• 正文
    • 一、PFC電路中的快恢復整流器角色
    • 二、逆變電路中的快恢復整流器應用
    • 三、優(yōu)化效率與EMI的工程實踐技巧
    • 四、典型實戰(zhàn)案例
    • 五、總結(jié)
  • 相關推薦
申請入駐 產(chǎn)業(yè)圖譜

在PFC和逆變電路中使用MDD快恢復整流器 如何優(yōu)化效率與EMI

3小時前
161
加入交流群
掃碼加入
獲取工程師必備禮包
參與熱點資訊討論

高頻電源設計與能量轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中,功率因數(shù)校正電路逆變電路是提升系統(tǒng)性能與能效的關鍵單元。隨著系統(tǒng)開關頻率日益提高,傳統(tǒng)整流器件的性能瓶頸逐漸暴露出來,特別是在反向恢復時間長、電磁干擾(EMI)嚴重和能量損耗大的問題上。MDD快恢復整流器作為針對這些痛點優(yōu)化的產(chǎn)品,已成為現(xiàn)代PFC與逆變拓撲中不可或缺的核心器件。本文將深入探討快恢復整流器在這兩類電路中的具體作用,并剖析如何通過器件選型與電路優(yōu)化來實現(xiàn)更高的效率與更低的EMI干擾。

一、PFC電路中的快恢復整流器角色

1.快恢復二極管在Boost-PFC結(jié)構(gòu)中的位置

在典型的Boost PFC電路中,快恢復二極管位于升壓電感與輸出電容之間,用于整流和續(xù)流。在MOS管導通期間,能量存儲于電感;當MOS管關斷后,電感釋放的能量經(jīng)快恢復二極管傳輸至輸出電容及負載。

2.為什么普通二極管不適合?

普通整流管反向恢復時間(trr)通常在數(shù)微秒級,切換緩慢,在頻率較高(>60kHz)的PFC應用中,會引起以下問題:

恢復期間產(chǎn)生過大的反向電流,引發(fā)MOS管電壓尖峰;

造成更嚴重的EMI干擾;

系統(tǒng)效率顯著下降,熱損耗增大。

3.快恢復二極管優(yōu)勢

trr短(<500ns甚至更低),降低反向恢復電流;

有效抑制電壓尖峰和振蕩,減輕MOS管壓力;

減少EMI,簡化濾波器設計;

提升功率因數(shù)控制效率和整機轉(zhuǎn)換效率。

二、逆變電路中的快恢復整流器應用

1.典型應用場景

光伏逆變器

電機驅(qū)動(BLDC、AC-IM)

UPS不間斷電源

工業(yè)變頻器

這些系統(tǒng)一般采用全橋或半橋拓撲結(jié)構(gòu),需要功率開關器件(如IGBT、MOSFET)配合續(xù)流二極管工作??旎謴投O管作為續(xù)流器件承受著高壓高頻反向切換沖擊。

2.快恢復整流器的關鍵作用

提供快速反向截止能力,防止短暫交叉導通;

降低反向恢復電流峰值,避免對上橋臂造成高壓應力;

減小器件間的共模干擾,降低系統(tǒng)輻射EMI。

三、優(yōu)化效率與EMI的工程實踐技巧

1.器件選型要點

trr≤開關周期1/10:確保整流管能在每個周期內(nèi)快速恢復;

Qrr(恢復電荷)盡量?。盒rr意味著更少的能量損耗;

考慮封裝熱阻(如TO-220,TO-247,SMD封裝),便于熱管理;

電壓裕量應大于實際反向電壓20%以上,保障耐壓穩(wěn)定。

2.降低EMI的電路設計建議

并聯(lián)RC Snubber吸收恢復尖峰;

縮短快恢復管與主開關器件之間的PCB走線,減小環(huán)路面積;

高頻布線層采用GND平面隔離法;

若EMI過強,可采用軟恢復型快恢復管或超快恢復二極管替代。

3.熱管理措施

提前計算平均功耗與瞬時功率峰值;

采用合理的散熱器和導熱硅脂,控制結(jié)溫不超過125°C;

若使用SMD封裝,應布局大銅箔區(qū)并加熱通孔。

四、典型實戰(zhàn)案例

在一款LED路燈電源PFC模塊中,使用1N5408普通整流管,工作頻率為80kHz,發(fā)現(xiàn)PFC效率僅為87%,EMI測試超標。在更換為trr僅為150ns的快恢復整流器(如MUR860)后:

系統(tǒng)效率提升至92%以上;

MOS管溫升降低近10°C;

EMI測試順利通過,無需加裝額外濾波器。

五、總結(jié)

MDD快恢復整流器通過優(yōu)化反向恢復特性,不僅有效抑制EMI和過壓尖峰,還顯著提升了PFC和逆變電路的能量轉(zhuǎn)換效率。它在中高頻電源設計中起到了橋梁與守門員的雙重角色。作為FAE,我們建議工程師在涉及高頻、大電流、低EMI需求的電路中,優(yōu)先考慮快恢復整流器,并結(jié)合器件特性、拓撲結(jié)構(gòu)和熱設計,打造高效、穩(wěn)定、可靠的電源系統(tǒng)。

辰達半導體

辰達半導體

深圳辰達半導體有限公司是一家專注于半導體分立器件研發(fā)設計、封裝測試及銷售的國家高新技術企業(yè)。公司深耕半導體領域17載,始終堅持以產(chǎn)品技術為驅(qū)動,以客戶需求為核心,打造涵蓋MOSFET、二極管、三極管、整流橋、SiC等全系列、高可靠、高性能的產(chǎn)品服務矩陣,產(chǎn)品廣泛應用于新能源汽車、工業(yè)控制、消費電子、通信、家電、醫(yī)療、照明、安防、儀器儀表等多個領域,服務于全球40多個國家與地區(qū)。 公司秉持與時俱進的發(fā)展理念,基于目前先進的分立器件設計及封裝測試能力,持續(xù)關注前沿技術及應用領域發(fā)展趨勢,全面推動產(chǎn)品升級迭代,提高分立器件產(chǎn)業(yè)化及服務閉環(huán)的能力,為客戶提供可持續(xù)、全方位、差異化的一站式產(chǎn)品解決方案。

深圳辰達半導體有限公司是一家專注于半導體分立器件研發(fā)設計、封裝測試及銷售的國家高新技術企業(yè)。公司深耕半導體領域17載,始終堅持以產(chǎn)品技術為驅(qū)動,以客戶需求為核心,打造涵蓋MOSFET、二極管、三極管、整流橋、SiC等全系列、高可靠、高性能的產(chǎn)品服務矩陣,產(chǎn)品廣泛應用于新能源汽車、工業(yè)控制、消費電子、通信、家電、醫(yī)療、照明、安防、儀器儀表等多個領域,服務于全球40多個國家與地區(qū)。 公司秉持與時俱進的發(fā)展理念,基于目前先進的分立器件設計及封裝測試能力,持續(xù)關注前沿技術及應用領域發(fā)展趨勢,全面推動產(chǎn)品升級迭代,提高分立器件產(chǎn)業(yè)化及服務閉環(huán)的能力,為客戶提供可持續(xù)、全方位、差異化的一站式產(chǎn)品解決方案。收起

查看更多

相關推薦