芯耀
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2月12日消息，據(jù)《南華早報》報道，中國大陸NAND Flash大廠長江存儲近幾個月大幅削減半導體生產(chǎn)設備訂單，其中，對于國產(chǎn)半導體設備大廠北方華創(chuàng)的采購訂單就遭暴砍了70%。這也反映了長江存儲的擴產(chǎn)計劃受到了阻礙。
去年10月，美國政府出臺了對華半導體出口管制新規(guī)，禁止美國設備廠商向大陸芯片制造商出口可以被用于16nm或14nm或以下非平面晶體管結(jié)構（即FinFET或GAAFET）的邏輯芯片、18nm半間距或更小的DRAM內(nèi)存芯片、128層或以上NAND閃存芯片制造的半導體設備。而這也直接限制了長江存儲發(fā)展128層以上NAND Flash。隨后在去年12月，美國政府又將長江存儲列入了“實體清單”，這更加使得長江存儲連128層以下NAND Flash芯片制造所需的美系半導體設備的采購也面臨受阻。
由于目前應用材料、泛林集團及科磊這三大美國半導體設備廠商在市場上擁有著強大的技術優(yōu)勢及市場地位，長江存儲目前在無法獲得美系半導體設備的情況下，其原有的擴產(chǎn)計劃及現(xiàn)有產(chǎn)線的維護都將受到影響。此前消息顯示，長江存儲近期已經(jīng)進行了一輪裁員，裁員比例約為10%。
另外，在今年1月底，有業(yè)內(nèi)消息顯示，由于設備采購供應鏈中斷，長江存儲可能推遲在武漢的第二家晶圓廠的建設。另一位行業(yè)專家、華為前技術人員稱，長江存儲并不缺乏光刻系統(tǒng)，因為它在實施限制之前已購買數(shù)臺光刻系統(tǒng)，但挑戰(zhàn)在于泛林集團等設備供應商的蝕刻設備，這對于復雜的3D NAND晶圓制造工藝至關重要，因為NAND芯片堆疊的層數(shù)越多，制造過程中就會需要更多的蝕刻設備。
從全球刻蝕設備市場份額來看，泛林半導體、東京電子和應用材料三家企業(yè)的合計占據(jù)了全球刻蝕設備市場的90%以上。其中泛林半導體獨占52%的市場份額，東京電子與應用材料分別占據(jù)20%和19%的市場份額。
通過對長江存儲歷史招標信息進行統(tǒng)計，截止 2021 年 6 月 30 日，共招標光刻機 44 臺、刻蝕機 379 臺、薄膜沉積 675 臺、CMP124 臺、涂膠/顯影/去膠 130 臺、清洗設備 142 臺、氧化/擴散/熱處理241臺、量測設備371臺，合計價值量約400~500 億元人民幣。
其中，在刻蝕設備方面，美國廠商泛林集團占據(jù)超過一半的采購量。中微公司中標了50臺CCP 等離子體刻蝕機；屹唐半導體中標了13臺ICP 等離子體刻蝕機；北方華創(chuàng)則中標了24臺ICP 等離子體刻蝕機。此外，北方華創(chuàng)還中標了2臺清洗設備。
據(jù)芯智訊了解，雖然近年來長江存儲有持續(xù)加大國產(chǎn)刻蝕設備的采購比例，但是目前國產(chǎn)刻蝕設備主要被應用于一些非關鍵層的刻蝕，關鍵層的刻蝕還是需要泛林集團的設備，畢竟技術上的差距是現(xiàn)實存在的。即便是去年10月美國對華半導體出口限制新規(guī)出臺，導致被應用于128層及以上NAND Flash芯片制造所需的美系設備采購受阻，長江存儲也首選加大了對于東京電子刻蝕設備的采購。
值得注意的是，目前美國還與另外兩大半導體設備強國日本和荷蘭達成了對華半導體出口管制協(xié)議，雖然目前日本和荷蘭尚未出臺正式的政策，但是預計會與美國去年10月出臺的對華半導體出口管制新規(guī)對齊。這也意味著，未來長江存儲等國產(chǎn)半導體制造商希望通過獲取日本、荷蘭及國產(chǎn)半導體設備來組建非美系產(chǎn)線也將會遇阻。
由于半導體制造是一個很長的鏈條，需要用到幾十上百種設備，經(jīng)過數(shù)百道工序，任何一個設備環(huán)節(jié)出現(xiàn)問題，整個鏈條就無法正常運轉(zhuǎn)。因此，只要長江存儲所需的一類關鍵設備采購受阻，且國產(chǎn)設備無法實現(xiàn)平穩(wěn)的替代，那么長江存儲原計劃的擴產(chǎn)將無法繼續(xù)實施，同時現(xiàn)有的產(chǎn)線的運維保障未來可能也將受到影響?；诖?，長江存儲必然將會停止原有的擴產(chǎn)計劃，短期內(nèi)對于國產(chǎn)設備的采購也將大幅減少。
不過，鑒于原本北方華創(chuàng)之前來自長江存儲的訂單占比似乎也并不大（有數(shù)據(jù)稱約為5%），此次長江存儲砍單對于北方華創(chuàng)的影響可能沒有想象中的那么大。當然今年原本能拿到的長江存儲的設備訂單被砍掉了70%，對于北方華創(chuàng)今年的設備出貨來說則是少了一大助力。
編輯：芯智訊-浪客劍
