總投資5億元！揚(yáng)杰科技SiC模塊封裝項(xiàng)目簽約

近日，在江蘇省揚(yáng)州市邗江區(qū)維揚(yáng)經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)先進(jìn)制造業(yè)項(xiàng)目新春集中簽約儀式上，揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱揚(yáng)杰科技）新能源車用IGBT、碳化硅（SiC）模塊封裝項(xiàng)目完成簽約。

該項(xiàng)目總投資5億元，主要從事車規(guī)級(jí)IGBT模塊、SiC MOSFET模塊的研發(fā)制造。

作為國(guó)內(nèi)少數(shù)集半導(dǎo)體分立器件芯片設(shè)計(jì)制造、器件封裝測(cè)試、終端銷售與服務(wù)等產(chǎn)業(yè)鏈垂直一體化（IDM）的廠商，揚(yáng)杰科技近年來(lái)持續(xù)深耕功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，推動(dòng)公司總營(yíng)收從2014年的5.3億元增長(zhǎng)到2022年的54億元，凈利潤(rùn)從1億元增長(zhǎng)到10多億元。

據(jù)揚(yáng)杰科技黨委書(shū)記、副董事長(zhǎng)梁瑤介紹，公司每年投入的研發(fā)費(fèi)用占總營(yíng)收的比例超過(guò)5%，在IGBT等新產(chǎn)品領(lǐng)域的研發(fā)費(fèi)用占比超過(guò)了15%甚至20%。據(jù)稱，揚(yáng)杰科技目前在全球功率分立器件企業(yè)中排名第12位。其中，功率二極管市占率位居中國(guó)第一，全球第二；整流橋和光伏旁路二極管市占率均位居全球第一。

展望2024年，揚(yáng)杰科技將有三大投入：一是IGBT項(xiàng)目上馬；二是車用模塊項(xiàng)目投入；三是越南工廠建設(shè)。其中，越南工廠建成投產(chǎn)后可以助力公司品牌進(jìn)軍歐美市場(chǎng)。在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，揚(yáng)杰科技已有多年的技術(shù)、產(chǎn)品及產(chǎn)能儲(chǔ)備。

早在2015年，揚(yáng)杰科技便募資1.5億元投向SiC芯片、器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化建設(shè)項(xiàng)目。

產(chǎn)品方面，2022年上半年，揚(yáng)杰科技開(kāi)發(fā)了650V 2A-40A、1200V 2A-40A SiC SBD二極管產(chǎn)品，并獲得國(guó)內(nèi)Top 10光伏逆變器客戶的認(rèn)可，完成了批量出貨。MOSFET產(chǎn)品方面，公司1200V 80mΩ SiC MOSFET系列產(chǎn)品也已獲得客戶認(rèn)可，并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

產(chǎn)能方面，2023年4月，揚(yáng)杰科技與江蘇省揚(yáng)州市邗江區(qū)簽署了《6英寸碳化硅晶圓項(xiàng)目進(jìn)園框架合同》，擬投資新建6英寸晶圓生產(chǎn)線項(xiàng)目，總投資約10億元。該項(xiàng)目分兩期實(shí)施建設(shè)，項(xiàng)目全部建成投產(chǎn)后，將形成6英寸SiC晶圓產(chǎn)能5000片/月。

此外，2023年6月，揚(yáng)杰科技宣布與東南大學(xué)簽署合作協(xié)議，組建“東南大學(xué)—揚(yáng)杰科技寬禁帶功率器件技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心”?；诖搜邪l(fā)中心，雙方將在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域（尤其是寬禁帶功率器件領(lǐng)域）進(jìn)行深層次合作，開(kāi)發(fā)世界級(jí)水平、具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的、符合市場(chǎng)與應(yīng)用需求的功率半導(dǎo)體芯片，包括發(fā)展戰(zhàn)略研究、硅基功率器件設(shè)計(jì)、寬禁帶功率器件設(shè)計(jì)等項(xiàng)目的開(kāi)展，加速功率半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)及應(yīng)用等研究成果的產(chǎn)業(yè)化。

隨著此次SiC模塊封裝項(xiàng)目簽約落地，揚(yáng)杰科技有望進(jìn)一步深化第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈布局。

集邦化合物半導(dǎo)體Zac