Hot Spot技術(shù)

• 芯片失效分析中 Hot Spot 技術(shù)的深度解析與前沿探索

  在半導(dǎo)體技術(shù)持續(xù)向納米級(jí)乃至埃米級(jí)邁進(jìn)的今天，芯片集成度不斷攀升，內(nèi)部結(jié)構(gòu)愈發(fā)復(fù)雜。在芯片的全生命周期中，失效問(wèn)題難以避免，而 Hot Spot 技術(shù)已成為產(chǎn)品工程師破解芯片失效謎團(tuán)的關(guān)鍵利器。該技術(shù)聚焦于芯片內(nèi)部因各種缺陷引發(fā)的過(guò)熱或異常電流密度區(qū)域，精準(zhǔn)定位潛在故障點(diǎn)，為后續(xù)深入分析奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

  國(guó)芯制造

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  12小時(shí)前

  半導(dǎo)體技術(shù) Hot Spot技術(shù)

  

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