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閃存模組和內(nèi)存模組結(jié)構(gòu)構(gòu)成

2023/11/13
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閃存(NAND Flash)模組可分為:

  1. 固態(tài)硬盤,應(yīng)用于大容量存儲(chǔ)場(chǎng)景
  2. 嵌入式存儲(chǔ),應(yīng)用于電子移動(dòng)終端低功耗場(chǎng)景
  3. 移動(dòng)存儲(chǔ),U 盤、移動(dòng)盤等,應(yīng)用于便攜式存儲(chǔ)場(chǎng)景

??其內(nèi)部組成包括:

  • 主控芯片,一方面合理調(diào)配數(shù)據(jù)在各個(gè)閃存顆粒的負(fù)荷,另一方面承擔(dān) 整體數(shù)據(jù)中轉(zhuǎn),連接閃存芯片和外部 SATA 接口。此外,主控還負(fù)責(zé)糾錯(cuò)、耗損平衡、壞塊映射、讀寫緩存、垃圾回收以及加密等一系列功能算法。各類型存儲(chǔ)器主控芯片如下:
  • NAND Flash 顆粒,起數(shù)據(jù)存儲(chǔ)與讀寫作用,按照密度差異可以分為 SLC、MLC、TLC、QLC、PLC,從前至后讀寫速度、存儲(chǔ)穩(wěn)定性、使用壽命依 次遞減,存儲(chǔ)密度、價(jià)格性價(jià)比依次遞增。
  • DRAM 顆粒(主要存在于中高端 SSD),可提高輸入/輸出性能和耐用 性,用于臨時(shí)保存從閃存讀取的數(shù)據(jù)、要寫入閃存的數(shù)據(jù)或地址映射表。 目前,中低端的新品 SSD為節(jié)省成本選擇不配備 DRAM 顆粒,采用 HMB (Host Memory Buffer,主機(jī)內(nèi)存緩沖技術(shù))技術(shù)和主機(jī)共享內(nèi)存,也可滿足使用要求。

??DRAM 模組

? 主要應(yīng)用于客戶端(個(gè)人電腦等)、服務(wù)器(企業(yè)級(jí))的內(nèi)存條。

??其內(nèi)部主要組成包括:

  1. DRAM 顆粒,起數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和讀寫的作用,占據(jù)內(nèi)存條模組成本的絕大部分。
  2. SPD Hub(串行檢測(cè)集線器),用于存儲(chǔ)內(nèi)存模組的相關(guān)信息和參數(shù)配 置,管理對(duì)外部控制器的訪問(wèn),并將內(nèi)部總線的內(nèi)存負(fù)載與外部分離。
  3. PMIC(電源管理芯片),起電源轉(zhuǎn)化和管理的作用,為其他芯片提供電 源支持。DDR5內(nèi)存條將 PMIC集成在內(nèi)存模組上(前幾代將 PMIC 放在主板端),從而降低主板的復(fù)雜性,帶來(lái)更高的兼容性和信號(hào)完整度, 并減少噪音。 此外在服務(wù)器(企業(yè)級(jí))內(nèi)存條上還需要增加內(nèi)存接口芯片(RCD 寄存時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器+DB 數(shù)據(jù)緩沖器)、TS(溫度傳感器,DDR5 新增)。
  4. 接口芯片(RCD+DB),其中,RCD 用來(lái)緩沖來(lái)自內(nèi)存控制器的地址、命令及控制信號(hào),DB 用來(lái)緩沖來(lái)自內(nèi)存控制器或內(nèi)存顆粒的數(shù)據(jù)信號(hào)。其主要作用是提升內(nèi)存數(shù)據(jù)訪問(wèn)的速度及穩(wěn)定性,以匹配 CPU日益提高的運(yùn)行速度及性能。
  5. TS(溫度傳感器),對(duì)內(nèi)存條溫度監(jiān)控,從而更精細(xì)地控制系統(tǒng)散熱。

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