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Aigtek 功率放大器在led發(fā)光研究中的應(yīng)用

3小時(shí)前
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發(fā)光二極管(LED)因高效、節(jié)能、長(zhǎng)壽命等優(yōu)點(diǎn),在照明、顯示及醫(yī)療等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。隨著技術(shù)發(fā)展,對(duì)LED性能的要求日益提高,功率放大器在LED發(fā)光研究中發(fā)揮著重要作用,為性能提升和應(yīng)用拓展提供了有力支持。

功率放大器在LED發(fā)光研究中的應(yīng)用

一、驅(qū)動(dòng)非載流子注入micro-LED

功率放大器可驅(qū)動(dòng)非載流子注入micro-LED。實(shí)驗(yàn)中,制備氧化鋁為絕緣層的非載流子注入micro-LED器件,信號(hào)發(fā)生器產(chǎn)生的交流信號(hào)經(jīng)ATA-1220E功率放大器放大后,驅(qū)動(dòng)該器件,實(shí)現(xiàn)其寬電壓工作窗口,提高器件亮度的穩(wěn)定性。

二、表征量子點(diǎn)發(fā)光MOS結(jié)構(gòu)

在基于量子點(diǎn)的發(fā)光MOS結(jié)構(gòu)研究中,功率放大器用于測(cè)量器件光電特性。通過(guò)施加不同電壓和頻率信號(hào),測(cè)量電壓-頻率-發(fā)光強(qiáng)度、電壓-頻率-發(fā)光光譜等特性,分析載流子輸運(yùn)行為,揭示器件工作機(jī)制。

三、量子點(diǎn)薄膜的非接觸無(wú)損原位檢測(cè)

量子點(diǎn)薄膜在光電器件中至關(guān)重要,其厚度不均會(huì)影響器件性能。實(shí)驗(yàn)利用高電場(chǎng)下量子點(diǎn)薄膜光致發(fā)光猝滅現(xiàn)象,通過(guò)功率放大器精確控制電場(chǎng),快速獲取薄膜厚度分布信息,為優(yōu)化制備工藝提供支持。

四、助力自供電光電器件高壓檢測(cè)

功率放大器在自供電高壓監(jiān)測(cè)器件研究中也有應(yīng)用。麥克斯韋位移電流驅(qū)動(dòng)發(fā)光二極管(MDC-LED)可重組電力線附近電場(chǎng),產(chǎn)生均勻電場(chǎng),抗干擾能力強(qiáng)。通過(guò)功率放大器驅(qū)動(dòng)MDC-LED,可準(zhǔn)確判斷高壓信號(hào)變化,為高壓檢測(cè)技術(shù)提供新思路。

五、研究μLED器件光電特性

依據(jù)非導(dǎo)體接觸式μLED模型,制備相應(yīng)器件。通過(guò)信號(hào)發(fā)生器產(chǎn)生不同頻率電壓信號(hào),經(jīng)功率放大器放大后施加在μLED器件上,檢測(cè)其電學(xué)和電致發(fā)光特性,研究頻率-電壓、電流-電壓、發(fā)光強(qiáng)度等光電特性,建立模型并優(yōu)化器件結(jié)構(gòu)和工作模式。

六、驅(qū)動(dòng)線圈點(diǎn)亮LED

通過(guò)信號(hào)發(fā)生器給功率放大器提供正弦波激勵(lì)信號(hào),功率放大器輸出大電流加載到線圈上,利用線圈間的互感原理產(chǎn)生電感效應(yīng),點(diǎn)亮LED燈。功率放大器可給線圈提供大電流,通過(guò)改變線圈間距離,控制LED燈亮度。

功率放大器在LED發(fā)光研究中具有不可替代的重要作用,能夠驅(qū)動(dòng)非載流子注入micro-LED、表征量子點(diǎn)發(fā)光MOS結(jié)構(gòu)、實(shí)現(xiàn)量子點(diǎn)薄膜的非接觸無(wú)損原位檢測(cè)、助力自供電光電器件高壓檢測(cè)以及研究μLED器件光電特性等。通過(guò)精確控制和放大電信號(hào),功率放大器為L(zhǎng)ED器件的性能提升和應(yīng)用拓展提供了有力支持,推動(dòng)了LED技術(shù)的不斷發(fā)展。

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