MOS管

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PMOS是指n型襯底、p溝道，靠空穴的流動運送電流的MOS管。全稱 ： positive channel Metal Oxide Semiconductor；別名 ： positive MOS。

PMOS是指n型襯底、p溝道，靠空穴的流動運送電流的MOS管。全稱 ： positive channel Metal Oxide Semiconductor；別名 ： positive MOS。收起

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  • 南芯科技推出內置MOS管的高集成度升降壓充電芯片
    南芯科技（證券代碼：688484）宣布推出全集成同步雙向升降壓充電芯片 SC8911，該芯片配備 I2C 接口，專為常見的 2 串電池 30W 充電寶應用進行了效率優(yōu)化，可有效降低外殼溫升，為用戶提供更安全、更高效的充電體驗。SC8911 可支持 OTG 反向升壓功能，兼容涓流充電、預充電、恒流充電、恒壓充電、自動終止等多種模式，助力客戶實現(xiàn)更高的效率、更低的 BOM 成本和更小的 BOM 尺寸。
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  • 從焊接虛焊到靜電擊穿：MDDMOS管安裝環(huán)節(jié)的問題
    在電子制造中，MDDMOS管的安裝環(huán)節(jié)暗藏諸多風險。某智能手表產(chǎn)線因焊接虛焊導致30%的MOS管失效，返工成本超百萬。本文MDD通過典型故障案例，剖析安裝過程中的五大核心問題，并提供系統(tǒng)性解決方案。 一、焊接虛焊：IMC層的致命缺陷 案例：某無人機電調批量出現(xiàn)MOS管功能異常，X射線檢測顯示焊點空洞率達25%。 機理分析： 焊接溫度曲線偏差（峰值溫度未達235℃），導致錫膏與銅層間未形成均勻的IM
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  • 驅動電路設計踩坑錄：MDDMOS管開關異常的診斷與修復
    在電力電子系統(tǒng)中，MDDMOS管的開關異常往往導致效率驟降、EMI超標甚至器件損毀。某新能源汽車OBC模塊因驅動波形振蕩引發(fā)MOS管過熱，導致整機返修率高達15%。本文結合典型故障案例，剖析驅動電路設計中的四大關鍵陷阱，并提供系統(tǒng)性解決方案。 一、柵極振蕩：探針引發(fā)的“假故障” 故障現(xiàn)象： 某變頻器驅動波形實測時出現(xiàn)20MHz高頻振蕩，但上機后MOS管溫升異常。 根因分析： 傳統(tǒng)探針接地線過長（&
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  • MOS管發(fā)燙嚴重：從散熱設計到驅動波形的優(yōu)化實戰(zhàn)|MDD
    在電機驅動、電源轉換等場景中，MDDMOS管嚴重發(fā)熱是工程師面臨的常見挑戰(zhàn)。某工業(yè)伺服驅動器因MOS管溫升達105℃，導致系統(tǒng)頻繁觸發(fā)過溫保護。本文通過解析發(fā)熱機理，結合實測數(shù)據(jù)，提供從散熱設計到驅動優(yōu)化的系統(tǒng)性解決方案。 一、發(fā)熱根源：損耗模型的精準拆解 MOS管發(fā)熱本質是能量損耗的累積，主要包含： 導通損耗：P=IMsxRs(o)xD， 某50A電機驅動案例中，Rds(on)=5mΩ，占空比D
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  • MOS管選型十大陷阱：參數(shù)誤讀引發(fā)的血淚教訓MDD
    在電力電子設計中，MOS管選型失誤導致的硬件失效屢見不鮮。某光伏逆變器因忽視Coss參數(shù)引發(fā)炸管，直接損失50萬元。本文以真實案例為鑒，MDD辰達半導體帶您解析MOS管選型中的十大參數(shù)陷阱，為工程師提供避坑指南。 一、VDS耐壓虛標：動態(tài)尖峰的致命盲區(qū) 誤讀后果：某充電樁模塊標稱650V耐壓MOS管，實際測試中因關斷尖峰達720V導致批量擊穿。 數(shù)據(jù)手冊陷阱：廠家標稱VDS為直流耐壓值，未考慮動態(tài)
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  • MOS管莫名燒毀？5大元兇與防護方案深度解析MDD
    在電子系統(tǒng)設計中，MOS管燒毀是工程師常遇的棘手問題。MDD辰達半導體在本文結合典型失效案例與工程實踐，深度解析五大核心失效機理及防護策略，為電路可靠性提供系統(tǒng)性解決方案。 一、過壓擊穿：雪崩能量的致命威脅 過壓是MOS管燒毀的首要元兇，常見于電源浪涌、感性負載關斷時的電壓尖峰。當漏源電壓（VDS）超過額定耐壓時，雪崩擊穿瞬間產(chǎn)生焦耳熱，導致芯片局部熔融。例如，某共享充電寶主板的MOS管因未配置T
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  • MOS管在不同電路中有什么作用
    MOS管，全稱金屬-氧化物-半導體場效應晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），是電子電路中非常重要的一種元件。它在不同電路中具有多種作用，以下是MOS管在不同電路中的具體作用： 一、作為開關 MOS管最常用的功能之一是作為電子開關。在數(shù)字電路中，MOS管可以非常快速地在導通（ON）和截止（OFF）狀態(tài)之間切換，實現(xiàn)信號的邏輯控
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    01/10 08:50
  • 提升MOS管驅動電路抗干擾性能
    不管什么電路，抗干擾能力都是它的一個重要指標，對于MOS管驅動電路更是如此。因為MOS管不是工作在一個理想的沒有任何電磁干擾的環(huán)境，在一些電磁環(huán)境惡劣的條件下，如果我們的驅動電路設計的不盡合理，可能會出現(xiàn)MOS管誤打開或者非受控關斷，輕則影響性能，重則會對用戶造成傷害。
  • 三極管和MOS管有什么區(qū)別
    三極管和MOS管是電子電路中常見的兩種元器件，它們各自具有獨特的特點和用途。以下是三極管和MOS管的主要區(qū)別： 一、控制方式不同 三極管：是電流控制型器件。三極管的導通需要在其基極（b極）提供電流，才能使發(fā)射極（e極）和集電極（c極）之間導通。流過ce之間的電流與b極電流的關系是Ib*β=Ice，其中β稱為三極管的放大倍數(shù)。 MOS管：是電壓控制型器件。MOS管的導通需要提供一定的柵源電壓（Vgs
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  • 解鎖MOS管：溫度估算不再燒腦~
    溫度是影響MOSFET壽命的關鍵要素之一，為防止過熱導致的MOS失效，使用前進行簡單的溫度估算是必要的。MOS管發(fā)熱的主要原因是其工作過程中產(chǎn)生的各種損耗，能量不會憑空消失，損失的能量最終會通過轉變?yōu)闊崃勘幌牡?，損耗越大發(fā)熱量也隨之越大。在MOSFET開啟的過程中隨著
    1.1萬
    2024/08/08
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  • 反激式電源為什么上電最容易燒MOS管？
    這篇文章總結一下最近在研究的反激電源RCD吸收回路和VDS尖峰問題。這也是為什么MOS管在開機容易被電壓應力擊穿的原因。下圖是反激電源變壓器部分的拓撲。
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  • 首屆“薩科微”杯廠BA籃球聯(lián)賽圓滿舉辦
    無籃球，不夏天！今年夏天，「首屆“薩科微”杯廠BA籃球聯(lián)賽」火熱開場！本屆賽事是由德益會智造 SK廠BA籃球館承辦，Slkor薩科微半導體冠名贊助！自7月5日晚的開幕式至7月16日晚的頒獎閉幕式，這期間德益會智造隊等11支球隊奮力拼搏，秉持“友誼第一，比賽第二”的賽事精神，用汗水、激情和活力傾力奉獻了29場精彩紛呈、亮點不斷的賽事！Slkor薩科微總經(jīng)理宋仕強先生出席開幕式，期間多次到場觀賽助戰(zhàn)，
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  • MOS管的大信號模型和小信號模型--電路分析的基礎
    NMOS管，其電路模型可分為大信號模型和小信號模型。大信號模型，是一個完整的通用的模型，其對輸入交流信號沒有要求；而小信號模型，使用的前提，是輸入交流信號足夠的小。
  • 對標學習世界級企業(yè) 薩科微Slkor半導體不斷微創(chuàng)新帶來大進步！
    我國的科學研究和先進技術，與先進國家相比還有差距，這一點還體現(xiàn)在社會生產(chǎn)效率和人均GDP上面。宋仕強說，我們只有抓住科技進步的風口如人工智能（AI），再加上公司內部的研發(fā)和管理等環(huán)節(jié)的微創(chuàng)新，才可以立于不敗之地。深圳市薩科微半導體有限公司近年來發(fā)展迅速，憑借碳化硅、氮化鎵等新材料、功率器件設計加工環(huán)節(jié)的先進工藝、高效管理和快速擴大生產(chǎn)規(guī)模，不斷降低產(chǎn)品價格、提高市場的占有率，受到了世界各地客戶的認
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  • MOS管參數(shù)解析及國內外大廠技術對比
    MOSFET的單位面積導通電阻和優(yōu)值系數(shù)(FOM)參數(shù)代表了MOSFET的性能，是各大MOSFET廠商產(chǎn)品參數(shù)展示的關鍵指標，也是體現(xiàn)MOSFET芯片制造工藝核心技術能力的關鍵指標。
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    01/15 14:45
  • 增強型和耗盡型MOS管的區(qū)別和聯(lián)系
    金屬氧化物半導體場效應晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET）是一種常見的場效應晶體管，在電子學領域中具有重要應用。增強型（Enhancement-mode）MOS管和耗盡型（Depletion-mode）MOS管是兩種常見類型的MOS管。

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