芯耀
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1949 年的今天，歷經(jīng)滄桑的中國(guó)人盼來(lái)了自己的節(jié)日——新中國(guó)成立。在戰(zhàn)后恢復(fù)期內(nèi)，經(jīng)濟(jì)基礎(chǔ)極為薄弱，建國(guó)之初，可謂是一窮二白，科技事業(yè)百?gòu)U待興。當(dāng)時(shí)，全國(guó)專門從事科技研究的機(jī)構(gòu)僅有 30 多個(gè)，從事科學(xué)技術(shù)工作的人員不超過(guò) 5 萬(wàn)人。新中國(guó)的科學(xué)技術(shù)需要在一片近乎"廢墟"的基礎(chǔ)上重建，而電子行業(yè)的發(fā)展就好比是中國(guó)科學(xué)技術(shù)發(fā)展的一個(gè)縮影。
70 年，篳路藍(lán)縷，風(fēng)雨兼程，從一片空白到電子管、晶體管、集成電路時(shí)代，是中國(guó)人的勤奮與“只怕落后、不怕失敗”的執(zhí)念支撐著中國(guó)電子行業(yè)的發(fā)展。
下面請(qǐng)跟著與非網(wǎng)一起來(lái)領(lǐng)略電子行業(yè)這 70 年來(lái)的艱辛與輝煌吧！
1949 年
伴隨著新中國(guó)的誕生，中國(guó)科學(xué)院成立，郭沫若被任命為第一屆中國(guó)科學(xué)院院長(zhǎng)。
1950 年
中央人民政府政務(wù)院公布《政務(wù)院關(guān)于獎(jiǎng)勵(lì)有關(guān)生產(chǎn)的發(fā)明、技術(shù)改進(jìn)及合理化建議的決定》和《保障發(fā)明權(quán)與專利暫行條例》，是關(guān)于科技獎(jiǎng)勵(lì)的首批法規(guī)性文件。
1951 年
中國(guó)半導(dǎo)體物理奠基人黃昆返回北大物理系執(zhí)教。
1952 年
大連工學(xué)院電機(jī)系并入工程學(xué)校，5 月西北通信工程學(xué)院成立，同年 10 月北京航空學(xué)院成立。
1953 年
中國(guó)第一臺(tái)全國(guó)產(chǎn)化電子管收音機(jī)在南京無(wú)線電廠試制成功，命名為“紅星牌 502 型”， 結(jié)束了中國(guó)收音機(jī)依靠進(jìn)口散件裝配的歷史。
1954 年
1954 年 10 月高教部第一批確定 6 所高校為全國(guó)重點(diǎn)大學(xué)：中國(guó)人民大學(xué)、哈爾濱工業(yè)大學(xué)、北京大學(xué)、清華大學(xué)、北京農(nóng)業(yè)大學(xué)、北京醫(yī)學(xué)院。
1955 年
黃昆先生率先在固體物理專門化中增設(shè)了半導(dǎo)體物理方向，使北京大學(xué)成為中國(guó)最早培養(yǎng)半導(dǎo)體專門人才的單位。
1956 年
公私合營(yíng)后，北京地區(qū)形成第一、第二、第三和第四無(wú)線電生產(chǎn)合作社，隸屬于北京市手工業(yè)生產(chǎn)合作社。同年成都紅光電子管廠生產(chǎn)出了中國(guó)第一支黑白顯像管和第一支投影顯像管。
1957 年
北京電子管廠通過(guò)還原氧化鍺，拉出了鍺單晶。中國(guó)科學(xué)院應(yīng)用物理研究所和二機(jī)部十局第十一所開(kāi)發(fā)鍺晶體管。同年，中國(guó)相繼研制出鍺點(diǎn)接觸二極管和三極管（晶體管）。
1958 年
中國(guó)第一臺(tái)黑白電視機(jī)誕生，命名為“北京牌”，北京電視臺(tái)開(kāi)始試驗(yàn)播出節(jié)目，由此中國(guó)電視工業(yè)開(kāi)始譜寫歷史。
1959 年
熊貓 1501 型電子管收音機(jī)于 1959 年 5 月在南京無(wú)線電廠研制成功，在提升收聽(tīng)效果的同時(shí)兼具錄音、電唱功能。
1960 年
中國(guó)自行研制的第一套 1000 門縱橫自動(dòng)電話交換機(jī)在上海吳淞電話局開(kāi)通使用，同年中國(guó)第一臺(tái)大型通用電子計(jì)算機(jī)（107 型通用電子數(shù)字計(jì)算機(jī)）研制成功。
1961 年
中國(guó)第一臺(tái)開(kāi)門式硅單晶爐制造成功，解決了“既可開(kāi)門又可保持爐內(nèi)高真空度”的難題。
1962 年
中國(guó)拉制出第一根無(wú)位錯(cuò)的硅單晶，而這臺(tái)硅單晶爐也榮獲國(guó)家新產(chǎn)品獎(jiǎng)。
1963 年
在北京市委、市政府的領(lǐng)導(dǎo)下，無(wú)線電廠、元件廠、工業(yè)部門與研究單位等協(xié)調(diào)工作，參照夏普公司 BX327 型收音機(jī)，成功地試制了一款晶體管收音機(jī)，命名為“牡丹牌 8402 型”。
1964 年
我國(guó)研制出每秒運(yùn)算 50000 次的電子管計(jì)算機(jī)，這是當(dāng)時(shí)運(yùn)算速度最快的電子管計(jì)算機(jī)，同年，哈爾濱軍事工程學(xué)院慈云桂教授等人自行研制了我國(guó)第一臺(tái)晶體管計(jì)算機(jī)——441B 機(jī)，每秒運(yùn)算達(dá) 8000 次。
1965 年
在我國(guó)以中科院為代表的研究機(jī)構(gòu)的努力下，中國(guó)第一塊集成電路問(wèn)世。
1966 年
上海元件五廠召開(kāi)產(chǎn)品鑒定會(huì)，鑒定了以與非門為主的 TTL 型電路。標(biāo)志著中國(guó)已經(jīng)自主研制成功小規(guī)模集成電路。
1967 年
面向工農(nóng)兵的四款收音機(jī)：熊貓 302 型、工農(nóng)兵 403 型、工農(nóng)兵 315 型、紅旗 643 型收音機(jī)面世，這些收音機(jī)具有功能單一、價(jià)格便宜、可帶動(dòng)揚(yáng)聲器等特點(diǎn)，滿足了農(nóng)村有線廣播轉(zhuǎn)播的需求。
1968 年
國(guó)營(yíng)東光電子廠（878 廠）在北京建立，上海無(wú)線電十九廠在上海建立，并稱為“北霸”和“南霸”。同年，上海無(wú)線電十四廠首家制成 PMOS 集成電路，拉開(kāi)了我國(guó)發(fā)展 MOS 電路的序幕。
1969 年
國(guó)營(yíng)永紅器材廠（749 廠）成立，后調(diào)遷至華天科技。
1970 年
國(guó)營(yíng)東光電工廠(878 廠)、上海無(wú)線電十九廠建成投產(chǎn)，形成中國(guó) IC 產(chǎn)業(yè)中的“兩霸”。
1971 年
聯(lián)合國(guó)第 26 屆大會(huì)恢復(fù)了中華人民共和國(guó)在聯(lián)合國(guó)的一切合法權(quán)利。
1972 年
江陰晶體管廠成立，王新潮后擔(dān)任江陰晶體管廠黨支部書(shū)記兼廠長(zhǎng)，改制后成立今天的長(zhǎng)電科技。
1973 年
我國(guó) 7 個(gè)單位分別從國(guó)外引進(jìn)單臺(tái)設(shè)備，期望建成七條 3 英寸工藝線，最后建成的只有北京 878 廠，航天部陜西驪山 771 所和貴州都勻 4433 廠。
1974 年
為加速發(fā)展 LSI（大規(guī)模集成電路產(chǎn)業(yè)），中國(guó)在北京召開(kāi)了第一次全國(guó)性會(huì)議。
1975 年
北大研制成中國(guó)第一臺(tái)真正達(dá)到 100 萬(wàn)次運(yùn)算速度的大型電子計(jì)算機(jī) -150 機(jī)。
1976 年
中國(guó)科學(xué)院計(jì)算所研制成功 1000 萬(wàn)次大型電子計(jì)算機(jī)，所使用的電路為中國(guó)科學(xué)院 109 廠（現(xiàn)中科院微電子中心）研制的 ECL 型（發(fā)射極耦合邏輯）電路。
1977 年
為加速發(fā)展 LSI（大規(guī)模集成電路產(chǎn)業(yè)），在貴州省召開(kāi)第三次全國(guó)性會(huì)議。
1978 年
中科院半導(dǎo)體所成功研制 4K DRAM。
1979 年
上海元件五廠和上海無(wú)線電十四廠成功仿制了英特爾的 8080 八位微處理器。
1980 年
中國(guó)第一條 3 英寸線在國(guó)營(yíng)東光電子廠（878 廠）的凈化車間內(nèi)投入運(yùn)行。
1981 年
中科院半導(dǎo)體所研制成功 16K DRAM。
1982 年
國(guó)務(wù)院為了加強(qiáng)全國(guó)計(jì)算機(jī)和大規(guī)模集成電路的領(lǐng)導(dǎo)，成立了以萬(wàn)里副總理為組長(zhǎng)的“電子計(jì)算機(jī)和大規(guī)模集成電路領(lǐng)導(dǎo)小組”，制定了中國(guó) IC 發(fā)展規(guī)劃，提出“六五”期間要對(duì)半導(dǎo)體工業(yè)進(jìn)行技術(shù)改造。同期，江蘇無(wú)錫的江南無(wú)線電器材廠（742 廠）IC 生產(chǎn)線建成驗(yàn)收投產(chǎn)，這是一條從日本東芝公司全面引進(jìn)的彩色和黑白電視機(jī)集成電路生產(chǎn)線，不僅擁有封裝部，而且有 3 英寸全新工藝設(shè)備的芯片制造線。這是中國(guó)第一次從國(guó)外引進(jìn)集成電路技術(shù)。
1983 年
針對(duì)當(dāng)時(shí)多頭引進(jìn)，重復(fù)布點(diǎn)的情況，國(guó)務(wù)院大規(guī)模集成電路領(lǐng)導(dǎo)小組提出“治散治亂”，集成電路要“建立南北兩個(gè)基地和一個(gè)點(diǎn)”的發(fā)展戰(zhàn)略，南方基地主要指上海、江蘇和浙江，北方基地主要指北京、天津和沈陽(yáng)，一個(gè)點(diǎn)指西安，主要為航天配套。
1984 年
國(guó)務(wù)院成立電子工業(yè)振興領(lǐng)導(dǎo)小組，國(guó)務(wù)院副總理李鵬任組長(zhǎng)。
1985 年
中科院半導(dǎo)體所制造出中國(guó)第一塊 64K DRAM。
1986 年
電子部廈門集成電路發(fā)展戰(zhàn)略研討會(huì)，提出“七五”期間我國(guó)集成電路技術(shù)“531”發(fā)展戰(zhàn)略，即普及推廣 5 微米技術(shù)，開(kāi)發(fā) 3 微米技術(shù)，進(jìn)行 1 微米技術(shù)科技攻關(guān)。
1987 年
1988 年
上無(wú)十四廠在技術(shù)引進(jìn)項(xiàng)目和建設(shè)新廠房的基礎(chǔ)上建成了我國(guó)第一條 4 英寸線，成立了中外合資公司——上海貝嶺微電子制造有限公司。
1989 年
機(jī)電部在無(wú)錫召開(kāi)“八五”集成電路發(fā)展戰(zhàn)略研討會(huì)，提出了“加快基地建設(shè)，形成規(guī)模生產(chǎn)，注重發(fā)展專用電路，加強(qiáng)科研和支持條件，振興集成電路產(chǎn)業(yè)”的發(fā)展戰(zhàn)略。同年，742 廠和永川半導(dǎo)體研究所無(wú)錫分所合并成立了中國(guó)華晶電子集團(tuán)公司。
1990 年
“908 工程”是我國(guó)第一個(gè)對(duì)微電子產(chǎn)業(yè)制定國(guó)家規(guī)劃并進(jìn)行大量投資的計(jì)劃。隨后，“908 工程”的代表作，無(wú)錫華晶成立。
1991 年
首都鋼鐵公司和日本 NEC 公司成立中外合資公司――首鋼 NEC 電子有限公司。
1992 年
上海飛利浦公司（現(xiàn)在的上海先進(jìn)半導(dǎo)體制造有限公司）建成了我國(guó)第一條 5 英寸線。
1993 年
第一塊 256K DRAM 在中國(guó)華晶電子集團(tuán)公司試制成功。
1994 年
首鋼日電公司建成了我國(guó)第一條 6 英寸線。
1995 年
電子部和國(guó)家外專局在北京聯(lián)合召開(kāi)國(guó)內(nèi)外專家座談會(huì)，加速我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展。電子部向國(guó)務(wù)院做了專題匯報(bào)，確定實(shí)施“909 工程”。
1996 年
英特爾公司投資在上海建設(shè)封測(cè)廠。
1997 年
上海華虹集團(tuán)與日本 NEC 公司合資組建上海華虹 NEC 電子有限公司，總投資為 12 億美元，華虹 NEC 主要承擔(dān)“九 O 九”主體工程超大規(guī)模集成電路芯片生產(chǎn)線項(xiàng)目建設(shè)。
1998 年
“908”主體工程華晶項(xiàng)目通過(guò)對(duì)外合同驗(yàn)收，這條從朗訊科技公司引進(jìn)的 0.9 微米的生產(chǎn)線已經(jīng)具備了月投 6000 片 6 英寸晶圓的生產(chǎn)能力。
1999 年
上海華虹 NEC 電子有限公司建成試投片，工藝技術(shù)從計(jì)劃的 0.5 微米提升到 0.35 微米，主導(dǎo)產(chǎn)品為 64M 同步動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器(S－DRAM)。
2000 年
中芯國(guó)際成立?，F(xiàn)在是中國(guó)規(guī)模最大、技術(shù)最先進(jìn)的集成電路芯片制造企業(yè)，其 14nm 制造工藝即將量產(chǎn)。
2001 年
和艦科技（蘇州）有限公司在江蘇蘇州工業(yè)園區(qū)成立，建設(shè)一條 8 英寸芯片生產(chǎn)線。
2002 年
中緯積體電路（寧波）有限公司在浙江寧波保稅區(qū)注冊(cè)成立，建設(shè)一條 6 英寸芯片生產(chǎn)線。
2003 年
臺(tái)積電（上海）有限公司落戶上海。
2004 年
四川南山之橋微電子有限公司自主研發(fā)的我國(guó)第一款擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的高性能以太網(wǎng)路由器、交換器系統(tǒng)芯片——“華夏網(wǎng)芯”TS2401 通過(guò)專家鑒定。
2005 年
AMD 公司與中國(guó)科技部正式簽署微處理器設(shè)計(jì)技術(shù)授權(quán)諒解備忘錄，以提高中國(guó)半導(dǎo)體工業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)能力。
2006 年
中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)銷售總收入首次突破 1000 億元大關(guān)，達(dá)到 1006.3 億元。
2007 年
中芯國(guó)際 12 英寸晶片廠建成投產(chǎn)。
2008 年
國(guó)家科技重大專項(xiàng)啟動(dòng)，“核心電子器件、高端通用芯片及基礎(chǔ)軟件產(chǎn)品”和“極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝”等專項(xiàng)都指向了集成電路。
2009 年
創(chuàng)業(yè)板開(kāi)市，讓中國(guó)集成電路企業(yè)更容易引起資本的注意。
2010 年
上海華力微電子公司成立，在宏力 12 英寸廠房?jī)?nèi)建設(shè) 1 條 12 英寸線，稱為“華力一期”。
2011 年
華為海思拿到 Arm 授權(quán)，并于次年推出 K3V2 四核 A9 架構(gòu)處理器。
2012 年
中芯國(guó)際在北京建立 40-28nm 生產(chǎn)線。
2013 年
紫光集團(tuán)以 17.8 億美元收購(gòu)展訊通信。
2014 年
國(guó)務(wù)院印發(fā)《國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》，將集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展上升為國(guó)家戰(zhàn)略。同年，國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金（簡(jiǎn)稱“大基金”）成立。
2015 年
中芯國(guó)際宣布 28 納米產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
2016 年
長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布成立。同年，華為發(fā)布 10nm 芯片麒麟 970，進(jìn)入國(guó)際領(lǐng)先陣營(yíng)。
2017 年
長(zhǎng)江存儲(chǔ) 32 層 3D NAND Flash 芯片送樣驗(yàn)證。
2018 年
阿里巴巴將收購(gòu)的中天微和達(dá)摩院自研芯片業(yè)務(wù)整合成一家獨(dú)立的芯片公司，該公司由馬云取名為“平頭哥半導(dǎo)體有限公司”。互聯(lián)網(wǎng)大佬紛紛進(jìn)入半導(dǎo)體芯片和電子硬件領(lǐng)域，一時(shí)間掀起一股硬件科技人才涌向互聯(lián)網(wǎng)企業(yè)的浪潮。
2019 年
科創(chuàng)板開(kāi)市，晶晨半導(dǎo)體成為科創(chuàng)板 001 號(hào)受理企業(yè)。一個(gè)技術(shù)造富的時(shí)代正式到來(lái)。
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與非網(wǎng)原創(chuàng)內(nèi)容，未經(jīng)許可，不得轉(zhuǎn)載！
