• 正文
    • 一、重新定義“固晶”:從“粘合”到“焊接”的本質(zhì)跨越
    • 二、三大核心優(yōu)勢(shì),破解高功率封裝的關(guān)鍵挑戰(zhàn)
    • 三、多元應(yīng)用場(chǎng)景,從功率芯片到顯示領(lǐng)域的全面滲透
    • 四、精準(zhǔn)選型,根據(jù)場(chǎng)景需求匹配材料特性
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固晶錫膏如何征服高功率封裝 一文破解高密度封裝的散熱密碼

芯片封裝的關(guān)鍵環(huán)節(jié)——固晶工藝中,連接材料的選擇直接決定著器件的散熱效率與使用壽命。當(dāng)傳統(tǒng)銀膠在高功率場(chǎng)景中因?qū)岵蛔恪⒏邷乩匣饾u力不從心,一種專為固晶設(shè)計(jì)的材料——固晶錫膏,正憑借“金屬級(jí)連接”的獨(dú)特優(yōu)勢(shì),成為功率芯片、Mini LED、汽車電子等高端領(lǐng)域的首選。

這種特殊的錫膏究竟有何不同?又如何解決傳統(tǒng)材料的痛點(diǎn)?傲??萍嫉难邪l(fā)工程師從錫膏廠家的視角,從固晶錫膏的定義、特性、應(yīng)用到選型邏輯展開深度解析,帶您理解這一推動(dòng)封裝技術(shù)升級(jí)的核心材料。

一、重新定義“固晶”:從“粘合”到“焊接”的本質(zhì)跨越

固晶錫膏是一種專為芯片與基板粘貼設(shè)計(jì)的錫基合金焊料,其核心是通過焊接而非粘合,實(shí)現(xiàn)兩者的高強(qiáng)度、高導(dǎo)熱連接。與傳統(tǒng)固晶材料相比,這種差異堪稱“代際升級(jí)”。

傳統(tǒng)銀膠依賴環(huán)氧樹脂粘合,銀粉填充帶來的導(dǎo)熱率僅5-15W/m?K,且長(zhǎng)期高溫下(>120℃)易發(fā)生銀遷移,導(dǎo)致電阻率上升和連接失效。固晶錫膏則通過錫合金的冶金結(jié)合,焊點(diǎn)導(dǎo)熱率可達(dá)60-70W/m?K,是銀膠的5倍以上,從根本上解決了散熱瓶頸,同時(shí)避免了有機(jī)材料的老化問題。

對(duì)比普通錫膏,普通錫膏服務(wù)于表面貼裝的引腳焊接,25-45μm的較粗顆粒和較高黏度,難以填充芯片與基板間5-50μm的微米級(jí)間隙。固晶錫膏則采用 5-15μm的超細(xì)粉末(T6級(jí)),配合低黏度配方(50-80Pa?s),能精準(zhǔn)填滿窄小空間,焊點(diǎn)厚度誤差可控制在±2μm,滿足高密度封裝的精度要求。

簡(jiǎn)而言之,固晶錫膏是為固晶工藝量身定制的“金屬焊料”,專為解決高功率、高可靠性場(chǎng)景的連接難題而生。

二、三大核心優(yōu)勢(shì),破解高功率封裝的關(guān)鍵挑戰(zhàn)

固晶錫膏的價(jià)值,源于對(duì)芯片封裝痛點(diǎn)的針對(duì)性解決。

1、超高導(dǎo)熱,讓熱量“無處可藏”

高純度錫基合金(如SnAgCu、SnSb)構(gòu)成的焊點(diǎn),如同高效導(dǎo)熱通道,將芯片產(chǎn)生的熱量迅速導(dǎo)出。

某功率模塊廠商在IGBT 封裝中使用固晶錫膏后,芯片結(jié)溫從125℃降至 105℃,降幅達(dá)16%,完全符合JEDEC JESD51熱測(cè)試標(biāo)準(zhǔn),模塊壽命因此延長(zhǎng)30%。這種特性對(duì)于功率密度超過100W/cm2的SiC、GaN第三代半導(dǎo)體器件尤為重要,能有效避免因過熱導(dǎo)致的性能衰減與失效。

2、高強(qiáng)度連接,抵御極端環(huán)境考驗(yàn)

通過回流焊形成的金屬間化合物(IMC)層,使焊點(diǎn)具備卓越的機(jī)械強(qiáng)度,剪切強(qiáng)度可達(dá)40MPa以上,是銀膠的2-3倍。在汽車電子的50G 振動(dòng)測(cè)試中,使用固晶錫膏的焊點(diǎn)失效周期比銀膠延長(zhǎng)5倍,輕松通過AEC-Q200認(rèn)證,為車載攝像頭、胎壓監(jiān)測(cè)等長(zhǎng)期工作在嚴(yán)苛環(huán)境中的器件提供可靠保障。

某固態(tài)激光雷達(dá)的發(fā)射芯片,經(jīng)1000次冷熱沖擊(-40℃~85℃)后焊點(diǎn)無開裂,可靠性提升顯著。

3、精密填充,滿足微米級(jí)封裝需求

面對(duì)Flip Chip、2.5D封裝中50μm以下的窄間隙,固晶錫膏的超細(xì)粉末與低黏度設(shè)計(jì)展現(xiàn)出卓越的填充能力,填充率可達(dá)98%以上,幾乎不留空洞。配合激光印刷技術(shù),可實(shí)現(xiàn)±5μm的厚度控制,確保芯片均勻受力,減少因應(yīng)力集中導(dǎo)致的裂紋風(fēng)險(xiǎn),這對(duì)于Mini LED 芯片(尺寸<100μm)等精密元件至關(guān)重要。

三、多元應(yīng)用場(chǎng)景,從功率芯片到顯示領(lǐng)域的全面滲透

固晶錫膏的性能優(yōu)勢(shì),使其在多個(gè)高端領(lǐng)域發(fā)揮關(guān)鍵作用。

功率半導(dǎo)體封裝中,它替代傳統(tǒng)銀膠,解決了IGBT、SiC模塊的高溫導(dǎo)熱與可靠性問題。某新能源汽車電控系統(tǒng)采用固晶錫膏后,電池轉(zhuǎn)換效率提升1.5%,模塊體積縮小20%,在實(shí)現(xiàn)高功率密度的同時(shí),滿足了車載環(huán)境的嚴(yán)苛要求。

在LED與顯示領(lǐng)域,Mini LED芯片的固晶對(duì)精度和散熱要求極高,固晶錫膏的超細(xì)粉末精準(zhǔn)填充芯片與陶瓷基板的間隙,焊點(diǎn)熱阻降低40%,有效減少 LED的光衰(1000小時(shí)光通量下降<5%),成為Micro LED電視等高端顯示產(chǎn)品的核心材料。

在汽車電子與傳感器領(lǐng)域,車載芯片長(zhǎng)期面臨寬溫域與高頻振動(dòng)挑戰(zhàn),固晶錫膏的SnAgBi合金配方兼具耐高溫與抗振性,經(jīng)ISO 16750-3測(cè)試,焊點(diǎn)電阻在-40℃~125℃范圍內(nèi)波動(dòng)<3%,避免了環(huán)境變化導(dǎo)致的信號(hào)漂移,保障了 ADAS、TPMS等系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行。

先進(jìn)封裝技術(shù)中,固晶錫膏用于芯片與硅中介層(Interposer)的連接,其低電阻率(1.8×10^-6Ω?cm)可降低高頻信號(hào)損耗,支持5Gbps以上的數(shù)據(jù)傳輸速率,滿足AI芯片、GPU等高密度集成場(chǎng)景對(duì)信號(hào)完整性的苛刻要求。

四、精準(zhǔn)選型,根據(jù)場(chǎng)景需求匹配材料特性

選擇固晶錫膏時(shí),需結(jié)合具體應(yīng)用場(chǎng)景的核心需求。

  • 對(duì)于耐溫>150℃的高功率芯片(如IGBT、硅基功率模塊),高溫型 SnAgCu合金(熔點(diǎn)≥217℃)是首選,其焊點(diǎn)可承受 200℃長(zhǎng)期工作溫度,150℃老化1000小時(shí)后強(qiáng)度下降<5%,確保高壓快充、服務(wù)器電源等場(chǎng)景的穩(wěn)定性。
  • 若器件耐溫≤150℃且追求工藝兼容性(如LED、CIS傳感器),中溫型 SnBi/SnAgBi合金(熔點(diǎn)138-183℃)更為合適,焊接峰值溫度可控制在190℃以內(nèi),避免熱敏芯片受損,同時(shí)兼容回流焊與激光焊接工藝。
  • 針對(duì)極致散熱需求的大功率器件(如固態(tài)激光雷達(dá)發(fā)射模塊,功率>200W),高導(dǎo)型固晶錫膏(添加Cu/Ni 增強(qiáng)相)能將導(dǎo)熱率提升至70W/m?K以上,配合銅基板使用,可將芯片結(jié)溫降低20℃,顯著提升器件壽命。
  • 此外,間隙精度與環(huán)境可靠性也是重要考量:間隙<50μm 的精密場(chǎng)景需選擇5-10μm的T7級(jí)粉末,搭配低黏度配方;高濕高振環(huán)境則需無鹵素配方,確保殘留物表面絕緣電阻>10^13Ω,避免電化學(xué)腐蝕。

固晶錫膏的出現(xiàn),不僅是材料的迭代,更是封裝邏輯的革新——它將芯片與基板的連接從“脆弱的粘合”轉(zhuǎn)變?yōu)椤胺€(wěn)固的焊接”,讓高功率器件的散熱難題、精密元件的精度需求、嚴(yán)苛環(huán)境的可靠性挑戰(zhàn)都得到有效解決。無論是功率半導(dǎo)體的高效運(yùn)行,還是Mini LED的細(xì)膩顯示,其核心價(jià)值都在于“用金屬級(jí)連接,為器件性能保駕護(hù)航”。

選擇固晶錫膏,即是選擇更可靠的封裝未來。當(dāng)產(chǎn)品需要應(yīng)對(duì)高溫、高功率、高可靠性的挑戰(zhàn),這種專為固晶設(shè)計(jì)的錫膏,將成為提升良率與性能的關(guān)鍵一環(huán)。技術(shù)的進(jìn)步,正是在這樣的材料創(chuàng)新中不斷向前,而固晶錫膏,正承載著高端封裝的下一個(gè)突破。

東微半導(dǎo)體

東微半導(dǎo)體

東微半導(dǎo)體成立于2008年,是一家技術(shù)驅(qū)動(dòng)型的半導(dǎo)體技術(shù)公司,在作為半導(dǎo)體核心技術(shù)的器件領(lǐng)域有深厚的技術(shù)積累,專注半導(dǎo)體器件技術(shù)創(chuàng)新,擁有多項(xiàng)半導(dǎo)體器件核心專利。 2013年下半年,東微半導(dǎo)體原創(chuàng)的半浮柵器件的技術(shù)論文在美國《科學(xué)》期刊上發(fā)表,標(biāo)志著國內(nèi)科學(xué)家在半導(dǎo)體核心技術(shù)方向獲得重大突破,新聞聯(lián)播、人民日?qǐng)?bào)等媒體均進(jìn)行了頭條重點(diǎn)報(bào)道,引起了國內(nèi)外業(yè)界的高度關(guān)注。2016年東微半導(dǎo)體自主研發(fā)的新能源汽車直流大功率充電樁用核心芯片成功量產(chǎn),打破國外廠商壟斷。

東微半導(dǎo)體成立于2008年,是一家技術(shù)驅(qū)動(dòng)型的半導(dǎo)體技術(shù)公司,在作為半導(dǎo)體核心技術(shù)的器件領(lǐng)域有深厚的技術(shù)積累,專注半導(dǎo)體器件技術(shù)創(chuàng)新,擁有多項(xiàng)半導(dǎo)體器件核心專利。 2013年下半年,東微半導(dǎo)體原創(chuàng)的半浮柵器件的技術(shù)論文在美國《科學(xué)》期刊上發(fā)表,標(biāo)志著國內(nèi)科學(xué)家在半導(dǎo)體核心技術(shù)方向獲得重大突破,新聞聯(lián)播、人民日?qǐng)?bào)等媒體均進(jìn)行了頭條重點(diǎn)報(bào)道,引起了國內(nèi)外業(yè)界的高度關(guān)注。2016年東微半導(dǎo)體自主研發(fā)的新能源汽車直流大功率充電樁用核心芯片成功量產(chǎn),打破國外廠商壟斷。收起

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