• 正文
    • 一、FIB 技術(shù)的核心內(nèi)涵
    • 二、FIB 系統(tǒng)的基礎(chǔ)架構(gòu)
    • 三、FIB 技術(shù)的工作原理
    • 四、FIB 技術(shù)的多元功能
    • 五、FIB 技術(shù)的優(yōu)勢與局限
    • 六、FIB技術(shù)的廣泛應(yīng)用
    • 七、FIB技術(shù)面臨的挑戰(zhàn)與應(yīng)對策略
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什么是FIB(Focused Ion Beam)? 從FIB原理、用途、優(yōu)勢和挑戰(zhàn)介紹

5小時前
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在微觀世界的精密加工領(lǐng)域,聚焦離子束(Focused Ion Beam,F(xiàn)IB)技術(shù)宛如一位神奇的 “納米雕刻師”,憑借獨(dú)特的技術(shù)手段,為材料加工、分析和成像開辟了全新的路徑。這項(xiàng)技術(shù)通過對離子束的精妙操控,實(shí)現(xiàn)納米級別的精準(zhǔn)操作,在多個領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。

一、FIB 技術(shù)的核心內(nèi)涵

FIB 技術(shù)以高度聚焦的離子束作為 “加工利器”,借助加速且精確受控的離子束與樣品表面發(fā)生相互作用,達(dá)成納米級別的材料處理目標(biāo)。在實(shí)際應(yīng)用中,鎵(Ga)離子源憑借出色的聚焦性能和適宜的質(zhì)量,成為 FIB 系統(tǒng)的常用選擇,能夠滿足大多數(shù)應(yīng)用場景的需求。

二、FIB 系統(tǒng)的基礎(chǔ)架構(gòu)

離子源:作為 FIB 系統(tǒng)的 “動力源頭”,離子源負(fù)責(zé)生成用于轟擊樣品的離子流。液態(tài)金屬離子源,尤其是液態(tài)鎵,因其獨(dú)特的性質(zhì)成為最普遍的離子源類型,得益于其低熔點(diǎn)、低蒸汽壓和出色的抗化學(xué)腐蝕性。它通過將金屬加熱至液態(tài),并塑造出尖銳的發(fā)射尖端,在強(qiáng)電場作用下,從尖端精準(zhǔn)提取單個或少量離子。離子源位于系統(tǒng)的頂部,是FIB技術(shù)運(yùn)作的心臟。

加速和偏轉(zhuǎn)系統(tǒng):該系統(tǒng)如同離子束的 “導(dǎo)航員”,不僅能為離子賦予足夠的能量,使其獲得所需動能,還能借助電場或磁場,精確調(diào)控離子束的方向和形狀,確保離子束能夠準(zhǔn)確抵達(dá)目標(biāo)位置。

樣品室:這是放置待處理樣品的 “專屬空間”,為保證離子束的質(zhì)量和性能,樣品室通常維持在高真空環(huán)境下,避免外界因素干擾離子束與樣品的相互作用。

檢測系統(tǒng):負(fù)責(zé)收集和分析離子束與樣品交互過程中產(chǎn)生的各類信號,如二次離子、二次電子等。通過對這些信號的解讀,能夠獲取關(guān)于樣品的豐富信息。

三、FIB 技術(shù)的工作原理

離子的產(chǎn)生與加速:離子源是離子產(chǎn)生的關(guān)鍵場所,以液態(tài)鎵離子源為例,金屬被加熱成液態(tài)后,在尖端形成離子發(fā)射點(diǎn)。離子提取后進(jìn)入加速電壓區(qū)域,經(jīng)過幾千伏特的加速,獲得足夠的動能,為后續(xù)撞擊樣品、產(chǎn)生各種效應(yīng)奠定基礎(chǔ)。

離子束的聚焦與掃描:加速后的離子束需要經(jīng)過聚焦系統(tǒng)的 “雕琢”,一系列電磁透鏡發(fā)揮作用,將離子束調(diào)整得更細(xì)更集中,實(shí)現(xiàn)納米級別的精度,離子束直徑可在幾納米到幾百納米之間靈活變化。同時,偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)通過施加電壓或電流,改變離子束方向,使其能夠按照預(yù)設(shè)路徑在樣品表面進(jìn)行精確掃描。

與樣品的相互作用

蝕刻機(jī)制:當(dāng)高能離子束轟擊樣品時,物理濺射現(xiàn)象隨之發(fā)生。入射離子將動能傳遞給樣品原子,使其脫離樣品表面,實(shí)現(xiàn)材料的去除,從而能夠完成切割、鉆孔、雕刻等精細(xì)操作,打造出復(fù)雜的微結(jié)構(gòu)。

沉積機(jī)制:在特定條件下,F(xiàn)IB 技術(shù)還具備沉積新材料的能力。引入特定氣體前驅(qū)體到樣品室,在離子束作用下,氣體分解并在樣品表面沉積,形成一層薄膜,可用于電路修補(bǔ)、導(dǎo)電連接創(chuàng)建等。

成像機(jī)制:離子束撞擊樣品會產(chǎn)生二次電子、背散射離子等信號,檢測這些信號能夠生成樣品表面形貌信息,類似于掃描電子顯微鏡的成像原理?,F(xiàn)代雙束系統(tǒng)結(jié)合了 SEM 功能,進(jìn)一步提升了成像質(zhì)量。

四、FIB 技術(shù)的多元功能

蝕刻功能:在微電子器件制造和修復(fù)領(lǐng)域,F(xiàn)IB 的蝕刻能力發(fā)揮著重要作用。通過高能離子束轟擊,能夠在納米尺度上進(jìn)行精細(xì)切割和鉆孔。在半導(dǎo)體行業(yè)中,可用于定位和切除有問題的電路部分,輔助故障分析。

沉積功能:除了去除材料,F(xiàn)IB 還能實(shí)現(xiàn)材料添加。通過氣體前驅(qū)體的分解和沉積,可修補(bǔ)損壞電路、創(chuàng)建導(dǎo)電連接,為材料加工提供了更多可能性。

透射電子顯微鏡樣品制備:FIB 能夠從塊狀材料中提取僅數(shù)十納米厚的超薄薄片,為 TEM 觀察內(nèi)部結(jié)構(gòu)提供理想樣本,尤其適用于硬質(zhì)或脆性材料。

成像功能:FIB 能夠利用離子束與樣品相互作用產(chǎn)生的信號進(jìn)行表面形貌觀察,雖然成像分辨率略遜于 SEM,但可以在加工前后及時檢查結(jié)果。雙束系統(tǒng)的出現(xiàn),更是實(shí)現(xiàn)了高分辨率成像和精準(zhǔn)加工的一體化。

斷層掃描與三維重建:通過對樣品進(jìn)行連續(xù)截面成像,能夠構(gòu)建出樣品內(nèi)部結(jié)構(gòu)的三維模型,對于研究復(fù)雜材料的微觀結(jié)構(gòu)具有重要意義,如多層芯片的互連結(jié)構(gòu)、生物組織的細(xì)胞間聯(lián)系等。

納米操縱與組裝:在納米科技領(lǐng)域,F(xiàn)IB 可以實(shí)現(xiàn)對單個納米粒子或納米線的精準(zhǔn)操作,如移動、焊接、切割等,推動納米技術(shù)的研究和發(fā)展。

材料改性:通過局部摻雜或調(diào)整化學(xué)成分,F(xiàn)IB 能夠改變材料的表面特性,優(yōu)化其電學(xué)、光學(xué)等物理性質(zhì),助力新材料的開發(fā)。

五、FIB 技術(shù)的優(yōu)勢與局限

(一)顯著優(yōu)勢

高精度:納米級別的分辨率和定位精度,使其成為微納制造和精細(xì)加工的理想選擇。

多功能性:一臺設(shè)備即可完成蝕刻、沉積和成像等多種操作,簡化了處理流程。

快速原型制作:無需傳統(tǒng)掩膜版制作,能夠加速研發(fā)周期,快速驗(yàn)證設(shè)計(jì)方案。

局部化處理:可以對特定區(qū)域進(jìn)行精確操作,不影響周圍環(huán)境,保證材料的完整性。

材料改性能力:為材料性能的優(yōu)化提供了有效手段。

TEM 樣品制備優(yōu)勢:是制備 TEM 樣品的絕佳工具,尤其適用于特殊材料。

雙束系統(tǒng)的高效性:結(jié)合 SEM 功能,提高了工作效率,便于及時檢查加工結(jié)果。

(二)存在局限

成本高昂:設(shè)備購置、運(yùn)行和維護(hù)成本居高不下,限制了其廣泛應(yīng)用。

加工速度較慢:難以滿足大規(guī)模生產(chǎn)和高速度加工的需求。

樣本損傷風(fēng)險(xiǎn):高能離子束可能對敏感材料造成不可逆損傷。

操作復(fù)雜性:需要專業(yè)知識和技能,操作人員培訓(xùn)周期長,實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)難度大。

深度限制:主要適用于表面處理,對深層結(jié)構(gòu)加工能力有限。

氣體依賴性:沉積過程依賴特定氣體前驅(qū)體,增加了操作的復(fù)雜性和不確定性。

六、FIB技術(shù)的廣泛應(yīng)用

截面切割與表征分析:

FIB的濺射刻蝕功能允許對樣品進(jìn)行精確的定點(diǎn)切割,觀察其橫截面的形貌和尺寸,并結(jié)合元素分析系統(tǒng)對截面成分進(jìn)行分析。

芯片修復(fù)與線路修改:

FIB技術(shù)能夠改變電路連線的方向,診斷并修正電路中的錯誤,直接在芯片上進(jìn)行修改,降低研發(fā)成本,加快研發(fā)速度。

TEM樣品制備:

FIB技術(shù)輔助TEM樣品制備,縮短了樣品制備的時間,提高了制樣的精確度和成功率。

納米器件的制造:

FIB技術(shù)能夠在器件表面進(jìn)行納米級別的加工,對于納米電子器件的制造和研究具有重要意義。隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步,F(xiàn)IB技術(shù)在半導(dǎo)體領(lǐng)域的重要性日益凸顯,它不僅推動了科技的發(fā)展,也為半導(dǎo)體技術(shù)的未來發(fā)展提供了無限可能。

七、FIB技術(shù)面臨的挑戰(zhàn)與應(yīng)對策略

成本問題:通過技術(shù)創(chuàng)新優(yōu)化設(shè)備設(shè)計(jì)、實(shí)現(xiàn)規(guī)?;a(chǎn)以及建立共享實(shí)驗(yàn)室等方式,降低成本,提高設(shè)備利用率。

速度瓶頸:開發(fā)多束 FIB 系統(tǒng)、引入自動化流程和集成化控制,以及與其他快速加工技術(shù)結(jié)合,提升加工效率。

樣本損傷風(fēng)險(xiǎn):研究低能量離子源、開發(fā)保護(hù)涂層、優(yōu)化工藝參數(shù),減少對敏感材料的損傷。

操作復(fù)雜性:改進(jìn)軟件界面、引入智能輔助系統(tǒng)、提供在線培訓(xùn)和支持,降低操作難度。

深度限制:結(jié)合復(fù)合技術(shù)、開發(fā)新型加工策略,拓展 FIB 在深層結(jié)構(gòu)加工方面的應(yīng)用。

氣體依賴性:探索固態(tài)前驅(qū)體、開發(fā)多功能沉積系統(tǒng),簡化操作流程,提高沉積穩(wěn)定性。

FIB 技術(shù)以其獨(dú)特的優(yōu)勢在多個領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大價值,盡管面臨一些挑戰(zhàn),但隨著技術(shù)的不斷創(chuàng)新和發(fā)展,其應(yīng)用前景將更加廣闊,有望為更多領(lǐng)域帶來新的突破和變革。

The END微信公眾號:國芯制造 每日堅(jiān)持分享芯片制造干貨,您的關(guān)注+點(diǎn)贊+在看?是國芯制造持續(xù)創(chuàng)作高質(zhì)量文章的動力,留個關(guān)注再走唄,總有一篇你受益的文章,別回頭找不到啦!謝謝大家!

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