作者:豐寧
今年上半年的功率半導(dǎo)體市場,傳來的大都是消極的情緒?!靶枨笃\洝薄皫齑娓咂蟆?,英飛凌、安森美等巨頭更是直言“傳統(tǒng)業(yè)務(wù)承壓”。
但有意思的是,國產(chǎn)功率芯片公司的體感似乎并不相同。
?01功率半導(dǎo)體公司,排名變了
根據(jù)英飛凌發(fā)布的2025財年第二季度財報,2024年全球功率半導(dǎo)體市場總規(guī)??s小至323億美元。
中國的士蘭微電子以3.3%的市場占有率躍升至全球第六,而比亞迪則首次躋身全球前十,市場份額達(dá)到3.1%位列第七。
英飛凌作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司,其在功率半導(dǎo)體市場的市占率仍位居全球第一,但2024年同比下降了2.9個百分點,降至17.7%。
排名第二的安森美半導(dǎo)體市占率也下降了0.5個百分點,為8.7%;排名第三的意法半導(dǎo)體市占率下降了1個百分點,為7%。
相比之下,2024年全球功率半導(dǎo)體市占率前十的企業(yè),只有士蘭微、比亞迪兩家企業(yè)市占率相比2023年提升。
士蘭微電子功率半導(dǎo)體營收從2023年的9.28億美元增長至2024年的10.66億美元,市占率從2.6%提升至3.3%,穩(wěn)居國內(nèi)功率半導(dǎo)體龍頭地位。
比亞迪則主要得益于其汽車整車產(chǎn)銷量的快速增長,2024年,比亞迪全年銷量超過427萬輛,其中新能源乘用車銷量超過425萬輛,同比增長41.1%。
此外,排名第四的是三菱電機(市占率4.7%),排名第五的是富士電機(市占率3.9%),威世半導(dǎo)體(市占率2.7%)、東芝(市占率2.7%)、NXP(市占率2.6%)分列第八、第九、第十。
從數(shù)據(jù)看,市占率攀升正讓本土企業(yè)在全球競爭中權(quán)重漸顯。而今年一季度,當(dāng)多家功率芯片龍頭對市場前景持保守態(tài)度時,國產(chǎn)功率芯片公司的表現(xiàn)尤為值得關(guān)注。
?02大漲1072.43%,國產(chǎn)功率芯片再度飄紅
筆者統(tǒng)計了十家國產(chǎn)功率半導(dǎo)體公司的Q1最新業(yè)績,這些數(shù)據(jù)印證了筆者上述的觀點。
今年Q1,國產(chǎn)功率半導(dǎo)體公司業(yè)績集體飄紅。統(tǒng)計中的十家公司中,除蘇州固锝外,其余九家的營收同比均為上漲,歸母凈利潤數(shù)據(jù)來看,除斯達(dá)半導(dǎo)體外,其余九家公司的歸母凈利潤營收也均呈現(xiàn)上漲趨勢。
其中,表現(xiàn)最亮眼的便是士蘭微。報告顯示,士蘭微一季度營業(yè)收入為30.00億元,同比增長21.70%;歸母凈利潤為1.49億元,同比增長1072.43%;扣非歸母凈利潤為1.45億元,同比增長8.96%;基本每股收益0.09元。華潤微、宏微科技、華微電子、蘇州固锝也均實現(xiàn)三位數(shù)的歸母凈利潤同比增幅。
從當(dāng)前功率半導(dǎo)體市場的復(fù)蘇節(jié)奏來看,國產(chǎn)功率半導(dǎo)體公司與國際廠商的節(jié)奏似乎并不相同。
國產(chǎn)功率半導(dǎo)體的市場復(fù)蘇,在去年就已有明顯跡象。
早在去年Q2,筆者就曾觀察到有業(yè)內(nèi)人士表示“功率半導(dǎo)體的價格開始企穩(wěn),晶圓代工廠產(chǎn)能利用率開始回升?!逼渲校骶A代工廠、IDM(即設(shè)計制造垂直一體化)廠,都是接近滿產(chǎn)狀態(tài)。
華潤微在接待機構(gòu)調(diào)研時表示,公司6英寸及8英寸產(chǎn)線的產(chǎn)能利用率達(dá)到90%以上,其中部分產(chǎn)品線已在95%以上;12英寸產(chǎn)線處于爬坡上量以及客戶驗證階段。揚杰科技表示,公司已經(jīng)處于滿產(chǎn)滿銷狀態(tài)。
“功率半導(dǎo)體復(fù)蘇得比預(yù)期要早,我們的產(chǎn)線也已經(jīng)基本上處于滿載狀態(tài)?!本A代工廠方面,芯聯(lián)集成相關(guān)人士曾表示。
功率半導(dǎo)體市場的需求穩(wěn)步增長,主要得益于兩方面:一方面,消費電子行業(yè)在今年Q1明顯復(fù)蘇;另一方面,高端的汽車電子、AI帶動的高性能計算及高速通信等需求,給產(chǎn)業(yè)帶來新的成長驅(qū)動力。這一點在下文部分公司的財報中也得以體現(xiàn)。
當(dāng)前,國產(chǎn)功率半導(dǎo)體已在眾多領(lǐng)域應(yīng)用,特別是低端產(chǎn)品,如二極管、三極管、晶閘管、低壓MOSFET(非車規(guī))等,已初現(xiàn)“規(guī)?;?yīng)、國產(chǎn)化相對較高”等特點。在中高端領(lǐng)域,如SJ MOSFET、IGBT、碳化硅等,特別是車規(guī)產(chǎn)品,由于起步晚、工藝相對復(fù)雜以及缺乏車規(guī)驗證機會等問題,國內(nèi)廠家依然在追隨海外廠家技術(shù)發(fā)展路線。但近年來,市場逐漸從依賴進(jìn)口向國內(nèi)自給自足轉(zhuǎn)變,國產(chǎn)廠商的市場空間正進(jìn)一步擴容。
相比功率半導(dǎo)體市場國內(nèi)企業(yè)取得的顯著進(jìn)展,汽車半導(dǎo)體市場仍由外企主導(dǎo)。英飛凌財報顯示,其在汽車半導(dǎo)體及汽車?MCU?領(lǐng)域均位列第一,且市場前五名企業(yè)均為外企。
汽車半導(dǎo)體市場空間巨大,尤其是隨著汽車行業(yè)電子化程度的提高,汽車芯片的需求量快速增長。國際數(shù)據(jù)公司(IDC)預(yù)計,隨著高級駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)、電動汽車(EV)和車聯(lián)網(wǎng)(IoV)的日益普及,汽車半導(dǎo)體市場規(guī)模到2027年將超過880億美元。而根據(jù)英飛凌數(shù)據(jù),2024年全球汽車半導(dǎo)體市場規(guī)模為684億美元。這意味未來三年全球汽車半導(dǎo)體市場規(guī)模將增長近29%。
中國汽車半導(dǎo)體市場增速更為可觀。據(jù)悉,2024年中國汽車芯片市場規(guī)模達(dá)1200億元,預(yù)計2030年突破3000億元,年復(fù)合增長率超25%。增長主要源于:新能源汽車滲透率提升至40%,帶動功率芯片需求;L2級以上智能駕駛滲透率超50%,推動主控芯片需求;智能座艙普及率超60%,拉動存儲和模擬芯片需求。
在多家國產(chǎn)功率半導(dǎo)體公司的財報中,“汽車”均是一個關(guān)鍵詞。
華潤微財報顯示,?MOSFET、IGBT、SiC MOS、功率?IC?等系列化車規(guī)級產(chǎn)品及模塊產(chǎn)品,已通過產(chǎn)品組合形成解決方案進(jìn)入國內(nèi)頭部車企及汽車零部件Tier1?的供應(yīng)鏈體系,應(yīng)用于如動力控制、車身電子及智能駕駛輔助等多個核心系統(tǒng),并不斷提升市場份額和競爭力。消費電子方面,其功率IC、IPM?模塊、MCU?等核心產(chǎn)品,在家電、手機、計算機、智能穿戴等領(lǐng)域的頭部客戶端穩(wěn)定上量。
揚杰科技表示,汽車電子業(yè)務(wù)持續(xù)高速增長,Q1營業(yè)收入較去年同期增長超70%。此外,隨著經(jīng)濟(jì)形勢向好及國家“兩新”政策推廣,消費類電子市場需求旺盛,公司Q1消費電子領(lǐng)域營業(yè)收入較去年同期增長超27%。
宏微科技也表示,已完成光伏用?IGBT&FRD?芯片、車規(guī)級IGBT&FRD?芯片開發(fā)及認(rèn)證。SiC?產(chǎn)品研發(fā)進(jìn)展迅速,1200V 40mohm SiC MOSFET?芯片研制成功,已通過可靠性驗證,量產(chǎn)在即;車規(guī)級?SiC?模塊銀燒結(jié)工藝通過驗證,SiC SBD?芯片完成客戶系統(tǒng)級測試,產(chǎn)能持續(xù)釋放。
?03下半年,功率半導(dǎo)體走向何方?
對于下半年的功率半導(dǎo)體市場,筆者觀察到三點趨勢。
第一點,全球功率半導(dǎo)體市場,有望迎來復(fù)蘇。
在整體周期性復(fù)蘇方面,海外功率大廠紛紛表示,短期功率器件仍前景難料,行業(yè)恢復(fù)仍需時間。不過已有不少龍頭將行業(yè)復(fù)蘇的矛頭對準(zhǔn)今年。
英飛凌首席執(zhí)行官約亨-哈內(nèi)貝克(Jochen Hanebeck)表示,“除人工智能外,我們的終端市場目前幾乎沒有任何增長動力,周期性復(fù)蘇被推遲。因此,我們準(zhǔn)備在2025年實現(xiàn)低迷的經(jīng)營業(yè)績”。
東芝電子設(shè)備和存儲業(yè)務(wù)總經(jīng)理Noriyasu Kurihara表示,目前對功率芯片的需求緩慢,因為設(shè)備制造商仍在消耗庫存,但2025年業(yè)務(wù)應(yīng)該會回暖。
隨著下半年,功率半導(dǎo)體市場的整體好轉(zhuǎn),國產(chǎn)廠商或迎來更快地發(fā)展機遇。在這一點上,他們已做好準(zhǔn)備。
第二點,國產(chǎn)功率半導(dǎo)體公司,持續(xù)放量。
士蘭微、捷捷微電、中芯集成、華虹公司等本土IDM和ODM廠商正興建產(chǎn)能,保證出貨量,同時不斷迭代新產(chǎn)品。
士蘭集昕公司“年產(chǎn)36萬片12英寸芯片生產(chǎn)線項目”已有部分設(shè)備到廠并投入生產(chǎn),并且加快轉(zhuǎn)12英寸產(chǎn)線量產(chǎn)的進(jìn)度;士蘭集科加快車規(guī)級IGBT芯片、超結(jié)MOSFET、高性能低壓分離柵MOSFET芯片的產(chǎn)出和上量,已具備月產(chǎn)2萬片IGBT芯片的生產(chǎn)能力。
捷捷微電宣布對全資子公司捷捷半導(dǎo)體有限公司投建的“功率半導(dǎo)體6英寸晶圓及器件封測生產(chǎn)線建設(shè)項目”增加投資,由最初的5.1億元上調(diào)至8.1億元。6寸線目前具備30000片/月產(chǎn)能,現(xiàn)已實現(xiàn)約20000片/月產(chǎn)出。
中芯集成在去年6月表示,將發(fā)力高端功率半導(dǎo)體代工市場。中芯集成已經(jīng)建成了國內(nèi)最大車規(guī)級IGBT制造基地,預(yù)計IGBT產(chǎn)能在今年底前超過12萬片/月。
隨著產(chǎn)業(yè)鏈庫存出清,需求進(jìn)一步回暖,消費電子、汽車電子、高性能計算、高端通信及新能源等領(lǐng)域?qū)⑹枪β拾雽?dǎo)體行業(yè)增長主要驅(qū)動力,而擁有高端產(chǎn)品的廠商將成為產(chǎn)業(yè)景氣度回溫的主要受益者。
第三點,國產(chǎn)SiC器件,加速上車。
碳化硅(SiC)功率器件作為第三代半導(dǎo)體的核心代表,憑借其高頻、高效、耐高溫、耐高壓等特性,正在新能源汽車、光伏儲能、工業(yè)電源等領(lǐng)域加速替代傳統(tǒng)硅基器件。
2024年為國產(chǎn)SiC?MOSFET主驅(qū)規(guī)模放量的元年,8英寸線逐漸落地,預(yù)計溝槽型SiC?MOSFET也逐步追趕國際大廠。其中,性能指標(biāo)(包括比導(dǎo)通電阻/短路耐受時間等)、產(chǎn)能(優(yōu)先考慮產(chǎn)能供給充沛廠商)以及高可靠性成為終端車企關(guān)注重點。
芯粵能CTO相奇表示,2025年或?qū)⒊蔀閲a(chǎn)SiC芯片規(guī)模量產(chǎn)上車的元年。