芯耀
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上次Semicon China結(jié)束后我立即發(fā)布一個(gè)關(guān)于新凱來的量檢測(cè)設(shè)備和刻蝕設(shè)備的簡(jiǎn)介和行業(yè)數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)。文章發(fā)布以后閱讀量和讀者反饋效果都非常不錯(cuò)但刻蝕設(shè)備的分類上有些技術(shù)性錯(cuò)誤，很容易給讀者產(chǎn)生誤導(dǎo)。所以我今天再修改一下產(chǎn)品分類，同時(shí)也增加幾家最新收集到的供應(yīng)商信息，發(fā)布一個(gè)新版本
這次新凱來一共發(fā)布了三款干法刻蝕設(shè)備：
其中武夷山1號(hào)是CCP（電容耦合等離子體，Capacitively Coupled Plasma）刻蝕設(shè)備，適用于介質(zhì)層的刻蝕。在這塊領(lǐng)域國(guó)內(nèi)的龍頭是中微半導(dǎo)體
武夷山3號(hào)是ICP（電感耦合等離子體，Inductively Coupled Plasma）刻蝕設(shè)備，適用于硅和硅鍺等材料的刻蝕。在這塊領(lǐng)域國(guó)內(nèi)華創(chuàng)和中微半導(dǎo)體等公司都有布局
武夷山5號(hào)是高選擇比刻蝕設(shè)備。他是一種通過優(yōu)化化學(xué)反應(yīng)選擇性，顯著增強(qiáng)目標(biāo)材料與掩膜或下層材料刻蝕速率差異的技術(shù)。其核心原理是通過高活性自由基與材料之間的選擇性反應(yīng)實(shí)現(xiàn)刻蝕，同時(shí)最大程度抑制離子轟擊帶來的物理?yè)p傷。通常有兩種類型：CDE (化學(xué)干法刻蝕，Chemical Dry Etching)和RDE?(自由基干法刻蝕，Radical Dry Etching)
這個(gè)領(lǐng)域全球被TEL、AMAT、LAM所壟斷，國(guó)內(nèi)屹唐應(yīng)該是營(yíng)收領(lǐng)先
新凱來沒有公開說明他們家設(shè)備是哪類，我暫且估計(jì)為第二種RDE
接下來我還是按照規(guī)矩整理一下以上三類干法刻蝕設(shè)備的全球供應(yīng)商數(shù)據(jù)供大家注）本表格中詳細(xì)數(shù)據(jù)的原始文檔，我放到了知識(shí)星球的云盤上供會(huì)員使用。如果您對(duì)此類數(shù)據(jù)有興趣，歡迎掃碼加入我的知識(shí)星球后獲取（文章最后有知識(shí)星球數(shù)據(jù)內(nèi)容的簡(jiǎn)單介紹）?
我收集了近十年的行業(yè)數(shù)據(jù)已經(jīng)覆蓋了八成以上半導(dǎo)體制造上游的供應(yīng)鏈鏈，還有大量的原創(chuàng)行業(yè)景氣度數(shù)據(jù)分析和研報(bào)?，F(xiàn)在所有數(shù)據(jù)原始文檔都貢獻(xiàn)出來，給你個(gè)一鍋端走的機(jī)會(huì)(云盤直接同步我電腦硬盤隨時(shí)更新)另外還有大量的線上半導(dǎo)體知識(shí)講座
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