存儲器市場的“春天”在哪兒？

2025年伊始，存儲器三大終端應用市場中，手機與筆電復蘇動能尚不明顯，服務器則在AI強勁加持下保持穩(wěn)定成長，進而有望驅動半導體發(fā)展。AI為存儲器市場帶來了發(fā)展機會，大容量、高性能存儲器備受青睞，HBM、企業(yè)級SSD市場前景值得期待，吸引存儲器大廠持續(xù)下注布局。

1、HBM快速迭代

高帶寬存儲器（HBM）因其低延遲、高帶寬的特點，成為AI應用的理想選擇。全球市場研究機構TrendForce集邦咨詢數(shù)據(jù)顯示，2024年HBM需求位元年成長率接近200%，2025年將再翻倍。

隨著英偉達和AMD等主力GPU產(chǎn)品的迭代，以及搭載HBM規(guī)格變化，市場已逐步由HBM3向HBM3e升級。與此同時，更新一代HBM技術也愈發(fā)受到關注。

目前全球HBM市場由SK海力士、三星和美光占據(jù)著主導地位。

SK海力士于2024年4月表示將在2025年開始采用臺積電先進制程生產(chǎn)HBM4，并計劃于2026年實現(xiàn)量產(chǎn)。SK海力士HBM4將會開始采用臺積電的先進邏輯（Logic）制程，以超細微制程基礎裸片（base die）增加更多的功能。同時SK海力士也將在性能和功效等方面，滿足客戶的客制化（Customized）需求。據(jù)報道稱，SK海力士還計劃將于2025年下半年推出12層HBM4，2026年推出16層HBM4。

根據(jù)美光技術路線，美光HBM4有望2026年量產(chǎn)，HBM4e也會在2027~2028年亮相。美光總裁兼執(zhí)行長Sanjay Mehrotra曾表示，HBM4E將帶來存儲器業(yè)務的模式轉變，其因為采用了臺積電先進的邏輯代工制程技術，為某些客戶客制化邏輯基礎芯片，預計將給美光未來業(yè)績帶來改善。

2024年11月，媒體報道三星電子已著手為微軟和Meta平臺，量身打造第六代、客制化高頻寬存儲器HBM4。三星目標是在2025年之前完成HBM4的開發(fā)，并投入大量生產(chǎn)，該公司看好HBM4的未來前景。

HBM4作為存儲技術領域的一項重要進展，正在受到全球各大存儲廠商的積極關注和研發(fā)。此外，HBM5也非常重要，業(yè)界透露其將引發(fā)HBM商業(yè)模式變革。

2024年10月，TrendForce集邦咨詢調(diào)查顯示，三大HBM原廠正在考慮是否于HBM4 16hi采用Hybrid Bonding，并已確定將在HBM5 20hi世代中使用這項技術。

采用Hybrid Bonding可能導致HBM的商業(yè)模式出現(xiàn)變化。使用Wafer to Wafer模式堆疊，須確保HBM base die（基礎裸晶）與memory die（內(nèi)存裸晶）的晶粒尺寸完全一致；而前者的設計是由GPU/ASIC業(yè)者主導，因此，同時提供base die及GPU/ASIC foundry（晶圓代工）服務的TSMC（臺積電）可能將擔負base die與memory die堆疊重任。若循此模式發(fā)展，預計將影響HBM業(yè)者在base die設計、base die與memory die堆疊，以及整體HBM接單等商業(yè)環(huán)節(jié)的產(chǎn)業(yè)地位。

2、QLC SSD大風繼續(xù)吹

AI浪潮催生海量數(shù)據(jù)存儲與計算需求，利好HBM的同時，也為企業(yè)級SSD帶來了發(fā)展機會。

QLC SSD正在企業(yè)級存儲領域扮演著越來越重要的角色。相較于SLC、MLC與TLC技術，QLC技術在相同物理空間內(nèi)可以存儲更多的數(shù)據(jù)，從而滿足大數(shù)據(jù)、云計算等應用場景對高存儲容量的需求。目前，已知的企業(yè)級SSD最大容量為61.44TB，未來還將推出128TB超大容量，皆采用QLC技術。

主要廠商方面，Solidigm已開發(fā)并交付了D5-P5336 61.44TB QLC SSD等產(chǎn)品，其耐用性水平遠遠超過了傳統(tǒng)的HDD。Solidigm還積極利用CSAL軟件來做緩存層，推動數(shù)據(jù)中心工作復雜的優(yōu)化，提升存儲效率。

SK海力士于2024年12月18日宣布，開發(fā)出適用于AI數(shù)據(jù)中心的高容量固態(tài)硬盤產(chǎn)品PS1012，并計劃在2025年第三季度將產(chǎn)品群擴大至122TB。PS1012采用了最新的第五代PCIe，與基于第四代的產(chǎn)品相比其帶寬增大了一倍。因此，數(shù)據(jù)傳輸速度可達32GT/s，順序讀取性能是以前一代規(guī)格產(chǎn)品的兩倍，可達13GB/s。

三星已開始量產(chǎn)1Tb QLC的第九代V-NAND存儲器，提供全系列先進的SSD解決方案，滿足AI時代的需求。三星還計劃通過QLC和TLC的第9代V-NAND存儲器來鞏固其在企業(yè)級SSD市場的領先地位。

鎧俠第八代BiCS FLASH 2Tb QLC已開始送樣，全新的QLC產(chǎn)品架構可在單個存儲器封裝中堆疊16個芯片，提供領先的4TB容量。業(yè)界指出，未來采用第八代BiCS FLASH QLC的存儲產(chǎn)品在存儲空間擁有質(zhì)的飛躍，可以將企業(yè)級SSD和數(shù)據(jù)中心級SSD容量提升至120TB以上。

國內(nèi)廠商方面，大普微在國內(nèi)最早推出QLC企業(yè)級SSD——J5000系列，容量為15.36TB，隨后大普微又發(fā)布了J5060 QLC SSD系列，最高容量到達了61.44TB。

展望未來，隨著技術的進步，QLC SSD的容量將繼續(xù)提升，滿足更大數(shù)據(jù)存儲的需求。

3、結 語

AI應用產(chǎn)品的不斷涌現(xiàn)，為存儲行業(yè)帶來新的發(fā)展機會。隨著技術的不斷進步和市場的不斷拓展，HBM、QLC SSD將成為存儲領域的重要組成部分，為大數(shù)據(jù)、AI、云存儲等應用提供高效、可靠的存儲解決方案。未來，也將有更多創(chuàng)新存儲產(chǎn)品與技術涌現(xiàn)，推動存儲產(chǎn)業(yè)持續(xù)發(fā)展。