PMOS

• PMOS NBTI效應(yīng)，從失效原理到主流工藝改善！

  近年來，隨著半導(dǎo)體工業(yè)的不斷發(fā)展，集成電路設(shè)計及制造工藝取得了非常巨大的進(jìn)步，越來越多的先進(jìn)技術(shù)運用到集成電路制造工藝中，促進(jìn)了集成電路尺寸的微縮。隨著器件尺寸的不斷縮小，尤其是進(jìn)入先進(jìn)技術(shù)節(jié)點之后，器件可靠性問題日趨嚴(yán)重，對器件的進(jìn)一步微縮構(gòu)成的很大挑戰(zhàn)。其中PMOS負(fù)偏壓溫度不穩(wěn)定性（Negative bias temperature instability， NBTI）尤為突出，嚴(yán)重限制了PMOS器件壽命，已成為器件微縮時比較棘手的問題之一。

  國芯制造

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  04/28 12:05

  PMOS

  
• 手把手教你用PMOS搭建一個電源端反接保護(hù)電路，1000字搞清楚每個器件的選型

  下面是一個反接保護(hù)電路，用在12V電源輸入端，保護(hù)后級負(fù)載不被電源接反給“坑”了。這個電路的核心任務(wù)是防止電源正負(fù)極接反時，電流反向流到負(fù)載，把后級電路燒壞。

  硬件那點事兒

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  04/07 11:35

  電路設(shè)計 保護(hù)電路

  

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