使用。 用于RF（射頻）GaN的襯底包括硅和S
    2037
    2023/04/20
  • GaAlAs/GaAs半導體激光器
    可見光激光器的應用是十分廣泛的，甚至有人說可見激光是比LED更棒的光源。但是其發(fā)展的主要困難是如何選擇合適的有源層、限制層材料以及對應的生長工藝。
  • GaAs Thin Wafer的強度提升探究
    上幾天研究了一下GaAs的拋光，其實化合物半導體的拋光都會面臨薄晶圓強度小，晶圓有著天然的解離鏡像，容易裂片的問題。
    784
    2022/06/27
  • 半導體激光器芯片減薄、拋光工藝
    激光器都是在外延的基礎上做出芯片的結構設計，外延厚度2寸的在350um，4寸的在460um左右，到芯片后期，都需要對晶圓進行減薄，厚度有做到80um的，也有120um的，通常為兼顧芯片性能和破片良率問題，100um的厚度成為常見厚度。
  • 化合物半導體 | GaN和GaAs市場是競爭還是和諧？
    2021年第一季度以來，半導體行業(yè)，確切說是化合物半導體市場發(fā)生了一些引人注目的變化：SiC（碳化硅）、GaN（氮化鎵）和GaAs（砷化鎵）均在其中。
    799
    2021/11/16
  • Peregrine：UltraCMOS高頻產品擴展至以往GaAs主導頻段
    Peregrine（派更半導體）規(guī)模并不大，在被村田收購前，營收規(guī)模約為2億美元，是一家小而有特色的射頻技術公司，派更半導體的特色就在于其UltraCMOS技術。 派更半導體創(chuàng)始人Ron Reedy 與 Mark Burgener等是RF SOI（射頻絕緣體上硅）技術的發(fā)明者，UltraCMOS技術源于Ron Reedy
  • 芯思想 | 美國軍用GaN進展情況
    2005年，美國國防部高級研究計劃局(DARPA)為開始將氮化鎵(GaN)視為砷化鎵(GaAs)的替代品，開始為制造商提供GaN研發(fā)資金，從而開始致力于其發(fā)展。可以說近十年來，電子戰(zhàn)和雷達最大的變化之一就是材料由GaAs向GaN過渡，度由此帶來功率、可靠性和經濟上的改善。
    15
    2017/03/28
  • 高通搶攻GaAs功率放大器市場，穩(wěn)懋為啥也能跟著樂呵
    美國高通（Qualcomm）宣布推出一系列全面性的射頻前端（RFFE）解決方案，包括首度推出砷化鎵（GaAs）多模功率放大器（MMPA）模塊，與首款支持載波聚合（Carrier Aggregation，CA）的動態(tài)天線調諧解決方案。
  • 從設計、測試到封裝，5G毫米波技術面臨哪些挑戰(zhàn)？
    運營商、設備廠商和芯片廠商正在齊心協(xié)力地推動第五代移動通信標準（即5G）的制定。5G是現(xiàn)在4G（也稱為長期演進項目，Long term evolution，即LTE）移動通信標準的下一代，5G數(shù)據(jù)傳輸速率可超過10Gbps，是現(xiàn)在LTE標準的100倍。5G技術能否成為現(xiàn)實，現(xiàn)在還是一個疑問。 不過，5G市場已經開始升溫。
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    1評論
    2016/07/01
  • 新日本無線：智能手機仍有利可圖
    2015年的電子產業(yè)主要是由智能手機和汽車電子配件以及工業(yè)設備三大領域來引領其發(fā)展。但是，智能手機行業(yè)受到中國市場增長率下降的影響，器件廠商接受的訂單出現(xiàn)了逐步低落的傾向。雖然如此，但也擋不住一些廠商在智能手機領域有所斬獲。新日本無線即如此，新日本無線常務執(zhí)行董事兼電子元器件事業(yè)部部長村田 隆明表示
  • CMOS定江山，射頻工藝之爭到了水落石出的時候？
    射頻領域圍繞器件工藝一直有很激烈的爭論，放在5年前有廠商提出要用純硅的CMOS工藝器件替代GaAs，在當時可能被視為笑談。RFaxis公司是能夠一路堅持下來并看到希望的為數(shù)不多的純CMOS射頻器件公司之一。和高通的合作可以說為RFaxis打開了一扇門，可以進入消費以及更大的通信市場這片藍海。
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    2014/12/18
  • 嘿，芯片設計師，你選對工藝了嗎？
    當我們把目光投向每天出現(xiàn)在我們的生活中的很多智能系統(tǒng)和小工具 - 從電子書閱讀器到醫(yī)療設備，從電動汽車到混合動力車，會很自然地假設是由于硅半導體技術的發(fā)展使一切變成可能，相關的尺寸和功耗的代代下降遵從大名鼎鼎的摩爾定律。
  • 慕展廠商深度解析：Triquint-合并之后的市場機會
    雖然官方消息稱之為RFMD對Triquint的收購，但在Triquint大中國區(qū)總經理熊挺這里，更愿意稱其為一場合并，因為兩家廠商營收基本是1：1，收購后雙方各持股份也基本是1：1，目前公布的高層人員配比同樣是1：1。但此次合并對整個射頻領域而言無疑于一次地震，可能改變整個產業(yè)的競爭格局。
    1
    2014/03/26

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