就在剛剛,Soitec和Resonac宣布達成8英寸復合型SiC合作開發(fā)協(xié)議——
9月24日下午,Resonac(原昭和電工)官網宣布,他們與Soitec簽訂了聯合開發(fā)協(xié)議,雙方將共同開發(fā)8英寸SiC——Resonac將在8英寸襯底制造中采用Soitec的SmartSiC?技術,最終提高8英寸碳化硅外延的生產效率,并實現碳化硅外延片業(yè)務供應鏈的多樣化。
目前,Resonac正在積極擴徑,其8吋SiC外延片已開始向客戶送樣。為確保SiC襯底產能供應,Resonac最近也宣布了擴產——
9月12日,Resonac在日本山形縣東根市工廠內新建了一條專門生產SiC襯底的產線,并舉行了開工儀式,該項目預計2025年第三季度竣工。
Soitec表示,通過Smart Cut?技術制造的SmartSiC?襯底,具有非常高的質量,能夠優(yōu)化器件良率。SmartCut?工藝可提高碳化硅單晶襯底的重復利用率,實現高水平的導電性和導熱性。其研究表明,SmartCut SiC可將碳化硅襯底的電阻率降低至少4倍,電阻率的顯著降低可以使SiC MOSFET尺寸縮小5-15%。
除Resonac外,Soitec還與意法半導體等多家企業(yè)合作,推進SmartSiC?技術的量產:
●?2022年,意法半導體就曾與Soitec達成合作,以驗證8吋復合型SiC襯底,并表示有望在中期實現量產。
●?今年5月23日,X-FAB和Soitec共同宣布,雙方在經過評估階段后正式達成合作,Soite將為X-FAB位于德克薩斯州拉伯克的工廠供應SmartSiC晶圓,用于生產碳化硅功率器件。
同期,Soitec還宣布與東海炭素建立了戰(zhàn)略合作伙伴關系,東洋炭素將利用其在多晶碳化硅(polySiC)方面的技術和制造能力去配合Soitec SmartSiC?的生產,以加強 SmartSiC 生態(tài)系統(tǒng)。