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    • TPS1685:功率可擴(kuò)展至6kW
    • LMG3650Rxxx:效率>98%,高功率密度>100W/in3
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面向數(shù)據(jù)中心需求,TI推出全新的eFuse和集成式 GaN 功率級(jí)

原創(chuàng)
04/10 14:41
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隨著GPU成為AI計(jì)算和高性能計(jì)算(HPC)的核心,數(shù)據(jù)中心對(duì)服務(wù)器電源的要求顯著提升。

圖 | 數(shù)據(jù)中心示意圖;來(lái)源:TI

具體原因涵蓋多個(gè)方面,比如:由于單顆GPU功耗可達(dá)700W,多GPU服務(wù)器總功率常超10kW,電源需具備超高功率密度(2000W+模塊)和高效轉(zhuǎn)換(鈦金級(jí)96%+效率);同時(shí)必須確保多重安全保護(hù)、N+1冗余供電和±5%電壓穩(wěn)定,并滿足7×24小時(shí)不間斷運(yùn)行的嚴(yán)苛可靠性要求(MTBF>10萬(wàn)小時(shí))。

因此,行業(yè)專家預(yù)測(cè),未來(lái)服務(wù)器電源將向48V高壓直供、液冷散熱和智能化管理發(fā)展,以匹配持續(xù)增長(zhǎng)的AI算力需求。

面向此類需求,近期TI推出了兩款全新的電源管理芯片具有電源路徑保護(hù)的 48V 集成式熱插拔電子保險(xiǎn)絲TPS1685,以及采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn) TOLL 封裝的新的集成式 GaN 功率級(jí)系列,即 LMG3650R035、LMG3650R025 和 LMG3650R070。

TPS1685:功率可擴(kuò)展至6kW

如前面提到的,隨著電力需求激增,數(shù)據(jù)中心設(shè)計(jì)人員正在轉(zhuǎn)向 48V 電源架構(gòu),以提高效率和可擴(kuò)展性,從而更好地支持 CPU、圖形處理單元和 AI 硬件加速器等組件。

在高效的配電系統(tǒng)中,而智能電子保險(xiǎn)絲在其中發(fā)揮了重要作用。以往,工程師會(huì)采用分立式熱插拔控制器加上外部場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)的傳統(tǒng)保護(hù)方案,然而這種方案下,由于漏電導(dǎo)通電阻(RDS (ON))、PCB 走線電阻和比較器閾值不匹配的問(wèn)題,會(huì)給電子保險(xiǎn)絲的傳統(tǒng)并聯(lián)運(yùn)行帶來(lái)巨大挑戰(zhàn),這些不匹配會(huì)導(dǎo)致電子保險(xiǎn)絲之間的電流共享不均(某些電子保險(xiǎn)絲承載的電流比其他電子保險(xiǎn)絲多),且通常會(huì)導(dǎo)致各個(gè)電子保險(xiǎn)絲過(guò)早跳閘,即使系統(tǒng)總電流低于跳閘閾值也是如此。因此,為了減少因這種誤跳閘帶來(lái)的系統(tǒng)關(guān)斷、運(yùn)行效率低下等問(wèn)題,這種分立方案的設(shè)計(jì)功率一般只能達(dá)到4kW。

圖 | 傳統(tǒng)并聯(lián)運(yùn)行的電子保險(xiǎn)絲;來(lái)源:TI

當(dāng)需要管理大于 6kW 的功率級(jí)別時(shí),若還采用傳統(tǒng)分立方案,還會(huì)帶來(lái)一系列其他挑戰(zhàn),比如尺寸太大,設(shè)計(jì)過(guò)于復(fù)雜等。此外,在管理高電流的同時(shí),確保安全運(yùn)行和更大限度地降低功率損耗也是一個(gè)重要問(wèn)題。

綜上,與分立式場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 結(jié)合使用的傳統(tǒng)熱插拔控制器,在高功率應(yīng)用中正面臨巨大的局限性。

為了解決以上行業(yè)難題,為數(shù)據(jù)中心應(yīng)用提供可靠的緊湊型解決方案,TI推出了具有電源路徑保護(hù)功能的48V 可堆疊集成式熱插拔電子保險(xiǎn)絲——TPS1685。

圖 | TPS1685的功能特性;來(lái)源:TI

德州儀器系統(tǒng)經(jīng)理游聲揚(yáng)表示:“與需要使用外部感應(yīng)電阻器和電流傳感放大器進(jìn)行電流監(jiān)測(cè)的方法不同,TPS1685利用其互連IMON(Imonitor)引腳,引入了一種系統(tǒng)總電流限制方法。此方法將一個(gè)電子保險(xiǎn)絲指定為主控制器來(lái)監(jiān)測(cè)系統(tǒng)總電流。通過(guò)依賴于總電流而不是各個(gè)電子保險(xiǎn)絲電流,該系統(tǒng)可避免路徑電阻不匹配導(dǎo)致的誤差,并結(jié)合用戶可配置的過(guò)流消隱計(jì)時(shí)器,確保系統(tǒng)僅在必要時(shí)跳閘,從而提高運(yùn)行穩(wěn)定性?!?/p>

“在此基礎(chǔ)上,與市場(chǎng)上現(xiàn)有的熱插拔控制器相比,TPS1685不僅簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì),還通過(guò)緊湊的30mm2 薄型四方扁平無(wú)引腳(LQFN) 封裝,將集成度又提高了一個(gè)臺(tái)階,整體解決方案尺寸也會(huì)同步縮小50%?!?游聲揚(yáng)補(bǔ)充道。

LMG3650Rxxx:效率>98%,高功率密度>100W/in3

今天,高效率和高功率密度是工程師對(duì)電源設(shè)計(jì)的普遍要求,為此氮化鎵 (GaN) 器件逐步被用于各種電源轉(zhuǎn)換拓?fù)洹?/p>

圖 | 電路寄生效應(yīng)集成式 GaN 功率級(jí)與分立式 GaN;來(lái)源:TI

集成驅(qū)動(dòng)是TI GaN器件的特色,集成驅(qū)動(dòng)器在高開關(guān)頻率的電源轉(zhuǎn)換中非常重要,因?yàn)?a class="article-link" target="_blank" href="/baike/1518495.html">柵極環(huán)路中的電路寄生耦合會(huì)導(dǎo)致柵極噪聲和重疊損耗增加,而使用集成式功率級(jí),寄生耦合可以忽略不計(jì),并且能簡(jiǎn)化布局。

因此我們看到,近日TI推出的全新集成式 GaN 功率級(jí)系列——LMG3650R035、LMG3650R025、LMG3650R070同樣集成了高性能柵極驅(qū)動(dòng)器與 650V GaN 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET),在簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)的同時(shí),實(shí)現(xiàn)高效率(>98%) 和高功率密度(>100W/in3)。

圖 | LMG3650R035、LMG3650R025、LMG3650R07簡(jiǎn)介;來(lái)源:TI

據(jù)悉,LMG3650R035、LMG3650R025、LMG3650R07三者均采用通用的TOLL封裝,但功率不同,導(dǎo)通電阻不同,客戶可以根據(jù)具體的功率等級(jí)、導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗等需求來(lái)做選擇。

游聲揚(yáng)表示:“LMG3650Rxxx系列功率級(jí)還集成了先進(jìn)的保護(hù)功能,包括過(guò)電流保護(hù)、短路保護(hù)和過(guò)溫保護(hù)。這對(duì)于服務(wù)器電源等交流/直流應(yīng)用尤為重要,因?yàn)樵O(shè)計(jì)人員面臨著在更小空間內(nèi)提供更大功率的挑戰(zhàn)。 ”

關(guān)于應(yīng)用領(lǐng)域,LMG3650Rxxx系列功率級(jí)可支持高壓應(yīng)用中的多種電源拓?fù)?,包括圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC)、電感電容器、相移全橋和雙有源電橋等。

關(guān)于出貨和使用配套

TPS1685、LMG3650R035、LMG3650R025 和 LMG3650R070 支持預(yù)量產(chǎn),有意向者可通過(guò) TI.com 進(jìn)行采購(gòu)。

此外,TI為TPS1685提供了兩款評(píng)估板,為L(zhǎng)MG3650R035、LMG3650R025、LMG3650R070各提供一款評(píng)估板,方便工程師進(jìn)行產(chǎn)品測(cè)試和導(dǎo)入。

圖 | TPS1685EVM;來(lái)源:TI

圖 | LMG3650EVM-113、LMG3650EVM-114、LMG3650EVM-115;來(lái)源:TI

 

德州儀器

德州儀器

德州儀器 (TI) 設(shè)計(jì)和制造模擬、數(shù)字信號(hào)處理和 DLP 芯片技術(shù),幫助客戶開發(fā)相關(guān)產(chǎn)品。從連接更多人的經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的手機(jī)到支持遠(yuǎn)程學(xué)習(xí)的教室投影儀到可信度、靈活度和自由度更高的修復(fù)器械 - TI 技術(shù)均采用了新的理念,產(chǎn)生了更好的解決方案。

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