半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的產(chǎn)業(yè)鏈劃分、主要生產(chǎn)基地、分類(lèi)、性能及應(yīng)用范圍對(duì)比

一、存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈劃分

• 晶圓：三星、美光、海力士、西數(shù)、鎧俠、長(zhǎng)鑫等。
• 主控芯片廠(chǎng)：慧榮、聯(lián)蕓、Marvell、群聯(lián)電子、德明利等，前三家分別占比57.69%、16.67%、15.38%。
• 封裝測(cè)試廠(chǎng)：日月光、通富微電等，廠(chǎng)商較多。
• 模組廠(chǎng)：金士頓、威剛、閃迪、創(chuàng)見(jiàn)、江波龍等。
  

二、存儲(chǔ)器主要生產(chǎn)基地

• • 韓國(guó)
    • DRAM：三星(華城市、平澤市)海力士(利川)
    • NAND Flash：三星(華城市、平澤市)海力士(清州、利川)
  • 日本
    • DRAM：美光（廣島）
    • NAND Flash：鎧俠(四日市、巖手縣)西部數(shù)據(jù)(四日市、巖手縣)
  • 美國(guó)：美光DRAM和NAND Flash
  • 中國(guó)
    • DRAM：海力士(無(wú)錫)長(zhǎng)鑫(合肥）
    • NAND Flash：?三星(西安)長(zhǎng)江存儲(chǔ)(武漢)Soliddigm(大連）
  • 臺(tái)灣地區(qū)：DRAM：美光(桃園、臺(tái)中)南亞(桃園）
  • 新加坡：美光NAND Flash

三、半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的分類(lèi)

• 易失性存儲(chǔ)器
  • 斷電后無(wú)法保留存儲(chǔ)信息
  • SRAM：靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，不需要定期刷新。
  • DRAM：動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，需要在數(shù)據(jù)改變或斷電前進(jìn)行周期性充電，保持電勢(shì)，否則會(huì)丟失數(shù)據(jù)。細(xì)分市場(chǎng)：智能手機(jī)、服務(wù)器和 PC，占比分別為 35%、33%和 16%。
• 非易失性存儲(chǔ)器
  • 斷電后可以保留存儲(chǔ)信息。
  • NOR Flash

    （1）主要由中國(guó)臺(tái)灣的華邦、旺宏以及大陸的GD三家廠(chǎng)商主導(dǎo)，2021年市占率分別為35%、33%、23%。廠(chǎng)商產(chǎn)品各有側(cè)重，比如華邦和旺宏更側(cè)重于工業(yè)控制領(lǐng)域，Cypress則布局工業(yè)、航天和車(chē)用市場(chǎng)。

    （2）細(xì)分市場(chǎng)：通訊、消費(fèi)電子、車(chē)載電子、電腦和工業(yè)控制，占比分別為 30%、26%、18%、14%和 12%。

  • NAND Flash
    
    （1）按照顆粒密度差異可以分為 SLC、MLC、TLC、QLC、PLC，從前至后讀寫(xiě)速度、存儲(chǔ)穩(wěn)定性、使用壽命依次遞減，存儲(chǔ)密度、價(jià)格性?xún)r(jià)比依次遞增。全球出貨占比分別為為0.19%、10.17%、80.34%、9.30%。
    （2）大容量 NAND Flash主要由海外五大巨頭占領(lǐng)，2023 年第一季度三星電子、鎧俠、西部數(shù)據(jù)、海力士、美光的份額占比分別為 34%、22%、15%、15%、10%，SLC NAND 主要是中國(guó)臺(tái)灣和大陸廠(chǎng)商，包括華邦電子、旺宏電子、兆易創(chuàng)新。
    （3）細(xì)分市場(chǎng)：eMMC（手機(jī)）、eSSD（服務(wù)器）、cSSD（PC）、存儲(chǔ)卡/UFD等，占比分別為34%、26%、22%、9%。
  • PROM分為EPROM和EEPROM

四、存儲(chǔ)器性能和應(yīng)用范圍對(duì)比

• NAND Flash：存儲(chǔ)陣列由存儲(chǔ)單元通過(guò)串聯(lián)方式連接而成，擦除以“頁(yè)”為單位，具有存儲(chǔ)容量大、寫(xiě)入/擦除速度快等特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于固態(tài)硬盤(pán)（SSD）、手機(jī)、平板、服務(wù)器、USB 驅(qū)動(dòng)器和存儲(chǔ)卡等。
• NOR Flash：存儲(chǔ)陣列通過(guò)各存儲(chǔ)單元通過(guò)并聯(lián)方式連接，在按位快速隨機(jī)讀取數(shù)據(jù)的同時(shí)，允許系統(tǒng)直接從存儲(chǔ)單元中讀取代碼執(zhí)行，具有芯片內(nèi)執(zhí)行、讀取速度快的特點(diǎn)，應(yīng)用于可穿戴設(shè)備、移動(dòng)終端等。
• DRAM：讀寫(xiě)速度快，常用于系統(tǒng)硬件的運(yùn)行內(nèi)存，對(duì)系統(tǒng)指令和數(shù)據(jù)進(jìn)行處理。

  簡(jiǎn)易對(duì)比如圖：