• 正文
    • 一、技術(shù)原理對比
    • 二、應(yīng)用場景選擇
    • 三、技術(shù)演進(jìn)與挑戰(zhàn)
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100G光模塊中DML與 EML的對比解析

3小時(shí)前
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100G光模塊中DML(直接調(diào)制激光器 EML(電吸收調(diào)制激光器)的對比解析,結(jié)合技術(shù)原理、性能差異及應(yīng)用場景進(jìn)行說明:

一、技術(shù)原理對比

特性DML(直接調(diào)制激光器)EML(電吸收調(diào)制激光器)調(diào)制方式直接控制激光器電流,改變光強(qiáng)激光器恒定發(fā)光,通過外置電吸收片調(diào)制光信號核心組件單一激光二極管DFB激光器 + 電吸收調(diào)制器(EA)集成工作狀態(tài)電流變化導(dǎo)致激光器溫度波動(dòng),產(chǎn)生頻率啁啾激光器穩(wěn)定工作,啁啾效應(yīng)極低。

二、應(yīng)用場景選擇

1.DML適用場景

-短距離傳輸數(shù)據(jù)中心機(jī)柜內(nèi)互聯(lián)(≤500m)、企業(yè)局域網(wǎng)。

-成本敏感場景:如100G QSFP28 SR4(850nm多模,100m)。

-典型方案:25Gbps DML激光器用于100G 光模塊的4通道并行傳輸 。

2.EML適用場景

-長距離及高速率城域網(wǎng)骨干、100G LR4/ER4(單模,10km~120km)。

-高密度波分復(fù)用:DWDM系統(tǒng)中窄譜線傳輸 。

-下一代技術(shù):400G DR4/FR4模塊(單波100G PAM4調(diào)制)。

三、技術(shù)演進(jìn)與挑戰(zhàn)

-DML局限:頻率啁啾限制長距傳輸,高速率下信號失真 。

-EML突破

無制冷EML技術(shù)降低功耗,適配數(shù)據(jù)中心。

調(diào)制速率達(dá)80~100Gbps,支持800G光模塊演進(jìn)。

-國產(chǎn)化進(jìn)展:國內(nèi)已突破40Gbps EML芯片技術(shù),加速替代進(jìn)口 。

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