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    • 一、EMI產(chǎn)生的根源與擴(kuò)頻IC的應(yīng)對策略
    • 三、典型應(yīng)用場景與案例
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時(shí)源芯微 擴(kuò)頻IC如何減少電磁干擾 EMI

4小時(shí)前
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一、EMI產(chǎn)生的根源與擴(kuò)頻IC的應(yīng)對策略

開關(guān)電源在工作時(shí),功率半導(dǎo)體器件(如MOSFET、IGBT)的高速開關(guān)動(dòng)作(頻率通常在幾十kHz至數(shù)MHz之間)會產(chǎn)生陡峭的電壓/電流變化率(dv/dt、di/dt),這些快速變化的信號包含豐富的高次諧波,形成寬帶噪聲信號,頻率范圍可從開關(guān)頻率延伸至數(shù)百M(fèi)Hz。這些噪聲通過兩種途徑傳播:

傳導(dǎo)干擾:通過電源線、信號線等導(dǎo)體直接傳播,頻率范圍通常在150kHz至30MHz之間。

輻射干擾:以電磁波形式通過空間傳播,頻率范圍通常在30MHz至300MHz之間。

擴(kuò)頻IC的核心策略是打破噪聲能量的集中性。傳統(tǒng)開關(guān)電源的開關(guān)頻率固定,噪聲能量集中在基頻及其諧波頻率點(diǎn)上,形成尖銳的峰值輻射。擴(kuò)頻IC通過調(diào)制開關(guān)頻率,將噪聲能量分散到更寬的頻帶上,從而降低單一頻率點(diǎn)的EMI強(qiáng)度。

二、擴(kuò)頻IC的關(guān)鍵技術(shù)實(shí)現(xiàn)

1.頻率調(diào)制技術(shù)

擴(kuò)頻IC采用多種頻率調(diào)制方式,將開關(guān)頻率圍繞標(biāo)稱值進(jìn)行周期性或隨機(jī)性變化:

三角波/正弦波調(diào)制:開關(guān)頻率在標(biāo)稱值附近按三角波或正弦波規(guī)律掃描。例如,LTC6908系列硅振蕩器可將開關(guān)頻率在±10%范圍內(nèi)線性掃描。

偽隨機(jī)調(diào)制:開關(guān)頻率按偽隨機(jī)序列跳變,如LTC6909通過9位偽隨機(jī)序列發(fā)生器控制時(shí)鐘頻率,避免周期性紋波。

混合調(diào)制:結(jié)合多種調(diào)制方式,進(jìn)一步優(yōu)化頻譜分布。

2.調(diào)制參數(shù)優(yōu)化

調(diào)制深度(Δf/f?):表示頻率偏移范圍與標(biāo)稱頻率的比值。例如,±10%的調(diào)制深度可將噪聲能量擴(kuò)展至標(biāo)稱頻率的90%至110%范圍內(nèi)。

調(diào)制速率(f_m):即頻率跳變速度。較快的調(diào)制速率可縮短開關(guān)電源在單一頻率點(diǎn)的駐留時(shí)間,但需平衡開關(guān)電源的動(dòng)態(tài)響應(yīng)能力。

3.頻譜擴(kuò)展效果

通過調(diào)制,原本集中在基頻(f?)和諧波頻率(2f?、3f?…)的噪聲能量被分散到更寬的頻帶(f?-Δf至f?+Δf)內(nèi)。例如,采用±10%調(diào)制深度時(shí),噪聲峰值可降低10dB以上,總輻射能量保持不變,但單位頻寬內(nèi)的能量密度顯著下降。

三、典型應(yīng)用場景與案例

1.消費(fèi)電子

平板電腦/智能手機(jī):通過擴(kuò)頻IC降低時(shí)鐘信號輻射,解決輻射騷擾值超標(biāo)問題。

音頻功放:抑制時(shí)鐘諧波干擾,提高信噪比(SNR)。

2.汽車電子

LED驅(qū)動(dòng)器:在PWM調(diào)光時(shí)防止LED閃爍,同時(shí)滿足CISPR 25 Class 5輻射要求。

ECU(電子控制單元):降低多ECU協(xié)同工作時(shí)的交叉干擾。

3.工業(yè)控制

變頻器/伺服驅(qū)動(dòng)器:減少電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)對控制信號的干擾。

工業(yè)自動(dòng)化網(wǎng)絡(luò):降低時(shí)鐘信號對通信總線(如CAN、EtherCAT)的干擾。

型號

Product?No.

工作電壓

Power supply

voltage Rated

VDD((V)

輸入&輸出頻率

Input?/?Output

Frequency

(MHz)

輸出電流范圍

Output

Current

Min-Max.(mA)

擴(kuò)頻調(diào)制范圍

Spreading

Range(%)

調(diào)制模式

Modulation

mode

工作溫度

Operation

junction

temperature(°C)

封裝

Package

TSI1651A4021 1.65~3.6 1~40 2.0~4.0 +0.06~±0.33 4 -40~85°C TDFN-2×2
TS11610A6021 1.6~3.6 10~60

2.0~4.5

+0.06~+0.33 4 -40~85℃ TDFN-2×2
TSI1810A4011 1.8~3.6 1~40 2.0~4.0 +0.06~+0.33 2 -40~85℃ TDFN-2×2
TSI1651A4021 1.65~3.6 10~200 2.0~4.0 +0.06~+0.43 燒錄 -40~85℃ TDFN-2×2

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