MOSFET技術(shù)

• 芯片百大榜——峰岹科技，“硬”啃人形機(jī)器人？

  在上一篇文章《國(guó)內(nèi)外人形機(jī)器人用MCU對(duì)比分析》中，我們對(duì)國(guó)內(nèi)外人形機(jī)器人用MCU廠家進(jìn)行了對(duì)比分析。今日，我們?cè)賮?lái)聊聊一家以自主研發(fā)為核心的（BLDC）電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片公司——峰岹科技。 峰岹科技與大多數(shù)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手采用的ARM 內(nèi)核架構(gòu)不同，公司從底層架構(gòu)上將芯片設(shè)計(jì)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)架構(gòu)、電機(jī)技術(shù)三者有效融合，用算法硬件化的技術(shù)路徑在芯片架構(gòu)層面實(shí)現(xiàn)復(fù)雜的電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制算法，形成自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制處理

  王兵

  3743

  04/29 10:51

  MCU芯片 ASIC芯片

  
• 三代進(jìn)化，安森美 EliteSiC MOSFET 技術(shù)發(fā)展解析

  SiC 器件性能表現(xiàn)突出，能實(shí)現(xiàn)高功率密度設(shè)計(jì)，有效應(yīng)對(duì)關(guān)鍵環(huán)境和能源成本挑戰(zhàn)，也因此越來(lái)越受到電力電子領(lǐng)域的青睞。與硅 (Si) MOSFET 和 IGBT 相比，SiC 器件的運(yùn)行頻率更高，有助于實(shí)現(xiàn)高功率密度設(shè)計(jì)、減少散熱、提高能效，并減輕電源轉(zhuǎn)換器的重量。其獨(dú)特的材料特性可以減少開(kāi)關(guān)和導(dǎo)通損耗。與 Si MOSFET 相比，SiC 器件的電介質(zhì)擊穿強(qiáng)度更高、能量帶隙更寬且熱導(dǎo)率更優(yōu)，有利于開(kāi)發(fā)更緊湊、更高效的電源轉(zhuǎn)換器。

  安森美半導(dǎo)體

  1520

  02/20 10:55

  安森美 SiC MOSFET
• 提高工業(yè)電機(jī)效率：采用SiCMOSFET技術(shù)的三相逆變器

  工業(yè)電機(jī)需要可靠、高效的電源解決方案。這款采用SiC（碳化硅）MOSFET技術(shù)設(shè)計(jì)的三相逆變器代表著在滿(mǎn)足現(xiàn)代工業(yè)應(yīng)用的功率和效率需求方面邁出了重要一步。SiCMOSFET因其降低導(dǎo)通電阻和增加擊穿電壓的能力而受到認(rèn)可，使其成為高壓、高效應(yīng)用的理想選擇。在本文中，我們將介紹逆變器的規(guī)格、關(guān)鍵組件和操作功能。

  騰恩科技

  747

  2024/11/15

  SiC MOSFET 三相逆變器

  
• KLV2002光耦固態(tài)繼電器的主要特性

  KLV2002采用光耦合MOSFET技術(shù)，在輸入和輸出之間提供3750Vrms的隔離，以確保在高壓環(huán)境下安全運(yùn)行。其隔離屏障由輸入側(cè)的高效GaAlAs紅外LED和輸出側(cè)的MOSFET組成，實(shí)現(xiàn)無(wú)電接觸的信號(hào)傳輸。

  克里雅半導(dǎo)體科技

  1015

  2024/11/15

  光耦 光耦合器

  

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