美光HBM明年目標(biāo)：倍增！

隨著美國(guó)存儲(chǔ)半導(dǎo)體公司美光成功開發(fā)出第5代高帶寬存儲(chǔ)器“HBM3E 12層”產(chǎn)品，存儲(chǔ)器企業(yè)之間的領(lǐng)導(dǎo)地位之爭(zhēng)預(yù)計(jì)將變得更加激烈。

據(jù)業(yè)內(nèi)人士9月14日消息，美光近日在其網(wǎng)站上宣布，正在開發(fā)36GB（千兆字節(jié)）HBM3E 12層產(chǎn)品，并正在向客戶供應(yīng)樣品。

HBM 是一種通過(guò)垂直連接多個(gè) DRAM 創(chuàng)新性地提高現(xiàn)有 DRAM 數(shù)據(jù)處理速度的產(chǎn)品，主要安裝在 AI 芯片中使用的圖形處理單元 (GPU) 中。最重要的是，由于HBM是一種高價(jià)值產(chǎn)品，其價(jià)格比普通DRAM高出4至5倍，存儲(chǔ)器公司之間爭(zhēng)奪市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)正在加劇。

根據(jù)市場(chǎng)研究公司數(shù)據(jù)，去年的HBM市場(chǎng)份額為SK海力士53%、三星電子38%、美光9%。

美光科技的目標(biāo)是明年獲得 20% 的 HBM 市場(chǎng)份額。

隨著美光也進(jìn)軍HBM3E 12層市場(chǎng)，SK海力士、三星電子等內(nèi)存企業(yè)的戰(zhàn)場(chǎng)將越來(lái)越激烈。

目前市場(chǎng)主流是HBM3和HBM3E 8層，但預(yù)計(jì)NVIDIA的后繼產(chǎn)品中將大量采用12層產(chǎn)品。

Trend Force預(yù)計(jì)，隨著H200的出貨，今年HBM3E的消費(fèi)份額將增至60%以上，而NVIDIA未來(lái)推出的Blackwell Ultra將配備8個(gè)HBM3E 12層堆棧。

據(jù)此，預(yù)計(jì)明年HBM3E中12層產(chǎn)品的比例將達(dá)到40%，并可能進(jìn)一步增加。

看來(lái)SK海力士不僅在HBM3E 8層產(chǎn)品上暫時(shí)占據(jù)上風(fēng)，在12層產(chǎn)品上也暫時(shí)占據(jù)上風(fēng)。

去年 3 月，SK 海力士成為第一家開始向 NVIDIA 供應(yīng) HBM3E 8 層的內(nèi)存公司。

后續(xù)產(chǎn)品HBM3E 12層已完成主要客戶的樣品供貨，計(jì)劃本季度開始量產(chǎn)，第四季度向客戶供貨。

繼8層產(chǎn)品之后，三星電子也通過(guò)認(rèn)證12層產(chǎn)品來(lái)加速量產(chǎn)。